FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF7726TRPBFXTMA1

IRF7726TRPBFXTMA1

MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

Infineon Technologies

7,277 -
RFQ

-

HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 2204 pF @ 25 V - 1.79W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
STP70NS04ZC

STP70NS04ZC

MOSFET N-CH 33V 80A TO220AB

STMicroelectronics

8,254 -
RFQ
STP70NS04ZC

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 33 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±20V 1930 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
EKG1020

EKG1020

LOW RON MOSFET 100V/20A/0.033

Sanken Electric USA Inc.

9,442 -
RFQ
EKG1020

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FKV660S

FKV660S

MOSFET 60V/60A/0.011

Sanken Electric USA Inc.

4,446 -
RFQ
FKV660S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Ta) 10V 7.35mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA - ±20V 2500 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-220S
FKG1020

FKG1020

LOW RON MOSFET 100V/20A/0.033

Sanken Electric USA Inc.

7,905 -
RFQ
FKG1020

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 75mOhm @ 8.5A, 10V 2.5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 10 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
MCT04N10-TP

MCT04N10-TP

Interface

Micro Commercial Co

8,187 -
RFQ
MCT04N10-TP

데이터시트

- TO-261-4, TO-261AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.7A 10V 140mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 15.5 nC @ 10 V ±20V 690 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-223
SI2302A-TP-HF

SI2302A-TP-HF

Interface

Micro Commercial Co

7,222 -
RFQ
SI2302A-TP-HF

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A 2.5V, 4.5V 72mOhm @ 3.6A, 4.5V 1.2V @ 50µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 237 pF @ 10 V - 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
SI2305-TP-HF

SI2305-TP-HF

Interface

Micro Commercial Co

9,547 -
RFQ
SI2305-TP-HF

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 4.1A (Ta) 1.8V, 4.5V 90mOhm @ 2A, 1.8V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V 740 pF @ 4 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
SI3407-TP-HF

SI3407-TP-HF

Interface

Micro Commercial Co

8,070 -
RFQ
SI3407-TP-HF

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.1A (Ta) 10V 87mOhm @ 2.9A, 4.5V 3V @ 250µA - ±20V 700 pF @ 15 V - 350mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
SI3420A-TP-HF

SI3420A-TP-HF

Interface

Micro Commercial Co

9,711 -
RFQ
SI3420A-TP-HF

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6A 2.5V, 4.5V 28mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±10V 515 pF @ 10 V - 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
2N7002-TP-HF

2N7002-TP-HF

Interface

Micro Commercial Co

6,344 -
RFQ
2N7002-TP-HF

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 340mA (Ta) 4.5V, 10V 2.5Ohm @ 300mA, 10V 2.5V @ 250µA 1.7 nC @ 10 V ±20V 35 pF @ 25 V - 1.08W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
BSS138A-TP-HF

BSS138A-TP-HF

Interface

Micro Commercial Co

8,587 -
RFQ
BSS138A-TP-HF

데이터시트

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 220mA 4.5V, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V 1.45V @ 250µA - ±20V 22.8 pF @ 25 V - 350mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
AOUS66620

AOUS66620

N

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5,906 -
RFQ
AOUS66620

데이터시트

AlphaSGT™ 3-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 19.5A (Ta), 46A (Tc) 8V, 10V 9mOhm @ 20A, 10V 3.6V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 1070 pF @ 30 V - 6.2W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount UltraSO-8™
AOUS66920

AOUS66920

N

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

9,767 -
RFQ
AOUS66920

데이터시트

AlphaSGT™ 3-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19.5A (Ta), 69A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 50 V - 6.2W (Ta), 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount UltraSO-8™
CSD13202Q2T

CSD13202Q2T

PROTOTYPE

Texas Instruments

5,116 -
RFQ
CSD13202Q2T

데이터시트

NexFET™ 6-WDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 14.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 9.3mOhm @ 5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 6.6 nC @ 4.5 V ±8V 997 pF @ 6 V - 2.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WSON (2x2)
CSD16342Q5AT

CSD16342Q5AT

PROTOTYPE

Texas Instruments

2,282 -
RFQ
CSD16342Q5AT

데이터시트

NexFET™ 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 21A (Ta), 100A (Tc) 2.5V, 8V 4.7mOhm @ 20A, 8V 1.1V @ 250µA 7.1 nC @ 4.5 V +10V, -8V 1350 pF @ 12.5 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON (5x6)
CSD16323Q3T

CSD16323Q3T

PROTOTYPE

Texas Instruments

2,063 -
RFQ
CSD16323Q3T

데이터시트

NexFET™ 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 20A (Ta), 105A (Tc) 3V, 8V 4.5mOhm @ 24A, 8V 1.4V @ 250µA 8.4 nC @ 4.5 V +10V, -8V 1300 pF @ 12.5 V - 2.8W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
TN2130MF-G-VAO

TN2130MF-G-VAO

MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MO

Microchip Technology

9,470 -
RFQ
TN2130MF-G-VAO

데이터시트

- 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 85mA (Tj) 4.5V 25Ohm @ 120mA, 4.5V 2.4V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TA) - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
TP5335MF-G-VAO

TP5335MF-G-VAO

MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO

Microchip Technology

7,163 -
RFQ
TP5335MF-G-VAO

데이터시트

- 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 350 V 85mA (Tj) 4.5V, 10V 30Ohm @ 200mA, 10V 2.4V @ 1mA - ±20V 110 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 6-DFN (2x2)
IPD90P04P405AUMA2

IPD90P04P405AUMA2

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Infineon Technologies

5,403 -
RFQ

-

OptiMOS™ P2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 154 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
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