FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPD90N06S4L06ATMA1

IPD90N06S4L06ATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Infineon Technologies

5,665 -
RFQ
IPD90N06S4L06ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 40µA 75 nC @ 10 V ±16V 5680 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPI023NE7N3 G

IPI023NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Infineon Technologies

8,539 -
RFQ
IPI023NE7N3 G

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) - 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 273µA 206 nC @ 10 V - 14400 pF @ 37.5 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

Infineon Technologies

7,700 -
RFQ
IPI034NE7N3 G

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Tc) - 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 155µA 117 nC @ 10 V - 8130 pF @ 37.5 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI052NE7N3 G

IPI052NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

Infineon Technologies

2,885 -
RFQ
IPI052NE7N3 G

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 91µA 68 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 37.5 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI126N10N3 G

IPI126N10N3 G

MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

Infineon Technologies

5,326 -
RFQ
IPI126N10N3 G

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 58A (Tc) 6V, 10V 12.6mOhm @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 50 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI45N06S4L08AKSA1

IPI45N06S4L08AKSA1

MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3

Infineon Technologies

7,975 -
RFQ
IPI45N06S4L08AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 45A, 10V 2.2V @ 35µA 64 nC @ 10 V ±16V 4780 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI45P03P4L11AKSA1

IPI45P03P4L11AKSA1

MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3

Infineon Technologies

5,897 -
RFQ
IPI45P03P4L11AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 45A (Tc) 4.5V, 10V 11.1mOhm @ 45A, 10V 2V @ 85µA 55 nC @ 10 V +5V, -16V 3770 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3

Infineon Technologies

3,561 -
RFQ
IPI50R199CPXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 17A (Tc) 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 660µA 45 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 100 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI60R380C6XKSA1

IPI60R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3

Infineon Technologies

6,116 -
RFQ
IPI60R380C6XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 320µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI80N06S405AKSA1

IPI80N06S405AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

Infineon Technologies

9,896 -
RFQ
IPI80N06S405AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 60µA 81 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI80N06S407AKSA1

IPI80N06S407AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

Infineon Technologies

5,134 -
RFQ
IPI80N06S407AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI80P03P4L04AKSA1

IPI80P03P4L04AKSA1

MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

Infineon Technologies

9,980 -
RFQ
IPI80P03P4L04AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 80A, 10V 2V @ 253µA 160 nC @ 10 V +5V, -16V 11300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI80P03P4L07AKSA1

IPI80P03P4L07AKSA1

MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

Infineon Technologies

8,499 -
RFQ
IPI80P03P4L07AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80 nC @ 10 V +5V, -16V 5700 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPP065N04N G

IPP065N04N G

MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3

Infineon Technologies

2,554 -
RFQ
IPP065N04N G

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 50A, 10V 4V @ 200µA 34 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 20 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IPP120N06S4H1AKSA1

IPP120N06S4H1AKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

Infineon Technologies

9,274 -
RFQ
IPP120N06S4H1AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 200µA 270 nC @ 10 V ±20V 21900 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP80N04S3H4AKSA1

IPP80N04S3H4AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Infineon Technologies

4,711 -
RFQ
IPP80N04S3H4AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 65µA 60 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP80N06S405AKSA1

IPP80N06S405AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Infineon Technologies

9,731 -
RFQ
IPP80N06S405AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 60µA 81 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP80N06S407AKSA1

IPP80N06S407AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Infineon Technologies

8,525 -
RFQ
IPP80N06S407AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP80P03P4L04AKSA1

IPP80P03P4L04AKSA1

MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

Infineon Technologies

3,432 -
RFQ
IPP80P03P4L04AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 80A, 10V 2V @ 253µA 160 nC @ 10 V +5V, -16V 11300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP80P03P4L07AKSA1

IPP80P03P4L07AKSA1

MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3

Infineon Technologies

5,586 -
RFQ
IPP80P03P4L07AKSA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80 nC @ 10 V +5V, -16V 5700 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
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