단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
FES16GT

FES16GT

DIODE GEN PURP 400V 16A TO220-2

onsemi

7,827 -
RFQ
FES16GT

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 400 V 16A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V 170pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
FES16DTR

FES16DTR

DIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2

onsemi

4,036 -
RFQ
FES16DTR

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 200 V 16A 950 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 170pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
FES16JTR

FES16JTR

DIODE GEN PURP 600V 16A TO220-2

onsemi

2,697 -
RFQ
FES16JTR

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 16A 1.5 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V 145pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
FES16FT

FES16FT

DIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2

onsemi

7,379 -
RFQ
FES16FT

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 300 V 16A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 300 V 170pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
FES16DT

FES16DT

DIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2

onsemi

2,805 -
RFQ
FES16DT

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 200 V 16A 950 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 170pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
ISL9R460P2

ISL9R460P2

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220-2

onsemi

5,886 -
RFQ
ISL9R460P2

데이터시트

Stealth™ TO-220-2 Tube Obsolete Avalanche 600 V 4A 2.4 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 22 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2L

onsemi

3,017 -
RFQ
ISL9R460PF2

데이터시트

Stealth™ TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Avalanche 600 V 4A 2.4 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 22 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220F-2L -55°C ~ 150°C
ISL9R860PF2

ISL9R860PF2

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L

onsemi

3,429 -
RFQ
ISL9R860PF2

데이터시트

Stealth™ TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Avalanche 600 V 8A 2.4 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220F-2L -55°C ~ 150°C
FFPF05U120STU

FFPF05U120STU

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220F

onsemi

6,091 -
RFQ
FFPF05U120STU

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Avalanche 1200 V 5A 3.5 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 5 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220F-2L -65°C ~ 150°C
FFPF05U120STTU

FFPF05U120STTU

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220F

onsemi

2,172 -
RFQ
FFPF05U120STTU

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Avalanche 1200 V 5A 3.5 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 5 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220F-2L -65°C ~ 150°C
FFPF10U120STU

FFPF10U120STU

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220F

onsemi

6,586 -
RFQ
FFPF10U120STU

데이터시트

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Avalanche 1200 V 10A 3.5 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 10 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220F-2L -65°C ~ 150°C
ISL9R1560PF2

ISL9R1560PF2

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F

onsemi

8,416 -
RFQ
ISL9R1560PF2

데이터시트

Stealth™ TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Avalanche 600 V 15A 2.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220F-2L -55°C ~ 150°C
RHRP3060

RHRP3060

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2L

onsemi

4,321 -
RFQ
RHRP3060

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 30A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2L -65°C ~ 175°C
ISL9R18120P2

ISL9R18120P2

DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220-2

onsemi

2,359 -
RFQ
ISL9R18120P2

데이터시트

Stealth™ TO-220-2 Tube Obsolete Avalanche 1200 V 18A 3.3 V @ 18 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 150°C
RUR1S1560S9A

RUR1S1560S9A

DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK

onsemi

4,830 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 15A 1.5 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
ISL9R1560G2

ISL9R1560G2

DIODE GEN PURP 600V 15A TO247-2

onsemi

7,076 -
RFQ

-

Stealth™ TO-247-2 Tube Obsolete Avalanche 600 V 15A 2.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
ISL9R1560S3ST

ISL9R1560S3ST

DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK

onsemi

2,891 -
RFQ

-

Stealth™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Avalanche 600 V 15A 2.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
ISL9R18120G2

ISL9R18120G2

DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247-2

onsemi

7,225 -
RFQ
ISL9R18120G2

데이터시트

Stealth™ TO-247-2 Tube Obsolete Avalanche 1200 V 18A 3.3 V @ 18 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 150°C
RHRG75120

RHRG75120

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247-2

onsemi

9,456 -
RFQ
RHRG75120

데이터시트

- TO-247-2 Tube Obsolete Avalanche 1200 V 75A 3.2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
FJH1102

FJH1102

DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35

onsemi

7,602 -
RFQ
FJH1102

데이터시트

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Obsolete Standard 25 V 150mA 1.1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 pA @ 25 V 3.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
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