FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

모두 초기화
모두 적용
결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXFT58N20Q TRL

IXFT58N20Q TRL

MOSFET N-CH 200V 58A TO268

IXYS

7,162 -
RFQ
IXFT58N20Q TRL

데이터시트

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 58A (Tc) 10V 40mOhm @ 29A, 10V 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
IPC50R045CPX1SA1

IPC50R045CPX1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

Infineon Technologies

7,622 -
RFQ

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPC90R1K0C3X1SA1

IPC90R1K0C3X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

Infineon Technologies

6,624 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPC90R1K2C3X1SA1

IPC90R1K2C3X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

Infineon Technologies

8,256 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPC90R500C3X1SA1

IPC90R500C3X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

Infineon Technologies

3,406 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPC90R800C3X1SA1

IPC90R800C3X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

Infineon Technologies

6,262 -
RFQ

-

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Infineon Technologies

3,095 -
RFQ

-

- - Bulk Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPC302N08N3X2SA1

IPC302N08N3X2SA1

MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER

Infineon Technologies

2,690 -
RFQ

-

- - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPD65R1K5CEAUMA1

IPD65R1K5CEAUMA1

MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3

Infineon Technologies

2,163 -
RFQ
IPD65R1K5CEAUMA1

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 5.2A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 225 pF @ 100 V - 53W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPN70R1K0CEATMA1

IPN70R1K0CEATMA1

MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223

Infineon Technologies

8,748 -
RFQ
IPN70R1K0CEATMA1

데이터시트

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 7.4A (Tc) 10V 1Ohm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 150µA 14.9 nC @ 10 V ±20V 328 pF @ 100 V - 5W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223
IPS65R650CEAKMA1

IPS65R650CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3

Infineon Technologies

3,250 -
RFQ
IPS65R650CEAKMA1

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 10.1A (Tc) 10V 650mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 86W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
IPSA70R1K4CEAKMA1

IPSA70R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3

Infineon Technologies

4,007 -
RFQ
IPSA70R1K4CEAKMA1

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 5.4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 225 pF @ 100 V - 53W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
IPSA70R2K0CEAKMA1

IPSA70R2K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3

Infineon Technologies

8,285 -
RFQ
IPSA70R2K0CEAKMA1

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 70µA 7.8 nC @ 10 V ±20V 163 pF @ 100 V - 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
SQP90142E_GE3

SQP90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

Vishay Siliconix

3,407 -
RFQ
SQP90142E_GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 78.5A (Tc) 10V 15.3mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
DMG10N60SCT

DMG10N60SCT

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Diodes Incorporated

6,178 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 1587 pF @ 16 V - 178W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (Type TH)
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Diodes Incorporated

2,670 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.3A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 12.6 nC @ 10 V ±30V 354 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB (Type TH)
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Diodes Incorporated

8,815 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.7A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 25.2 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB (Type TH)
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251

Diodes Incorporated

2,066 -
RFQ

-

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 5.5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-251
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Diodes Incorporated

5,886 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1217 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB (Type TH)
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

MOSFET N-CH 700V 7A TO251

Diodes Incorporated

5,232 -
RFQ
DMJ70H900HJ3

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 7A (Tc) 10V 900mOhm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 18.4 nC @ 10 V ±30V 603 pF @ 50 V - 68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-251
TomatoElec

검색

TomatoElec

제품

TomatoElec

전화번호

TomatoElec

사용자