단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
BY359X-1500S,127

BY359X-1500S,127

DIODE GEN PURP 1.5KV 7A TO220FP

NXP USA Inc.

6,737 -
RFQ
BY359X-1500S,127

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Standard 1500 V 7A 2 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 350 ns 100 µA @ 1300 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BY459X-1500,127

BY459X-1500,127

DIODE GEN PURP 1.5KV 12A TO220FP

NXP USA Inc.

4,952 -
RFQ
BY459X-1500,127

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Standard 1500 V 12A 1.3 V @ 6.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 350 ns 250 µA @ 1300 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
STTH1R04

STTH1R04

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

STMicroelectronics

2,552 -
RFQ
STTH1R04

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 400 V 1A 1.5 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 400 V - - - Through Hole DO-41 175°C (Max)
FFPF10UP30STTU

FFPF10UP30STTU

DIODE GEN PURP 300V 10A TO220F

onsemi

3,903 -
RFQ
FFPF10UP30STTU

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Avalanche 300 V 10A 1.4 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 100 µA @ 300 V - - - Through Hole TO-220F-2L -65°C ~ 150°C
FFH60UP40S3

FFH60UP40S3

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247-3

onsemi

9,860 -
RFQ
FFH60UP40S3

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247-3 -65°C ~ 150°C
1N4447TR

1N4447TR

DIODE GEN PURP 100V DO35

onsemi

3,592 -
RFQ

-

- DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
1N462A

1N462A

DIODE GEN PURP DO35

onsemi

2,381 -
RFQ

-

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Obsolete Standard - - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Through Hole DO-35 -
BAY80

BAY80

DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

onsemi

7,131 -
RFQ

-

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Obsolete Standard 150 V 200mA 1 V @ 150 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 60 ns 100 nA @ 120 V 6pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
RURD420S9A

RURD420S9A

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252AA

onsemi

2,509 -
RFQ
RURD420S9A

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete Avalanche 200 V 4A 1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 100 µA @ 200 V - - - Surface Mount TO-252AA -65°C ~ 175°C
CRF03(TE85L,Q,M)

CRF03(TE85L,Q,M)

DIODE GEN PURP 600V 700MA S-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

5,154 -
RFQ

-

- SOD-123F Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 700mA 2 V @ 700 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) -40°C ~ 150°C
U1GWJ49(TE12L,F)

U1GWJ49(TE12L,F)

DIODE SCHOTTKY 40V 1A PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

8,245 -
RFQ
U1GWJ49(TE12L,F)

데이터시트

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 1A 550 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V - - - Surface Mount PW-MINI -40°C ~ 125°C
DSF07S30U(TPH3,F)

DSF07S30U(TPH3,F)

DIODE SCHOTTKY 30V 700MA USC

Toshiba Semiconductor and Storage

7,763 -
RFQ
DSF07S30U(TPH3,F)

데이터시트

- SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 700mA 450 mV @ 700 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 30 V 170pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount USC 125°C (Max)
DSF05S30U(TPH3,F)

DSF05S30U(TPH3,F)

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC

Toshiba Semiconductor and Storage

4,079 -
RFQ
DSF05S30U(TPH3,F)

데이터시트

- SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 500mA 450 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - - - Surface Mount USC 125°C (Max)
FFPF30UP20STTU

FFPF30UP20STTU

DIODE GEN PURP 200V 30A TO220F

onsemi

3,107 -
RFQ
FFPF30UP20STTU

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Avalanche 200 V 30A 1.15 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220F-2L -65°C ~ 150°C
BAS4002S02LRHE6327XTSA1

BAS4002S02LRHE6327XTSA1

DIODE SCHOTT 40V 200MA TSLP-2-17

Infineon Technologies

9,297 -
RFQ
BAS4002S02LRHE6327XTSA1

데이터시트

- SOD-882 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 200mA 550 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 µA @ 40 V 12pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount PG-TSLP-2-17 -55°C ~ 150°C
BAT 54W E6327

BAT 54W E6327

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323

Infineon Technologies

3,166 -
RFQ
BAT 54W E6327

데이터시트

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 200mA 800 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 5 ns 2 µA @ 25 V 10pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-SOT323 150°C (Max)
IDD04SG60CXTMA1

IDD04SG60CXTMA1

DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31

Infineon Technologies

9,941 -
RFQ
IDD04SG60CXTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 5.6A 2.3 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 600 V 80pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3-11 -55°C ~ 175°C
IDD05SG60CXTMA1

IDD05SG60CXTMA1

DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3

Infineon Technologies

6,204 -
RFQ
IDD05SG60CXTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 5A 2.3 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 600 V 110pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDD06SG60CXTMA1

IDD06SG60CXTMA1

DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3

Infineon Technologies

7,200 -
RFQ
IDD06SG60CXTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 6A 2.3 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDD08SG60CXTMA1

IDD08SG60CXTMA1

DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3

Infineon Technologies

7,387 -
RFQ
IDD08SG60CXTMA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 8A 2.1 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 600 V 240pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
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