FET, MOSFET 어레이

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 구성 FET 기능 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds 전력 - 최대 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 구성 FET 기능 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds 전력 - 최대 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
MCH6646-TL-E

MCH6646-TL-E

NCH+NCH 1.8 DRIVE SERIES

onsemi

5,853,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
NTND31211PZTAG

NTND31211PZTAG

MOSFET P-CH

onsemi

597,651 -
RFQ
NTND31211PZTAG

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
PMDPB95XNE,115

PMDPB95XNE,115

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON

NXP USA Inc.

9,491 -
RFQ
PMDPB95XNE,115

데이터시트

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.4A 120mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V 143pF @ 15V 475mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-HUSON (2x2)
FDY2001PZ

FDY2001PZ

MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT563F

Fairchild Semiconductor

161,335 -
RFQ
FDY2001PZ

데이터시트

PowerTrench® SOT-563, SOT-666 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 150mA 8Ohm @ 150mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.4nC @ 4.5V 100pF @ 10V 446mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563F
6LN04CH-TL-E-ON

6LN04CH-TL-E-ON

MOSFET N-CH

onsemi

72,000 -
RFQ
6LN04CH-TL-E-ON

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
SCH2806-TL-E

SCH2806-TL-E

NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

onsemi

40,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2SK443-6-TB-E-ON

2SK443-6-TB-E-ON

PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON

onsemi

16,500 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
6LN04CH-TL-E

6LN04CH-TL-E

MOSFET N-CH

Sanyo

15,000 -
RFQ
6LN04CH-TL-E

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2SK443-6-TB-E

2SK443-6-TB-E

PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON

Sanyo

5,520 -
RFQ
2SK443-6-TB-E

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
PMCXB900UEZ

PMCXB900UEZ

MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN

NXP Semiconductors

1,679,901 -
RFQ
PMCXB900UEZ

데이터시트

TrenchFET® 6-XFDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Complementary Logic Level Gate 20V 600mA, 500mA 620mOhm @ 600mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.7nC @ 4.5V 21.3pF @ 10V 265mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1010B-6
PMDXB1200UPEZ

PMDXB1200UPEZ

MOSFET 30V

NXP Semiconductors

1,046,148 -
RFQ
PMDXB1200UPEZ

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
SCH2819-P-TL-H

SCH2819-P-TL-H

NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

855,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
CPH5617-TL-E

CPH5617-TL-E

MOSFET 2N-CH 30V 0.15A 5CPH

onsemi

3,417 -
RFQ
CPH5617-TL-E

데이터시트

- 5-SMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 150mA 3.7Ohm @ 80mA, 4V - 1.58nC @ 10V 7pF @ 10V 250mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-CPH
SCH2408-TL-E

SCH2408-TL-E

MOSFET N-CH

Sanyo

200,000 -
RFQ
SCH2408-TL-E

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
6HN04SS-TL-H

6HN04SS-TL-H

MOSFET N-CH

Sanyo

136,000 -
RFQ
6HN04SS-TL-H

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
MCH6630-TL-E-ON

MCH6630-TL-E-ON

MOSFET N-CH

onsemi

93,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
SCH2401-TL-E

SCH2401-TL-E

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

85,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
MCH6630-TL-E

MCH6630-TL-E

MOSFET N-CH

Sanyo

30,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
SCH2408-TL-E-ON

SCH2408-TL-E-ON

MOSFET N-CH

onsemi

30,000 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
MCH6634-TL-E

MCH6634-TL-E

PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

5,875 -
RFQ

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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