FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPD05N03LB G

IPD05N03LB G

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Infineon Technologies

4,336 -
RFQ
IPD05N03LB G

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 60A, 10V 2V @ 40µA 25 nC @ 5 V ±20V 3200 pF @ 15 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD09N03LB G

IPD09N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Infineon Technologies

3,937 -
RFQ
IPD09N03LB G

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.1mOhm @ 50A, 10V 2V @ 20µA 13 nC @ 5 V ±20V 1600 pF @ 15 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD10N03LA

IPD10N03LA

MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3

Infineon Technologies

4,679 -
RFQ
IPD10N03LA

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 10.4mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 11 nC @ 5 V ±20V 1358 pF @ 15 V - 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3

Infineon Technologies

9,585 -
RFQ
IPD10N03LA G

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 10.4mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 11 nC @ 5 V ±20V 1358 pF @ 15 V - 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD20N03L

IPD20N03L

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Infineon Technologies

7,887 -
RFQ
IPD20N03L

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 15A, 10V 2V @ 25µA 11 nC @ 5 V ±20V 700 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IPD20N03L G

IPD20N03L G

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Infineon Technologies

8,681 -
RFQ
IPD20N03L G

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 15A, 10V 2V @ 25µA 19 nC @ 5 V ±20V 695 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD230N06NGBTMA1

IPD230N06NGBTMA1

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Infineon Technologies

9,743 -
RFQ
IPD230N06NGBTMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 10V 23mOhm @ 30A, 10V 4V @ 50µA 31 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 30 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3

Infineon Technologies

4,675 -
RFQ
IPD800N06NGBTMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16A (Tc) 10V 80mOhm @ 16A, 10V 4V @ 16µA 10 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 30 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPI06N03LA

IPI06N03LA

MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3

Infineon Technologies

8,144 -
RFQ
IPI06N03LA

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V 2V @ 40µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF @ 15 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI09N03LA

IPI09N03LA

MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3

Infineon Technologies

8,696 -
RFQ
IPI09N03LA

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 13 nC @ 5 V ±20V 1642 pF @ 15 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI25N06S3-25

IPI25N06S3-25

MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3

Infineon Technologies

9,049 -
RFQ
IPI25N06S3-25

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 25A (Tc) 10V 25.1mOhm @ 15A, 10V 4V @ 20µA 41 nC @ 10 V ±20V 1862 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI25N06S3L-22

IPI25N06S3L-22

MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3

Infineon Technologies

9,158 -
RFQ
IPI25N06S3L-22

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 25A (Tc) 5V, 10V 21.6mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 20µA 47 nC @ 10 V ±16V 2260 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI60R199CPXKSA1

IPI60R199CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO262-3

Infineon Technologies

8,641 -
RFQ
IPI60R199CPXKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V 3.5V @ 660µA 43 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 100 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI80N06S3-05

IPI80N06S3-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Infineon Technologies

5,735 -
RFQ
IPI80N06S3-05

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 5.4mOhm @ 63A, 10V 4V @ 110µA 240 nC @ 10 V ±20V 10760 pF @ 25 V - 165W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI80N06S3-07

IPI80N06S3-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Infineon Technologies

8,750 -
RFQ
IPI80N06S3-07

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 6.8mOhm @ 51A, 10V 4V @ 80µA 170 nC @ 10 V ±20V 7768 pF @ 25 V - 135W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI80N06S3L06XK

IPI80N06S3L06XK

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Infineon Technologies

8,545 -
RFQ
IPI80N06S3L06XK

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 5V, 10V 5.9mOhm @ 56A, 10V 2.2V @ 80µA 196 nC @ 10 V ±16V 9417 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPI80N06S3L-08

IPI80N06S3L-08

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Infineon Technologies

6,476 -
RFQ
IPI80N06S3L-08

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 5V, 10V 7.9mOhm @ 43A, 10V 2.2V @ 55µA 134 nC @ 10 V ±16V 6475 pF @ 25 V - 105W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPP03N03LB G

IPP03N03LB G

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

Infineon Technologies

4,746 -
RFQ
IPP03N03LB G

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 55A, 10V 2V @ 100µA 59 nC @ 5 V ±20V 7624 pF @ 15 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP048N06L G

IPP048N06L G

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Infineon Technologies

2,304 -
RFQ
IPP048N06L G

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 100A, 10V 2V @ 270µA 225 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 30 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP04N03LB G

IPP04N03LB G

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

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3,283 -
RFQ
IPP04N03LB G

데이터시트

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 55A, 10V 2V @ 70µA 40 nC @ 5 V ±20V 5203 pF @ 15 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
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