단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
BAS216,135

BAS216,135

DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD110

NXP USA Inc.

9,723 -
RFQ
BAS216,135

데이터시트

- SOD-110 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 75 V 250mA 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 1 µA @ 75 V 1.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOD-110 150°C (Max)
1N5712

1N5712

RF DIODE SCHOTTKY 20V 250MW

Broadcom Limited

5,967 -
RFQ
1N5712

데이터시트

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Obsolete Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 1.2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole - -65°C ~ 200°C
1N5712#T25

1N5712#T25

SCHOTTKY 20V 250MW

Broadcom Limited

6,665 -
RFQ
1N5712#T25

데이터시트

- DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 1.2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole - -65°C ~ 200°C
CSD02060A

CSD02060A

DIODE SIL CARB 600V 3.5A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

5,425 -
RFQ

-

Zero Recovery™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 3.5A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 120pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
CSD02060G

CSD02060G

DIODE SIL CARB 600V 3.5A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

5,130 -
RFQ

-

Zero Recovery™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 3.5A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 120pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
CSD04060E

CSD04060E

DIODE SIL CARB 600V 7A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

7,378 -
RFQ

-

Zero Recovery™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 7A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 220pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
CSD06060A

CSD06060A

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

3,497 -
RFQ

-

Zero Recovery™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 340pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
CSD06060G

CSD06060G

DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

9,355 -
RFQ

-

Zero Recovery™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 340pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
CSD10060A

CSD10060A

DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

2,282 -
RFQ

-

- TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 16.5A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 550pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
CSD10060G

CSD10060G

DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO263

Wolfspeed, Inc.

5,344 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 16.5A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 550pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C2D05120A

C2D05120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

9,877 -
RFQ

-

Zero Recovery™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17.5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 455pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C2D10120A

C2D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 31A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

7,352 -
RFQ

-

Zero Recovery™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 31A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1000pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
BAS16WE6433HTMA1

BAS16WE6433HTMA1

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323

Infineon Technologies

5,131 -
RFQ
BAS16WE6433HTMA1

데이터시트

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 80 V 250mA 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 1 µA @ 75 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount PG-SOT323 150°C (Max)
BAT 60B E6433

BAT 60B E6433

DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323-2

Infineon Technologies

9,597 -
RFQ
BAT 60B E6433

데이터시트

- SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 10 V 3A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 8 V 30pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount PG-SOD323-3D 150°C (Max)
IDH04S60CAKSA1

IDH04S60CAKSA1

DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2

Infineon Technologies

6,593 -
RFQ
IDH04S60CAKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 1.9 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH05S60CAKSA1

IDH05S60CAKSA1

DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-2

Infineon Technologies

2,175 -
RFQ
IDH05S60CAKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 5A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 600 V 240pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH08S60CAKSA1

IDH08S60CAKSA1

DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2

Infineon Technologies

5,098 -
RFQ
IDH08S60CAKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 600 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH12S60CAKSA1

IDH12S60CAKSA1

DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2

Infineon Technologies

8,966 -
RFQ
IDH12S60CAKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 160 µA @ 600 V 530pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH16S60CAKSA1

IDH16S60CAKSA1

DIODE SIL CARB 600V 16A TO220-2

Infineon Technologies

3,535 -
RFQ
IDH16S60CAKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 650pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
MMBD914LT3HTMA1

MMBD914LT3HTMA1

DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23

Infineon Technologies

4,777 -
RFQ
MMBD914LT3HTMA1

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 250mA 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 75 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount PG-SOT23 150°C (Max)
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