게이트 드라이버

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

게이트 드라이버

게이트 드라이버는 MOSFET, IGBT, GaN 또는 SiC 소자와 같은 전력 스위치의 게이트를 제어하는 데 사용되는 전원 관리 IC입니다. 빠른 스위칭, 레벨 시프팅, 절연, 보호 기능, 구동 전류 제어를 제공하며 모터 드라이브, 전원 공급 장치, 인버터, 산업 자동화, 자동차 전장, 재생 에너지 시스템, 고효율 전력 변환 설계에 널리 사용됩니다.

TomatoElec는 독립 전자 부품 유통업체로서 Texas Instruments, Analog Devices, STMicroelectronics, onsemi, Infineon, Microchip, Renesas, NXP, Diodes Incorporated, Monolithic Power Systems 등 주요 제조사의 게이트 드라이버 IC를 공급할 수 있습니다. 고객은 아래 제품 목록에서 inventory, price, package, specifications, parameters and PDF datasheets를 확인하고, BOM 또는 RFQ를 제출하여 게이트 드라이버 소싱 문의를 진행할 수 있습니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IR2108

IR2108

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2108

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.9V 200mA, 350mA Non-Inverting 600 V 150ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2110

IR2110

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2110

데이터시트

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 3.3V ~ 20V 6V, 9.5V 2A, 2A Non-Inverting 500 V 25ns, 17ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 14-DIP
IR2112

IR2112

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2112

데이터시트

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified High-Side or Low-Side Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 6V, 9.5V 250mA, 500mA Non-Inverting 600 V 80ns, 40ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 14-DIP
IR2113

IR2113

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2113

데이터시트

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 3.3V ~ 20V 6V, 9.5V 2A, 2A Non-Inverting 600 V 25ns, 17ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 14-DIP
IR2117

IR2117

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2117

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified High-Side Single 1 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 6V, 9.5V 250mA, 500mA Non-Inverting 600 V 80ns, 40ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2125

IR2125

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2125

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified High-Side Single 1 IGBT, N-Channel MOSFET 0V ~ 18V 0.8V, 2.2V 1.6A, 3.3A Non-Inverting 500 V 43ns, 26ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2127

IR2127

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2127

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified High-Side or Low-Side Single 1 IGBT, N-Channel MOSFET 12V ~ 20V 0.8V, 3V 250mA, 500mA Non-Inverting 600 V 80ns, 40ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2130

IR2130

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2130

데이터시트

- 28-DIP (0.600", 15.24mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge 3-Phase 6 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.2V 250mA, 500mA Inverting 600 V 80ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 28-PDIP
IR2133J

IR2133J

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2133J

데이터시트

- 44-LCC (J-Lead), 32 Leads Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge 3-Phase 6 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.2V 250mA, 500mA Inverting 600 V 90ns, 40ns 125°C (TJ) - - Surface Mount 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
IR2153

IR2153

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2153

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 N-Channel MOSFET 10V ~ 15.6V - - RC Input Circuit 600 V 80ns, 40ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2233J

IR2233J

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2233J

데이터시트

- 44-LCC (J-Lead), 32 Leads Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge 3-Phase 6 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2V 250mA, 500mA Inverting 1200 V 90ns, 40ns 125°C (TJ) - - Surface Mount 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
TPIC46L03DB

TPIC46L03DB

IC GATE DRVR LOW-SIDE 28SSOP

Texas Instruments

0 -
RFQ
TPIC46L03DB

데이터시트

- 28-SSOP (0.209", 5.30mm Width) Tube Obsolete Not Verified Low-Side Independent 6 N-Channel MOSFET 4.5V ~ 5.5V - 1.2mA, 1.2mA Non-Inverting - 3.5µs, 3µs -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 28-SSOP
IR2101S

IR2101S

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2101S

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Non-Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IR2102

IR2102

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2102

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2102S

IR2102S

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2102S

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IR2103

IR2103

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2103

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Inverting, Non-Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2103S

IR2103S

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2103S

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Inverting, Non-Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IR2104STR

IR2104STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2104STR

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Non-Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IR2106S

IR2106S

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2106S

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.9V 200mA, 350mA Non-Inverting 600 V 150ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
98-0255

98-0255

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
98-0255

데이터시트

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.9V 200mA, 350mA Non-Inverting 600 V 150ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 14-DIP
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