FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
SPA21N50C3XKSA1

SPA21N50C3XKSA1

MOSFET N-CH 560V 21A TO220-FP

Infineon Technologies

6,177 -
RFQ
SPA21N50C3XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 21A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 34.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
SPA12N50C3XKSA1

SPA12N50C3XKSA1

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-FP

Infineon Technologies

3,822 -
RFQ
SPA12N50C3XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 11.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 49 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
SPA04N60C3XKSA1

SPA04N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-FP

Infineon Technologies

6,577 -
RFQ
SPA04N60C3XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 3.9V @ 200µA 25 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
SPP08N50C3XKSA1

SPP08N50C3XKSA1

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-3

Infineon Technologies

3,422 -
RFQ
SPP08N50C3XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 7.6A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 32 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
SPA08N50C3XKSA1

SPA08N50C3XKSA1

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-FP

Infineon Technologies

3,378 -
RFQ
SPA08N50C3XKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 7.6A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 32 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
IRFZ44ZS

IRFZ44ZS

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

Infineon Technologies

4,625 -
RFQ
IRFZ44ZS

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRFZ44ZL

IRFZ44ZL

MOSFET N-CH 55V 51A TO262

Infineon Technologies

2,993 -
RFQ
IRFZ44ZL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFR4105ZTR

IRFR4105ZTR

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Infineon Technologies

7,090 -
RFQ
IRFR4105ZTR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFU4105ZTR

IRFU4105ZTR

MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA

Vishay Siliconix

8,471 -
RFQ
IRFU4105ZTR

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
IRFU4105ZTRL

IRFU4105ZTRL

MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA

Vishay Siliconix

3,086 -
RFQ
IRFU4105ZTRL

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
IRFU4105ZTRR

IRFU4105ZTRR

MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA

Vishay Siliconix

4,019 -
RFQ
IRFU4105ZTRR

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
IRLR3714Z

IRLR3714Z

MOSFET N-CH 20V 37A DPAK

Infineon Technologies

8,837 -
RFQ
IRLR3714Z

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 37A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 7.1 nC @ 4.5 V ±20V 560 pF @ 10 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRL3714Z

IRL3714Z

MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB

Infineon Technologies

6,126 -
RFQ
IRL3714Z

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 nC @ 4.5 V ±20V 550 pF @ 10 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF540ZS

IRF540ZS

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Infineon Technologies

2,122 -
RFQ
IRF540ZS

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF540ZL

IRF540ZL

MOSFET N-CH 100V 36A TO262

Infineon Technologies

6,231 -
RFQ
IRF540ZL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
STD1HNC60T4

STD1HNC60T4

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

STMicroelectronics

6,792 -
RFQ
STD1HNC60T4

데이터시트

PowerMESH™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 5Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 15.5 nC @ 10 V ±30V 228 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STP19NB20

STP19NB20

MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB

STMicroelectronics

5,265 -
RFQ
STP19NB20

데이터시트

PowerMESH™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 19A (Tc) 10V 180mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 25 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
STY34NB50

STY34NB50

MOSFET N-CH 500V 34A MAX247

STMicroelectronics

3,950 -
RFQ
STY34NB50

데이터시트

PowerMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 34A (Tc) 10V 130mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 223 nC @ 10 V ±30V 9100 pF @ 25 V - 450W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
STP12PF06

STP12PF06

MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB

STMicroelectronics

9,954 -
RFQ
STP12PF06

데이터시트

STripFET™ II TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 10V 200mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 850 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRF840

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

STMicroelectronics

3,924 -
RFQ
IRF840

데이터시트

PowerMESH™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 832 pF @ 25 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
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