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FET, MOSFET
FET 및 MOSFET
TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.
당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | FET 유형 | 기술 | 드레인-소스 전압(Vdss) | 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs | Vgs(th) (최대) @ Id | 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs | Vgs (최대) | 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds | FET 기능 | 전력 소모(최대) | 작동 온도 | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MSC400SMA330B4NMOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247 |
8,045 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 11A (Tc) | 20V | 520mOhm @ 5A, 20V | 2.97V @ 1mA | 37 nC @ 20 V | +23V, -10V | 579 pF @ 2.4 kV | - | 131W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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MSC011SMC120D/SMOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE |
7,006 | - |
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- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC011SMB120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 11 MOHM, 7LD T |
8,897 | - |
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- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC080SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM DIE |
5,464 | - |
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- |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC040SMA120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263 |
6,632 | - |
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데이터시트 |
mSiC™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 68A (Tc) | 18V, 20V | 50mOhm @ 40A, 20V | 2.7V @ 2mA | 137 nC @ 20 V | +23V, -10V | 1962 pF @ 1000 V | - | 338W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
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MSC011SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE |
6,768 | - |
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- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC060SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 60 MOHM DIE |
3,943 | - |
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- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC040SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM DIE |
5,413 | - |
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- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC025SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 25 MOHM DIE |
5,237 | - |
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- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC080SMA330B4NMOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247- |
7,947 | - |
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데이터시트 |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 41A (Tc) | 20V | 105mOhm @ 30A, 20V | 2.97V @ 3mA | 55 nC @ 20 V | +23V, -10V | 3462 pF @ 2.4 kV | - | 381W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
|
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IGLT65R055D2GAN TRANSISTOR 650 V G5 |
6,023 | - |
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- |
CoolGaN™ | 16-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | 6.6 nC @ 3 V | -10V | 330 pF @ 400 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-16-8 |
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|
IGLT65R045D2GAN TRANSISTOR 650 V G5 |
4,276 | - |
|
- |
CoolGaN™ | 16-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 38A (Tc) | - | - | 1.6V @ 3.3mA | 8.4 nC @ 3 V | -10V | 420 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-16-8 |
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|
SCT2H12NWBTL1SICFET N-CH 1700V 4A TO268 |
9,309 | - |
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- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
SCT2750NWCTL1SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268 |
7,718 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
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C3M00160120DSIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I |
8,663 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
C3M0900170DSICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3 |
2,164 | - |
|
- |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1700 V | 6.3A | - | - | - | - | - | - | - | - | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
C3M0900170J-TRSICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7 |
6,829 | - |
|
- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1700 V | 6.3A | - | - | - | - | - | - | - | - | 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
|
|
C3M0900170JSICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK |
9,653 | - |
|
- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Bulk | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1700 V | 6.3A | - | - | - | - | - | - | - | - | 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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NTC160N120SC1SILICON CARBIDE MOSFET, CHANNEL, |
9,778 | - |
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데이터시트 |
- | Die | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 17A (Tc) | 20V | 224mOhm @ 12A, 20V | 4.3V @ 2.5mA | 34 nC @ 20 V | +25V, -15V | 665 pF @ 800 V | - | 119W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Die |
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NVD6828NLT4GSINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 90 |
9,934 | - |
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데이터시트 |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 90 V | 8.7A (Ta), 41A (Tc) | 4.5V, 10V | 20mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 2900 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 83W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | DPAK |
