FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
AOB11C60

AOB11C60

MOSFET N-CH 600V 11A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3,208 -
RFQ
AOB11C60

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 440mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 2000 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
AOB20C60

AOB20C60

MOSFET N-CH 600V 20A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3,726 -
RFQ
AOB20C60

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 3440 pF @ 100 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
AOD4160

AOD4160

MOSFET N-CH TO-252

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

7,003 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
AOI452A

AOI452A

MOSFET N-CH 25V 55A TO251A

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5,840 -
RFQ
AOI452A

데이터시트

SDMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 55A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 12.5 V - 3.2W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251A
AON7548

AON7548

MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

6,193 -
RFQ
AON7548

데이터시트

AlphaMOS 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1086 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
AOY516

AOY516

MOSFET N-CH 30V 46A TO251B

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3,443 -
RFQ
AOY516

데이터시트

AlphaMOS TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 46A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 1333 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251B
TPH3202PS

TPH3202PS

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

Transphorm

4,635 -
RFQ
TPH3202PS

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TPH3202LD

TPH3202LD

GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN

Transphorm

2,850 -
RFQ
TPH3202LD

데이터시트

- 4-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
TPH3206LD

TPH3206LD

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

Transphorm

6,343 -
RFQ
TPH3206LD

데이터시트

- 4-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
TPH3208PS

TPH3208PS

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

Transphorm

5,167 -
RFQ
TPH3208PS

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TPH3208LD

TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

Transphorm

4,804 -
RFQ
TPH3208LD

데이터시트

- 4-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
TPH3207WS

TPH3207WS

GANFET N-CH 650V 50A TO247-3

Transphorm

6,522 -
RFQ
TPH3207WS

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 50A (Tc) 10V 41mOhm @ 32A, 8V 2.65V @ 700µA 42 nC @ 8 V ±18V 2197 pF @ 400 V - 178W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
TPH3202PD

TPH3202PD

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

Transphorm

8,196 -
RFQ
TPH3202PD

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TPH3202LS

TPH3202LS

GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN

Transphorm

3,416 -
RFQ
TPH3202LS

데이터시트

- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
TPH3208PD

TPH3208PD

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

Transphorm

6,493 -
RFQ
TPH3208PD

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-220AB
TPH3208LS

TPH3208LS

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Transphorm

4,216 -
RFQ
TPH3208LS

데이터시트

- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
64-0055PBF

64-0055PBF

MOSFET N-CH 60V 160A TO220AB

Infineon Technologies

7,602 -
RFQ
64-0055PBF

데이터시트

HEXFET® - Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 160A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4520 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole -
TPH3205WSB

TPH3205WSB

GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

Transphorm

7,363 -
RFQ
TPH3205WSB

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 36A (Tc) 10V 60mOhm @ 22A, 8V 2.6V @ 700µA 42 nC @ 8 V ±18V 2200 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRFC3004EB

IRFC3004EB

MOSFET N-CH WAFER

Infineon Technologies

4,010 -
RFQ
IRFC3004EB

데이터시트

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFC3205ZEB

IRFC3205ZEB

MOSFET N-CH WAFER

Infineon Technologies

3,961 -
RFQ
IRFC3205ZEB

데이터시트

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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