FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
PSMN7R0-100ES,127

PSMN7R0-100ES,127

MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK

Nexperia USA Inc.

8,015 -
RFQ
PSMN7R0-100ES,127

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 6.8mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±20V 6686 pF @ 50 V - 269W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRFR9024TRRPBF

IRFR9024TRRPBF

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

Vishay Siliconix

8,253 -
RFQ
IRFR9024TRRPBF

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRLZ34SPBF

IRLZ34SPBF

MOSFET N-CH 60V 30A TO263

Vishay Siliconix

7,222 -
RFQ
IRLZ34SPBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4V, 5V 50mOhm @ 18A, 5V 2V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±10V 1600 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SI1031X-T1-GE3

SI1031X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A

Vishay Siliconix

9,352 -
RFQ
SI1031X-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 155mA (Ta) 1.5V, 4.5V 8Ohm @ 150mA, 4.5V 1.2V @ 250µA 1.5 nC @ 4.5 V ±6V - - 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-75A
SI1303DL-T1-GE3

SI1303DL-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3

Vishay Siliconix

7,096 -
RFQ

-

TrenchFET® SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 670mA (Ta) 2.5V, 4.5V 430mOhm @ 1A, 4.5V 1.4V @ 250µA 2.2 nC @ 4.5 V ±12V - - 290mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-3
SI1404BDH-T1-E3

SI1404BDH-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70

Vishay Siliconix

5,423 -
RFQ

-

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) 2.5V, 4.5V 238mOhm @ 1.9A, 4.5V 1.3V @ 250µA 2.7 nC @ 4.5 V ±12V 100 pF @ 15 V - 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-6
SI1404BDH-T1-GE3

SI1404BDH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70

Vishay Siliconix

3,829 -
RFQ

-

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) 2.5V, 4.5V 238mOhm @ 1.9A, 4.5V 1.3V @ 250µA 2.7 nC @ 4.5 V ±12V 100 pF @ 15 V - 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-6
SI1405DL-T1-GE3

SI1405DL-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

Vishay Siliconix

8,877 -
RFQ

-

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 1.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 125mOhm @ 1.8A, 4.5V 450mV @ 250µA (Min) 7 nC @ 4.5 V ±8V - - 568mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-6
SI1406DH-T1-E3

SI1406DH-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6

Vishay Siliconix

6,898 -
RFQ
SI1406DH-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.1A (Ta) 1.8V, 4.5V 65mOhm @ 3.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V ±8V - - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-6
SI1431DH-T1-E3

SI1431DH-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6

Vishay Siliconix

5,859 -
RFQ

-

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.7A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 2A, 10V 3V @ 100µA 4 nC @ 4.5 V ±20V - - 950mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-6
SI1431DH-T1-GE3

SI1431DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6

Vishay Siliconix

6,601 -
RFQ

-

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.7A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 2A, 10V 3V @ 100µA 4 nC @ 4.5 V ±20V - - 950mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-6
SI1433DH-T1-GE3

SI1433DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

Vishay Siliconix

5,429 -
RFQ

-

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.9A (Ta) 4.5V, 10V 150mOhm @ 2.2A, 10V 3V @ 100µA 5 nC @ 4.5 V ±20V - - 950mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-6
SI2303BDS-T1-GE3

SI2303BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Vishay Siliconix

5,341 -
RFQ

-

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.49A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 1.7A, 10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 15 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Vishay Siliconix

8,420 -
RFQ

-

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 3.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 51mOhm @ 4A, 4.5V 450mV @ 250µA (Min) 15 nC @ 4.5 V ±8V 1225 pF @ 6 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
SI3424DV-T1-GE3

SI3424DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP

Vishay Siliconix

8,079 -
RFQ

-

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5A (Ta) 4.5V, 10V 28mOhm @ 6.7A, 10V 800mV @ 250µA (Min) 18 nC @ 10 V ±20V - - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
SI3433BDV-T1-GE3

SI3433BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP

Vishay Siliconix

5,135 -
RFQ

-

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 42mOhm @ 5.6A, 4.5V 850mV @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±8V - - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
SI3434DV-T1-GE3

SI3434DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

Vishay Siliconix

7,437 -
RFQ

-

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 34mOhm @ 6.1A, 4.5V 600mV @ 1mA (Min) 12 nC @ 4.5 V ±12V - - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
SI3441BDV-T1-GE3

SI3441BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP

Vishay Siliconix

3,779 -
RFQ

-

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.45A (Ta) 2.5V, 4.5V 90mOhm @ 3.3A, 4.5V 850mV @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±8V - - 860mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
SI3445ADV-T1-GE3

SI3445ADV-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 4.4A 6TSOP

Vishay Siliconix

2,588 -
RFQ

-

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 4.4A (Ta) 1.8V, 4.5V 42mOhm @ 5.8A, 4.5V 1V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±8V - - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
SI3445DV-T1-GE3

SI3445DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 6TSOP

Vishay Siliconix

7,601 -
RFQ

-

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 5.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 42mOhm @ 5.6A, 4.5V 1V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±8V - - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
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