FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
SQM40010EL_GE3

SQM40010EL_GE3

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Vishay Siliconix

3,475 -
RFQ
SQM40010EL_GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 17100 pF @ 20 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STP80NF55-08AG

STP80NF55-08AG

MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220

STMicroelectronics

4,741 -
RFQ
STP80NF55-08AG

데이터시트

STripFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±20V 3740 pF @ 15 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220
IXFH21N50F

IXFH21N50F

MOSFET N-CH 500V 21A TO247

IXYS

3,279 -
RFQ

-

HiPerRF™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 21A (Tc) 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 5.5V @ 4mA 77 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
IXFK21N100F

IXFK21N100F

MOSFET N-CH 1000V 21A TO264

IXYS

8,174 -
RFQ

-

HiPerRF™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 21A (Tc) 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V 5.5V @ 4mA 160 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
IXFN55N50F

IXFN55N50F

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

IXYS

5,033 -
RFQ

-

HiPerFET™, F Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 55A (Tc) 10V 85mOhm @ 27.5A, 10V 5.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V ±20V 6700 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
APT1001R1BN

APT1001R1BN

MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Microchip Technology

6,643 -
RFQ
APT1001R1BN

데이터시트

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10.5A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 5.25A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT1001RBN

APT1001RBN

MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

Microchip Technology

8,115 -
RFQ
APT1001RBN

데이터시트

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 11A (Tc) 10V 1Ohm @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT1002RBNG

APT1002RBNG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Microsemi Corporation

2,649 -
RFQ

-

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 8A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 105 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT4065BNG

APT4065BNG

MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

Microsemi Corporation

2,899 -
RFQ

-

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 11A (Tc) 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT40M42JN

APT40M42JN

MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP

Microsemi Corporation

4,549 -
RFQ
APT40M42JN

데이터시트

POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 86A (Tc) 10V 42mOhm @ 43A, 10V 4V @ 5mA 760 nC @ 10 V ±30V 14000 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT40M75JN

APT40M75JN

MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP

Microsemi Corporation

4,050 -
RFQ
APT40M75JN

데이터시트

POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 56A (Tc) 10V 75mOhm @ 28A, 10V 4V @ 2.5mA 370 nC @ 10 V ±30V 6800 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT5012JN

APT5012JN

MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

Microsemi Corporation

4,601 -
RFQ
APT5012JN

데이터시트

POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 43A (Tc) 10V 120mOhm @ 21.5A, 10V 4V @ 2.5mA 370 nC @ 10 V ±30V 6500 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
APT5020BN

APT5020BN

MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Microchip Technology

8,858 -
RFQ
APT5020BN

데이터시트

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 28A (Tc) 10V 200mOhm @ 14A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT5020BNFR

APT5020BNFR

MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Microchip Technology

4,485 -
RFQ

-

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 28A (Tc) 10V 200mOhm @ 14A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT5022BNG

APT5022BNG

MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

Microsemi Corporation

9,853 -
RFQ
APT5022BNG

데이터시트

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 27A (Tc) 10V 220mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT5025BN

APT5025BN

MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD

Microsemi Corporation

9,812 -
RFQ
APT5025BN

데이터시트

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 23A (Tc) 10V 250mOhm @ 11.5A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT6030BN

APT6030BN

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Microsemi Corporation

9,500 -
RFQ
APT6030BN

데이터시트

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 300mOhm @ 11.5A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT6040BN

APT6040BN

MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Microsemi Corporation

8,063 -
RFQ
APT6040BN

데이터시트

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 400mOhm @ 9A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT6040BNG

APT6040BNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Microsemi Corporation

9,818 -
RFQ
APT6040BNG

데이터시트

POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 400mOhm @ 9A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT8018JN

APT8018JN

MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

Microsemi Corporation

6,899 -
RFQ
APT8018JN

데이터시트

POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 40A (Tc) 10V 180mOhm @ 20A, 10V 4V @ 5mA 700 nC @ 10 V ±30V 14000 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
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