FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFR1N60APBF

IRFR1N60APBF

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

Vishay Siliconix

3,041 -
RFQ
IRFR1N60APBF

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.4A (Tc) 10V 7Ohm @ 840mA, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 229 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
FDPF18N20FT

FDPF18N20FT

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

onsemi

1,950 -
RFQ
FDPF18N20FT

데이터시트

UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±30V 1180 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
IRFU9214PBF

IRFU9214PBF

MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA

Vishay Siliconix

1,395 -
RFQ
IRFU9214PBF

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.7A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.7A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 220 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
IRFZ20PBF-BE3

IRFZ20PBF-BE3

MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB

Vishay Siliconix

459 -
RFQ
IRFZ20PBF-BE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 15A (Tc) - 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SISS32ADN-T1-GE3

SISS32ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

Vishay Siliconix

12,776 -
RFQ
SISS32ADN-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 17.4A (Ta), 63A (Tc) 7.5V, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V 3.6V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 40 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
FCD4N60TM

FCD4N60TM

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

onsemi

10,172 -
RFQ
FCD4N60TM

데이터시트

SuperFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.9A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 16.6 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
BUK768R1-40E,118

BUK768R1-40E,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Nexperia USA Inc.

4,672 -
RFQ
BUK768R1-40E,118

데이터시트

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 7.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 1730 pF @ 25 V - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
IPA95R1K2P7XKSA1

IPA95R1K2P7XKSA1

MOSFET N-CH 950V 6A TO220

Infineon Technologies

484 -
RFQ
IPA95R1K2P7XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 15 nC @ 10 V ±20V 478 pF @ 400 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

8,924 -
RFQ
TPH8R008NH,L1Q

데이터시트

U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 34A (Tc) 10V 8mOhm @ 17A, 10V 4V @ 500µA 35 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 40 V - 1.6W (Ta), 61W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
IRFB7537PBF

IRFB7537PBF

MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB

Infineon Technologies

3,801 -
RFQ
IRFB7537PBF

데이터시트

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 173A (Tc) 6V, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 150µA 210 nC @ 10 V ±20V 7020 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFH7004TRPBF

IRFH7004TRPBF

MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN

Infineon Technologies

3,690 -
RFQ
IRFH7004TRPBF

데이터시트

HEXFET®, StrongIRFET™ 8-VQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 6V, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 150µA 194 nC @ 10 V ±20V 6419 pF @ 25 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
IRFBE20PBF

IRFBE20PBF

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB

Vishay Siliconix

1,480 -
RFQ
IRFBE20PBF

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.8A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STD11N60DM2

STD11N60DM2

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

STMicroelectronics

1,354 -
RFQ
STD11N60DM2

데이터시트

MDmesh™ DM2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 420mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±25V 614 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SQJ488EP-T1_BE3

SQJ488EP-T1_BE3

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,700 -
RFQ
SQJ488EP-T1_BE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 7.1A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 978 pF @ 50 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,878 -
RFQ
SQJ488EP-T1_GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 7.4A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 979 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,662 -
RFQ
SQJ403EP-T1_GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 109 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 15 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQJ182EP-T1_GE3

SQJ182EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

Vishay Siliconix

3,000 -
RFQ
SQJ182EP-T1_GE3

데이터시트

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 210A (Tc) 10V 5mOhm @ 15A, 10V 3.5V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±20V 5392 pF @ 25 V - 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQR70090ELR_GE3

SQR70090ELR_GE3

MOSFET N-CH 100V 86A DPAK

Vishay Siliconix

1,788 -
RFQ
SQR70090ELR_GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 86A (Tc) 4.5V, 10V 8.7mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
SUD70090E-GE3

SUD70090E-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO252

Vishay Siliconix

1,418 -
RFQ
SUD70090E-GE3

데이터시트

ThunderFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 50A (Tc) 7.5V, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
RSS100N03HZGTB

RSS100N03HZGTB

NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS

Rohm Semiconductor

904 -
RFQ
RSS100N03HZGTB

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4V, 10V 13.3mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 20 nC @ 5 V ±20V 1070 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
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