FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STF15N60M2-EP

STF15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

STMicroelectronics

1,550 -
RFQ
STF15N60M2-EP

데이터시트

MDmesh™ M2-EP TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 378mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 590 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
R6020YNXC7G

R6020YNXC7G

600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN

Rohm Semiconductor

1,100 -
RFQ
R6020YNXC7G

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V, 12V 200mOhm @ 6A, 10V 6V @ 1.65mA 28 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 100 V - 62W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
FCP190N65S3R0

FCP190N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

onsemi

535 -
RFQ
FCP190N65S3R0

데이터시트

SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 33 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 400 V - 144W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXTP08N100P

IXTP08N100P

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

Littelfuse Inc.

247 -
RFQ
IXTP08N100P

데이터시트

Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 800mA (Tc) 10V 20Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 50µA 11.3 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFR430ATRPBF

IRFR430ATRPBF

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

Vishay Siliconix

1,748 -
RFQ
IRFR430ATRPBF

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.7Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
NVTFWS002N04CLTAG

NVTFWS002N04CLTAG

MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN

onsemi

1,490 -
RFQ
NVTFWS002N04CLTAG

데이터시트

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28A (Ta), 142A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 90µA 49 nC @ 10 V ±20V 2940 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
STD4N62K3

STD4N62K3

MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK

STMicroelectronics

5,423 -
RFQ
STD4N62K3

데이터시트

SuperMESH3™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 3.8A (Tc) 10V 1.95Ohm @ 1.9A, 10V 4.5V @ 50µA 14 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 50 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK65S04N1L,LQ

TK65S04N1L,LQ

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

3,964 -
RFQ
TK65S04N1L,LQ

데이터시트

U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65A (Ta) 10V 4.3mOhm @ 32.5A, 10V 2.5V @ 300µA 39 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 107W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Infineon Technologies

2,376 -
RFQ
IPD038N06N3GATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 90A, 10V 4V @ 90µA 98 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPA60R380E6XKSA1

IPA60R380E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP

Infineon Technologies

150 -
RFQ
IPA60R380E6XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 320µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
RD3G600GNTL

RD3G600GNTL

MOSFET N-CH 40V 60A TO252

Rohm Semiconductor

2,427 -
RFQ
RD3G600GNTL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V 2.5V @ 1mA 46.5 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 20 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
PJMF280N65E1_T0_00001

PJMF280N65E1_T0_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET

Panjit International Inc.

1,998 -
RFQ
PJMF280N65E1_T0_00001

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1040 pF @ 400 V - 35.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
STB120N4F6

STB120N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

STMicroelectronics

744 -
RFQ
STB120N4F6

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 3850 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF9Z30PBF-BE3

IRF9Z30PBF-BE3

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

Vishay Siliconix

8,011 -
RFQ
IRF9Z30PBF-BE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9.3A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 900 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIRA54ADP-T1-RE3

SIRA54ADP-T1-RE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

6,000 -
RFQ
SIRA54ADP-T1-RE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 36.2A (Ta), 128A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V, -16V 3850 pF @ 20 V - 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SIJA54ADP-T1-GE3

SIJA54ADP-T1-GE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

5,923 -
RFQ
SIJA54ADP-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35.4A (Ta), 126A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V, -16V 3850 pF @ 20 V - 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
PSMN1R0-25YLDX

PSMN1R0-25YLDX

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

5,901 -
RFQ
PSMN1R0-25YLDX

데이터시트

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.89mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 71.8 nC @ 10 V ±20V 5308 pF @ 12 V Schottky Diode (Body) 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
IRF9Z24PBF-BE3

IRF9Z24PBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB

Vishay Siliconix

891 -
RFQ
IRF9Z24PBF-BE3

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Tc) - 280mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
RD3U080AAFRATL

RD3U080AAFRATL

250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER

Rohm Semiconductor

3,899 -
RFQ
RD3U080AAFRATL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8A (Tc) 10V 300mOhm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±30V 1440 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
RS1E301GNTB1

RS1E301GNTB1

MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP

Rohm Semiconductor

2,380 -
RFQ
RS1E301GNTB1

데이터시트

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 1mA 39.8 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 15 V - 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
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