FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
2SJ610(TE16L1,NQ)

2SJ610(TE16L1,NQ)

MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

6,685 -
RFQ
2SJ610(TE16L1,NQ)

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2A (Ta) 10V 2.55Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 381 pF @ 10 V - 20W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount PW-MOLD
2SJ681(Q)

2SJ681(Q)

MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD2

Toshiba Semiconductor and Storage

4,257 -
RFQ
2SJ681(Q)

데이터시트

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Ta) 4V, 10V 170mOhm @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 10 V - 20W (Ta) 150°C (TJ) - - Through Hole PW-MOLD2
2SK2507(F)

2SK2507(F)

MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

7,232 -
RFQ
2SK2507(F)

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 25A (Ta) 4V, 10V 46mOhm @ 12A, 10V 2V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±20V 900 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SK2544(F)

2SK2544(F)

MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB

Toshiba Semiconductor and Storage

5,388 -
RFQ
2SK2544(F)

데이터시트

- TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Ta) 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 4V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 10 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
2SK2744(F)

2SK2744(F)

MOSFET N-CH 50V 45A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

3,246 -
RFQ
2SK2744(F)

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 45A (Ta) 10V 20mOhm @ 25A, 10V 3.5V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 10 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
2SK2866(F)

2SK2866(F)

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

Toshiba Semiconductor and Storage

6,064 -
RFQ
2SK2866(F)

데이터시트

- TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Ta) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±30V 2040 pF @ 10 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
2SK3342(TE16L1,NQ)

2SK3342(TE16L1,NQ)

MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

2,582 -
RFQ
2SK3342(TE16L1,NQ)

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.5A (Ta) 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PW-MOLD
2SK3388(TE24L,Q)

2SK3388(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 250V 20A 4TFP

Toshiba Semiconductor and Storage

8,718 -
RFQ
2SK3388(TE24L,Q)

데이터시트

- SC-97 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 20A (Ta) 10V 105mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 1mA 100 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 10 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-TFP (9.2x9.2)
2SK3462(TE16L1,NQ)

2SK3462(TE16L1,NQ)

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,848 -
RFQ
2SK3462(TE16L1,NQ)

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3A (Ta) 10V 1.7Ohm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±20V 267 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PW-MOLD
2SK3466(TE24L,Q)

2SK3466(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP

Toshiba Semiconductor and Storage

5,083 -
RFQ
2SK3466(TE24L,Q)

데이터시트

- SC-97 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Ta) 10V 1.5Ohm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 17 nC @ 10 V ±30V 780 pF @ 10 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-TFP (9.2x9.2)
2SK3844(Q)

2SK3844(Q)

MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

9,874 -
RFQ
2SK3844(Q)

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Ta) 10V 5.8mOhm @ 23A, 10V 4V @ 1mA 196 nC @ 10 V ±20V 12400 pF @ 10 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SK3868(Q,M)

2SK3868(Q,M)

MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

8,120 -
RFQ
2SK3868(Q,M)

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Ta) 10V 1.7Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 1mA 16 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
2SK3906(Q)

2SK3906(Q)

MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

8,979 -
RFQ
2SK3906(Q)

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 330mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±30V 4250 pF @ 25 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
2SK4016(Q)

2SK4016(Q)

MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

2,536 -
RFQ
2SK4016(Q)

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Ta) 10V 500mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 62 nC @ 10 V ±30V 3100 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
2SK4017(Q)

2SK4017(Q)

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2

Toshiba Semiconductor and Storage

7,745 -
RFQ
2SK4017(Q)

데이터시트

U-MOSIII TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Ta) 4V, 10V 100mOhm @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 730 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole PW-MOLD2
2SK4021(Q)

2SK4021(Q)

MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2

Toshiba Semiconductor and Storage

5,117 -
RFQ
2SK4021(Q)

데이터시트

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.5A (Ta) 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole PW-MOLD2
TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

8,352 -
RFQ
TPC8026(TE12L,Q,M)

데이터시트

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 6.6mOhm @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 42 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

8,406 -
RFQ
TPC8036-H(TE12L,QM

데이터시트

U-MOSVI-H 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 9A, 10V 2.3V @ 1mA 49 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
TPCA8036-H(TE12L,Q

TPCA8036-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 30V 38A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

6,978 -
RFQ
TPCA8036-H(TE12L,Q

데이터시트

U-MOSVI-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 38A (Ta) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 19A, 10V 2.3V @ 500µA 50 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
TPCA8A02-H(TE12LQM

TPCA8A02-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

7,670 -
RFQ
TPCA8A02-H(TE12LQM

데이터시트

U-MOSV-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 34A (Ta) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 17A, 10V 2.3V @ 1mA 36 nC @ 10 V ±20V 3430 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
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