게이트 드라이버

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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모두 적용
결과

게이트 드라이버

게이트 드라이버는 MOSFET, IGBT, GaN 또는 SiC 소자와 같은 전력 스위치의 게이트를 제어하는 데 사용되는 전원 관리 IC입니다. 빠른 스위칭, 레벨 시프팅, 절연, 보호 기능, 구동 전류 제어를 제공하며 모터 드라이브, 전원 공급 장치, 인버터, 산업 자동화, 자동차 전장, 재생 에너지 시스템, 고효율 전력 변환 설계에 널리 사용됩니다.

TomatoElec는 독립 전자 부품 유통업체로서 Texas Instruments, Analog Devices, STMicroelectronics, onsemi, Infineon, Microchip, Renesas, NXP, Diodes Incorporated, Monolithic Power Systems 등 주요 제조사의 게이트 드라이버 IC를 공급할 수 있습니다. 고객은 아래 제품 목록에서 inventory, price, package, specifications, parameters and PDF datasheets를 확인하고, BOM 또는 RFQ를 제출하여 게이트 드라이버 소싱 문의를 진행할 수 있습니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
1SP0635V2M1-5SNA1500E330300

1SP0635V2M1-5SNA1500E330300

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
RFQ

-

SCALE™-2 Module Box Active Not Verified High-Side or Low-Side Single 1 IGBT 14.5V ~ 15.5V - 35A, 35A - - 9ns, 30ns -40°C ~ 85°C (TA) - - Chassis Mount Module
1SP0635V2M1-CM1200HC-66H

1SP0635V2M1-CM1200HC-66H

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
RFQ

-

SCALE™-2 Module Box Active Not Verified High-Side or Low-Side - 1 IGBT 14.5V ~ 15.5V - 35A, 35A - - 9ns, 30ns -40°C ~ 85°C (TA) - - Chassis Mount Module
VLA553-01R

VLA553-01R

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE OCTAPAK

Powerex Inc.

0 -
RFQ
VLA553-01R

데이터시트

- Module Bulk Discontinued at Digi-Key Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT 14.2V ~ 15.8V - 24A, 24A Non-Inverting - - -25°C ~ 70°C (TA) - - Chassis Mount OctaPAK 7+1
VLA553-02R

VLA553-02R

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE

Powerex Inc.

0 -
RFQ
VLA553-02R

데이터시트

- Module Bulk Discontinued at Digi-Key Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT 14.2V ~ 15.8V - 24A, 24A Non-Inverting - - -25°C ~ 70°C (TA) - - Chassis Mount Module
1SP0335V2M1-33

1SP0335V2M1-33

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
RFQ
1SP0335V2M1-33

데이터시트

SCALE™-2 Module Bulk Active Not Verified High-Side or Low-Side Single 1 IGBT 23.5V ~ 26.5V - 35A, 35A - 3300 V 9ns, 30ns -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount Module
62EM1-00001

62EM1-00001

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE

Microchip Technology

0 -
RFQ
62EM1-00001

데이터시트

- Module Bulk Obsolete Verified Half-Bridge Single 2 N-Channel MOSFET 14V ~ 16V 4V, 1.25V, 10V, 3.5V 20A, 20A Non-Inverting - 80ns, 90ns -40°C ~ 85°C (TA) - - Chassis Mount Module
1SP0635V2M1-25

1SP0635V2M1-25

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE

Power Integrations

0 -
RFQ
1SP0635V2M1-25

데이터시트

SCALE™-2 Module Box Active Not Verified High-Side or Low-Side Single 1 IGBT 14.5V ~ 15.5V - 35A, 35A - 2500 V 9ns, 30ns -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount Module
HPFM-00117

HPFM-00117

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE

Microchip Technology

0 -
RFQ
HPFM-00117

데이터시트

- Module Bulk Active Not Verified Half-Bridge Independent 1 IGBT 14.5V ~ 16V - 30A, 30A Non-Inverting - 600ns, 350ns -40°C ~ 85°C - - Chassis Mount Module
LT1162CN

LT1162CN

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24DIP

Analog Devices Inc.

0 -
RFQ
LT1162CN

데이터시트

- 24-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 4 N-Channel MOSFET 10V ~ 15V 0.8V, 2V 1.5A, 1.5A Non-Inverting 60 V 130ns, 60ns 0°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole 24-PDIP
LT1162IN

LT1162IN

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24DIP

Analog Devices Inc.

0 -
RFQ
LT1162IN

데이터시트

- 24-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 4 N-Channel MOSFET 10V ~ 15V 0.8V, 2V 1.5A, 1.5A Non-Inverting 60 V 130ns, 60ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Through Hole 24-PDIP
ICL7667CPA

ICL7667CPA

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Renesas Electronics Corporation

0 -
RFQ
ICL7667CPA

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 N-Channel MOSFET 4.5V ~ 15V 0.8V, 2V - Inverting - 20ns, 20ns 0°C ~ 70°C (TA) - - Through Hole 8-PDIP
IR2104S

IR2104S

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2104S

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Non-Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
LTC1154CN8

LTC1154CN8

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

Analog Devices Inc.

0 -
RFQ
LTC1154CN8

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active Not Verified High-Side Single 1 N-Channel MOSFET 4.5V ~ 18V 0.8V, 2V - Non-Inverting - - 0°C ~ 70°C (TA) - - Through Hole 8-PDIP
LMD18400N/NOPB

LMD18400N/NOPB

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20DIP

Texas Instruments

0 -
RFQ
LMD18400N/NOPB

데이터시트

- 20-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified High-Side Independent 4 N-Channel MOSFET 7V ~ 28V 0.8V, 2V 3A, 3A Non-Inverting - - -25°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 20-PDIP
98-0247

98-0247

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
98-0247

데이터시트

- 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 3.3V ~ 20V 6V, 9.5V 2A, 2A Non-Inverting 600 V 25ns, 17ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
IXBD4410PI

IXBD4410PI

IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP

IXYS

0 -
RFQ

-

ISOSMART™ 16-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Low-Side Single 1 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 10V ~ 20V 1V, 3.65V 2A, 2A Non-Inverting 1200 V 15ns, 15ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 16-DIP
IR2101

IR2101

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2101

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Non-Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2104

IR2104

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2104

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Non-Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2106

IR2106

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2106

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.9V 200mA, 350mA Non-Inverting 600 V 150ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR2108

IR2108

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2108

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.9V 200mA, 350mA Non-Inverting 600 V 150ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
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