FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1

IPC60R380E6UNSAWNX6SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

Infineon Technologies

4,024 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPC60R380E6X7SA1

IPC60R380E6X7SA1

MOSFET N-CH

Infineon Technologies

2,496 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPC60R600E6UNSAWNX6SA1

IPC60R600E6UNSAWNX6SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

Infineon Technologies

6,406 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
SPD04N60C3

SPD04N60C3

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3

Infineon Technologies

6,542 -
RFQ
SPD04N60C3

데이터시트

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 3.9V @ 200µA 25 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
SPD07N60C3

SPD07N60C3

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

Infineon Technologies

3,493 -
RFQ
SPD07N60C3

데이터시트

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 27 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPI90R800C3

IPI90R800C3

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3

Infineon Technologies

3,838 -
RFQ
IPI90R800C3

데이터시트

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6.9A (Tc) 10V 800mOhm @ 4.1A, 10V 3.5V @ 460µA 42 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPP90R500C3

IPP90R500C3

MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3

Infineon Technologies

6,715 -
RFQ
IPP90R500C3

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 740µA 68 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SPI08N80C3

SPI08N80C3

MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3

Infineon Technologies

4,058 -
RFQ
SPI08N80C3

데이터시트

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 650mOhm @ 5.1A, 10V 3.9V @ 470µA 60 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
SPS03N60C3

SPS03N60C3

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

Infineon Technologies

6,148 -
RFQ
SPS03N60C3

데이터시트

CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 3.9V @ 135µA 17 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
V30365-T1-GE3

V30365-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

8,564 -
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
V30391-T1-E3

V30391-T1-E3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

6,379 -
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
V30406-T1-GE3

V30406-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

4,203 -
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
V30408-T1-GE3

V30408-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

7,880 -
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
V30410-T1-GE3

V30410-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

8,792 -
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
V30429-T1-GE3

V30429-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

2,317 -
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
V30432-T1-GE3

V30432-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

7,213 -
RFQ

-

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMPB100ENEAX

PMPB100ENEAX

PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220

Nexperia USA Inc.

3,111 -
RFQ
PMPB100ENEAX

데이터시트

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - ±20V - - - - - - Surface Mount DFN2020MD-6
PMPB25ENEAX

PMPB25ENEAX

MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6

Nexperia USA Inc.

7,919 -
RFQ
PMPB25ENEAX

데이터시트

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.2A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 7.2A, 10V 2.5V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 607 pF @ 15 V - 2.08W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020MD-6
PSMN5R6-100YSFX

PSMN5R6-100YSFX

MOSFET N-CH 100V 158A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

4,262 -
RFQ
PSMN5R6-100YSFX

데이터시트

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V - - 63 nC @ 10 V ±20V - - 294W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
APT130SM70B

APT130SM70B

SICFET N-CH 700V 110A TO247-3

Microsemi Corporation

3,554 -
RFQ
APT130SM70B

데이터시트

- TO-247-3 Bulk Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 110A (Tc) 20V 45mOhm @ 60A, 20V 2.4V @ 1mA 220 nC @ 20 V +25V, -10V 3950 pF @ 700 V - 556W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
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