FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
SI4621DY-T1-E3

SI4621DY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8SO

Vishay Siliconix

4,209 -
RFQ
SI4621DY-T1-E3

데이터시트

LITTLE FOOT® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.2A (Tc) 4.5V, 10V 54mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 450 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SI4632DY-T1-E3

SI4632DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 40A 8SO

Vishay Siliconix

4,688 -
RFQ
SI4632DY-T1-E3

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 161 nC @ 10 V ±16V 11175 pF @ 15 V - 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SI4833ADY-T1-E3

SI4833ADY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

Vishay Siliconix

8,812 -
RFQ
SI4833ADY-T1-E3

데이터시트

LITTLE FOOT® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 72mOhm @ 3.6A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SI5445BDC-T1-E3

SI5445BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

Vishay Siliconix

3,997 -
RFQ
SI5445BDC-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 5.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 33mOhm @ 5.2A, 4.5V 1V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±8V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 1206-8 ChipFET™
SI5855DC-T1-E3

SI5855DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Vishay Siliconix

7,548 -
RFQ

-

TrenchFET® 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.7A (Ta) 1.8V, 4.5V 110mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 7.7 nC @ 4.5 V ±8V - Schottky Diode (Isolated) 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 1206-8 ChipFET™
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

7,752 -
RFQ
SI7100DN-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 35A (Tc) 2.5V, 4.5V 3.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 105 nC @ 8 V ±8V 3810 pF @ 4 V - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
SI7136DP-T1-E3

SI7136DP-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

6,117 -
RFQ
SI7136DP-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 3380 pF @ 10 V - 5W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SI7382DP-T1-E3

SI7382DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,329 -
RFQ
SI7382DP-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 24A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SI7384DP-T1-E3

SI7384DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

6,292 -
RFQ
SI7384DP-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SI7485DP-T1-E3

SI7485DP-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,476 -
RFQ

-

- PowerPAK® SO-8 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12.5A (Ta) - 7.3mOhm @ 20A, 4.5V 900mV @ 1mA 150 nC @ 5 V - - - - - - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

6,506 -
RFQ

-

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 48mOhm @ 6.3A, 4.5V 1V @ 800µA 18 nC @ 4.5 V ±12V - Schottky Diode (Isolated) 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

6,100 -
RFQ
SI7858ADP-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 20A (Ta) 2.5V, 4.5V 2.6mOhm @ 29A, 4.5V 1.5V @ 250µA 80 nC @ 4.5 V ±8V 5700 pF @ 6 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SI8402DB-T1-E1

SI8402DB-T1-E1

MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

Vishay Siliconix

8,984 -
RFQ

-

- 4-XFBGA, CSPBGA Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.3A (Ta) - 37mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V - - - - - - - Surface Mount 4-Microfoot
SUM110N04-03P-E3

SUM110N04-03P-E3

MOSFET N-CH 40V 110A TO263

Vishay Siliconix

8,621 -
RFQ

-

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SUM110N04-04-E3

SUM110N04-04-E3

MOSFET N-CH 40V 110A TO263

Vishay Siliconix

6,153 -
RFQ
SUM110N04-04-E3

데이터시트

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SUM110N04-2M3L-E3

SUM110N04-2M3L-E3

MOSFET N-CH 40V 110A TO263

Vishay Siliconix

2,902 -
RFQ

-

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 360 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SUM52N20-39P-E3

SUM52N20-39P-E3

MOSFET N-CH 200V 52A TO263

Vishay Siliconix

2,053 -
RFQ

-

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 52A (Tc) 10V, 15V 38mOhm @ 20A, 15V 4.5V @ 250µA 185 nC @ 15 V ±25V 4220 pF @ 25 V - 3.12W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
2SK2719(F)

2SK2719(F)

MOSFET N-CH 900V 3A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

7,557 -
RFQ
2SK2719(F)

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±30V 750 pF @ 25 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
2SK2847(F)

2SK2847(F)

MOSFET N-CH 900V 8A TO3PIS

Toshiba Semiconductor and Storage

5,627 -
RFQ
2SK2847(F)

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 8A (Ta) 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±30V 2040 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)IS
2SK2917(F)

2SK2917(F)

MOSFET N-CH 500V 18A TO3PIS

Toshiba Semiconductor and Storage

3,466 -
RFQ
2SK2917(F)

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18A (Ta) 10V 270mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 3720 pF @ 10 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)IS
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