FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
BUK663R5-30C,118

BUK663R5-30C,118

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Nexperia USA Inc.

6,923 -
RFQ
BUK663R5-30C,118

데이터시트

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 78 nC @ 10 V ±16V 4707 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
AUIRLL2705TR

AUIRLL2705TR

MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223

Infineon Technologies

9,024 -
RFQ
AUIRLL2705TR

데이터시트

HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 5.2A (Ta) 4V, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±16V 870 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-SOT223-4
FDMS86368-F085

FDMS86368-F085

MOSFET N-CH 80V 80A POWER56

onsemi

6,355 -
RFQ
FDMS86368-F085

데이터시트

PowerTrench® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 80A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 4350 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount Power56
DMNH6008SPS-13

DMNH6008SPS-13

MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060

Diodes Incorporated

2,700 -
RFQ
DMNH6008SPS-13

데이터시트

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16.5A (Ta), 88A (Tc) 10V 8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 40.1 nC @ 10 V ±20V 2597 pF @ 30 V - 3.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
TSM8N50CP ROG

TSM8N50CP ROG

MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252

Taiwan Semiconductor Corporation

8,438 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7.2A (Tc) 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V 4V @ 250µA 26.6 nC @ 10 V ±30V 1595 pF @ 25 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
PJD7NA60_R2_00001

PJD7NA60_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

8,089 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Ta) 10V 1.2Ohm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 15.2 nC @ 10 V ±30V 723 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
PJD8NA50_R2_00001

PJD8NA50_R2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

5,131 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Ta) 10V 900mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 16.2 nC @ 10 V ±30V 826 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
PJD7NA65_L2_00001

PJD7NA65_L2_00001

650V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

7,387 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Ta) 10V 1.5Ohm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 16.8 nC @ 10 V ±30V 754 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
PJD8NA50_L2_00001

PJD8NA50_L2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

3,545 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Ta) 10V 900mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 16.2 nC @ 10 V ±30V 826 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
PJD7NA65_R2_00001

PJD7NA65_R2_00001

650V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

9,563 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Ta) 10V 1.5Ohm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 16.8 nC @ 10 V ±30V 754 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
PJD7NA60_L2_00001

PJD7NA60_L2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

Panjit International Inc.

3,183 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Ta) 10V 1.2Ohm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 15.2 nC @ 10 V ±30V 723 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
NTMFS4C324NT1G

NTMFS4C324NT1G

TRENCH 6 30V NCH

onsemi

9,226 -
RFQ
NTMFS4C324NT1G

데이터시트

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 20.8 nC @ 4.5 V ±20V 3071 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
VP0550N3-G-P013

VP0550N3-G-P013

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

Microchip Technology

2,581 -
RFQ
VP0550N3-G-P013

데이터시트

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 54mA (Tj) 5V, 10V 125Ohm @ 10mA, 10V 4.5V @ 1mA - ±20V 70 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
IRLB3036PBFXKMA1

IRLB3036PBFXKMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

7,228 -
RFQ
IRLB3036PBFXKMA1

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11210 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SPB100N06S2L-05

SPB100N06S2L-05

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Infineon Technologies

2,398 -
RFQ
SPB100N06S2L-05

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 7530 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
IRF3704

IRF3704

MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB

Infineon Technologies

4,307 -
RFQ
IRF3704

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1996 pF @ 10 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFU3910

IRFU3910

MOSFET N-CH 100V 16A IPAK

Infineon Technologies

4,341 -
RFQ
IRFU3910

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Tc) 10V 115mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRF4905STRR

IRF4905STRR

MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK

Infineon Technologies

6,786 -
RFQ
IRF4905STRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 74A (Tc) 10V 20mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FDP047AN08A0-F102

FDP047AN08A0-F102

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

onsemi

2,905 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 15A (Tc) 6V, 10V - - - ±20V - - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPB60R199CPAATMA1

IPB60R199CPAATMA1

MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK

Infineon Technologies

8,167 -
RFQ
IPB60R199CPAATMA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 1.1mA 43 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 100 V - 139W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
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