FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
MCB150N06YB-TP

MCB150N06YB-TP

MOSFET N-CH 60V 150A D2PAK

Micro Commercial Co

8,925 -
RFQ
MCB150N06YB-TP

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 150A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 30 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFR8314TR

IRFR8314TR

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

UMW

8,216 -
RFQ
IRFR8314TR

데이터시트

* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 100µA - ±20V - - 125W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
TSM60NB600CF

TSM60NB600CF

600V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Taiwan Semiconductor Corporation

4,304 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 600mOhm @ 1.7A, 10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±30V 528 pF @ 100 V - 41.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220S
IRF3711Z

IRF3711Z

MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB

Infineon Technologies

2,875 -
RFQ
IRF3711Z

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 92A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±20V 2150 pF @ 10 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IXTY64N055T-TRL

IXTY64N055T-TRL

MOSFET N-CH 55V 64A TO252

Littelfuse Inc.

7,463 -
RFQ

-

Trench TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 13mOhm @ 32A, 10V 4V @ 25µA 37 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
IXTA80N10T-TRL

IXTA80N10T-TRL

MOSFET N-CH 100V 80A TO263

Littelfuse Inc.

2,690 -
RFQ

-

Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 14mOhm @ 25A, 10V 5V @ 100µA 60 nC @ 10 V ±20V 3040 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
AOTF25S65

AOTF25S65

MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3F

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5,062 -
RFQ
AOTF25S65

데이터시트

aMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 25A (Tc) 10V 190mOhm @ 12.5A, 10V 4V @ 250µA 26.4 nC @ 10 V ±30V 1278 pF @ 100 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
IPL65R165CFDAUMA2

IPL65R165CFDAUMA2

MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON

Infineon Technologies

7,242 -
RFQ
IPL65R165CFDAUMA2

데이터시트

CoolMOS™ CFD2 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 21.3A (Tc) 10V 165mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
SIE802DF-T1-E3

SIE802DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

3,025 -
RFQ
SIE802DF-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 23.6A, 10V 2.7V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 15 V - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
SIE802DF-T1-GE3

SIE802DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

Vishay Siliconix

7,398 -
RFQ
SIE802DF-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® 10-PolarPAK® (L) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 23.6A, 10V 2.7V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 15 V - 5.2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
MCB220N04Y-TP

MCB220N04Y-TP

MOSFET

Micro Commercial Co

9,917 -
RFQ
MCB220N04Y-TP

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 220A (Tc) 6V, 10V 1.5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 136 nC @ 10 V ±20V 7864 pF @ 25 V - 250W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF624

IRF624

MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB

Vishay Siliconix

9,389 -
RFQ
IRF624

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.4A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STP270N04

STP270N04

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

STMicroelectronics

7,194 -
RFQ
STP270N04

데이터시트

STripFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 7400 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRF6644TR1

IRF6644TR1

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

Infineon Technologies

5,805 -
RFQ
IRF6644TR1

데이터시트

HEXFET® DirectFET™ Isometric MN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 10V 13mOhm @ 10.3A, 10V 4.8V @ 150µA 47 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MN
IXTP48N20TM

IXTP48N20TM

MOSFET N-CH 200V 48A TO220

Littelfuse Inc.

5,444 -
RFQ

-

Trench TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 48A (Tc) 10V 50mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 3090 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
IXFA8N65X2

IXFA8N65X2

MOSFET N-CH 650V 8A TO263

Littelfuse Inc.

7,803 -
RFQ
IXFA8N65X2

데이터시트

HiPerFET™, Ultra X2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 450mOhm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 790 pF @ 25 V - 150W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFP4227PBFXKMA1

IRFP4227PBFXKMA1

TRENCH >=200V

Infineon Technologies

4,686 -
RFQ

-

HEXFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 65A (Tc) 10V 25mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4600 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB
NTBV5605T4G

NTBV5605T4G

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

onsemi

1 -
RFQ
NTBV5605T4G

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18.5A (Ta) 5V 140mOhm @ 8.5A, 5V 2V @ 250µA 22 nC @ 5 V ±20V 1190 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STS9NH3LL

STS9NH3LL

MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

STMicroelectronics

6,021 -
RFQ
STS9NH3LL

데이터시트

STripFET™ III 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 4.5A, 10V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±16V 857 pF @ 25 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Infineon Technologies

6,049 -
RFQ
IPB049N06L3GATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 58µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 8400 pF @ 30 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
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