FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

8,090 -
RFQ
SIR670DP-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 2.8V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 2815 pF @ 30 V - 5W (Ta), 56.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
NVMFS5831NLWFT1G

NVMFS5831NLWFT1G

T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.

onsemi

9,018 -
RFQ

-

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 26A (Ta), 161A (Tc) 4.5V, 10V 2.95mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 4946 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
ISK018NE1LM7AULA1

ISK018NE1LM7AULA1

ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET

Infineon Technologies

2,819 -
RFQ
ISK018NE1LM7AULA1

데이터시트

OptiMOS™ 7 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 30A (Ta), 129A (Tc) 4.5V, 7V 1.8mOhm @ 20A, 7V 2V @ 106µA 13.6 nC @ 7 V ±7V 1600 pF @ 7.5 V - 2.1W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-6-1
NVMYS3D8N04CLTWG

NVMYS3D8N04CLTWG

T6 40V LL LFPAK

onsemi

9,041 -
RFQ
NVMYS3D8N04CLTWG

데이터시트

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 22A (Ta), 87A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 20A, 10V 2V @ 50µA 18 nC @ 10 V 20V 1600 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
IRF6646TR1

IRF6646TR1

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

Infineon Technologies

2,750 -
RFQ
IRF6646TR1

데이터시트

HEXFET® DirectFET™ Isometric MN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 10V 9.5mOhm @ 12A, 10V 4.9V @ 150µA 50 nC @ 10 V ±20V 2060 pF @ 25 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MN
SPI80N06S-08

SPI80N06S-08

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Infineon Technologies

8,627 -
RFQ
SPI80N06S-08

데이터시트

SIPMOS® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 240µA 187 nC @ 10 V ±20V 3660 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
SIHA21N60EF-E3

SIHA21N60EF-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Vishay Siliconix

8,884 -
RFQ
SIHA21N60EF-E3

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 176mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±30V 2030 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IRF640S

IRF640S

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Vishay Siliconix

8,539 -
RFQ
IRF640S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
2SK3707

2SK3707

MOSFET N-CH 100V 20A TO220ML

onsemi

6,046 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 4V, 10V 60mOhm @ 10A, 10V - 44 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 20 V - 2W (Ta), 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220ML
IPP120P04P4L03AKSA1

IPP120P04P4L03AKSA1

MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3

Infineon Technologies

2,613 -
RFQ
IPP120P04P4L03AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 340µA 234 nC @ 10 V ±16V 15000 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
IXTY18P10T-TRL

IXTY18P10T-TRL

MOSFET P-CH 100V 18A TO252

Littelfuse Inc.

8,929 -
RFQ

-

TrenchP™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Tc) 10V 120mOhm @ 9A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±15V 2100 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
IRFB17N20D

IRFB17N20D

MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB

Infineon Technologies

2,804 -
RFQ
IRFB17N20D

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 16A (Tc) 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF7809AVTRPBF

IRF7809AVTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO

Infineon Technologies

9,232 -
RFQ
IRF7809AVTRPBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13.3A (Ta) 4.5V 9mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 62 nC @ 5 V ±12V 3780 pF @ 16 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
AOB1606L

AOB1606L

MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3,751 -
RFQ
AOB1606L

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Ta), 178A (Tc) 10V 6mOhm @ 20A, 10V 3.7V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 2.1W (Ta), 417W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STP15NK50ZFP

STP15NK50ZFP

MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP

STMicroelectronics

5,060 -
RFQ
STP15NK50ZFP

데이터시트

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 340mOhm @ 7A, 10V 4.5V @ 100µA 106 nC @ 10 V ±30V 2260 pF @ 25 V - 40W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IRF634

IRF634

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB

Vishay Siliconix

4,045 -
RFQ
IRF634

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8.1A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.1A, 10V 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 770 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFU9020

IRFU9020

MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA

Vishay Siliconix

3,045 -
RFQ
IRFU9020

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 9.9A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
IRFU9024

IRFU9024

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA

Vishay Siliconix

9,091 -
RFQ
IRFU9024

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
SIHP22N60AEL-GE3

SIHP22N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

Vishay Siliconix

2,323 -
RFQ
SIHP22N60AEL-GE3

데이터시트

EL TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±30V 1757 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRL530NL

IRL530NL

MOSFET N-CH 100V 17A TO262

Infineon Technologies

6,341 -
RFQ
IRL530NL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±20V 800 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
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