단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
BY329-1000,127

BY329-1000,127

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC

NXP USA Inc.

3,770 -
RFQ
BY329-1000,127

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 1000 V 8A 1.85 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 135 ns 1 mA @ 800 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BY329-1200,127

BY329-1200,127

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

NXP USA Inc.

5,982 -
RFQ
BY329-1200,127

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 8A 1.85 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 135 ns 1 mA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BY329X-1500,127

BY329X-1500,127

DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220FP

NXP USA Inc.

8,601 -
RFQ
BY329X-1500,127

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Standard 1500 V 6A 1.45 V @ 6.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 230 ns - - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BY359-1500,127

BY359-1500,127

DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC

NXP USA Inc.

7,061 -
RFQ
BY359-1500,127

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 1500 V 10A 1.8 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 600 ns 100 µA @ 1300 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BY359X-1500,127

BY359X-1500,127

DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220FP

NXP USA Inc.

7,501 -
RFQ
BY359X-1500,127

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Standard 1500 V 10A 1.8 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 600 ns 100 µA @ 1300 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BY459-1500,127

BY459-1500,127

DIODE GEN PURP 1.5KV 12A TO220AC

NXP USA Inc.

6,322 -
RFQ
BY459-1500,127

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 1500 V 12A 1.3 V @ 6.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 350 ns - - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BY459X-1500S,127

BY459X-1500S,127

DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220FP

NXP USA Inc.

7,109 -
RFQ
BY459X-1500S,127

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Standard 1500 V 10A 1.35 V @ 6.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 220 ns 250 µA @ 1300 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
1N3611GP-E3/73

1N3611GP-E3/73

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,579 -
RFQ
1N3611GP-E3/73

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 200 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N3611GPHE3/73

1N3611GPHE3/73

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,568 -
RFQ
1N3611GPHE3/73

데이터시트

Superectifier® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 200 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V 8pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N3612GPHE3/73

1N3612GPHE3/73

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,103 -
RFQ
1N3612GPHE3/73

데이터시트

Superectifier® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 400 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N3613GPHE3/73

1N3613GPHE3/73

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,810 -
RFQ
1N3613GPHE3/73

데이터시트

Superectifier® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 600 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N3957GP-E3/73

1N3957GP-E3/73

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,744 -
RFQ
1N3957GP-E3/73

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 1000 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 1000 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N3957GPHE3/73

1N3957GPHE3/73

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,288 -
RFQ
1N3957GPHE3/73

데이터시트

Superectifier® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 1000 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 1000 V 8pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N4001GPEHE3/73

1N4001GPEHE3/73

DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,211 -
RFQ
1N4001GPEHE3/73

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 50 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 50 V 8pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N4001GPHE3/73

1N4001GPHE3/73

DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,193 -
RFQ
1N4001GPHE3/73

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 50 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 50 V 8pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N4002GPEHE3/73

1N4002GPEHE3/73

DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,329 -
RFQ
1N4002GPEHE3/73

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 100 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 100 V 8pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N4002GPHE3/73

1N4002GPHE3/73

DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,067 -
RFQ
1N4002GPHE3/73

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 100 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 100 V 8pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N4003GPHE3/73

1N4003GPHE3/73

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,347 -
RFQ
1N4003GPHE3/73

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 200 V 8pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N4004GPE-E3/73

1N4004GPE-E3/73

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,536 -
RFQ
1N4004GPE-E3/73

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 400 V 8pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
1N4004GPEHE3/73

1N4004GPEHE3/73

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,638 -
RFQ
1N4004GPEHE3/73

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 400 V 8pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
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