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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    PSMN2R0-25YLDX

    PSMN2R0-25YLDX

    MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    		 4,326 -
    RFQ
    		PSMN2R0-25YLDX 데이터시트 - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.09mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 34.1 nC @ 10 V ±20V 2485 pF @ 12 V Schottky Diode (Body) 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    SISS08DN-T1-GE3

    SISS08DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK

    Vishay Siliconix

    		 2,890 -
    RFQ
    		SISS08DN-T1-GE3 데이터시트 TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 53.9A (Ta), 195.5A (Tc) 4.5V, 10V 1.23mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 82 nC @ 10 V +20V, -16V 3670 pF @ 12.5 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    RSH070N05GZETB

    RSH070N05GZETB

    MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    		 2,500 -
    RFQ
    		RSH070N05GZETB 데이터시트 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 7A (Ta) 4V, 10V 25mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 16.8 nC @ 5 V ±20V 1000 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    IPD60R360PFD7SAUMA1

    IPD60R360PFD7SAUMA1

    MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 2,443 -
    RFQ
    		IPD60R360PFD7SAUMA1 데이터시트 CoolMOS™ PFD7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 360mOhm @ 2.9A, 10V 4.5V @ 140µA 12.7 nC @ 10 V ±20V 534 pF @ 400 V - 43W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-344
    NVTFS4C25NWFTAG

    NVTFS4C25NWFTAG

    MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN

    onsemi

    		 1,470 -
    RFQ
    		NVTFS4C25NWFTAG 데이터시트 - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10.1A (Ta), 22.1A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 10.3 nC @ 10 V ±20V 500 pF @ 15 V - 3W (Ta), 14.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    NVTFS6H850NWFTAG

    NVTFS6H850NWFTAG

    MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

    onsemi

    		 1,470 -
    RFQ
    		NVTFS6H850NWFTAG 데이터시트 - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 11A (Ta), 68A (Tc) 10V 9.5mOhm @ 10A, 10V 4V @ 70µA 19 nC @ 10 V ±20V 1140 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    N0608N-ZK-E1-AY

    N0608N-ZK-E1-AY

    ABU / MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 11,840 -
    RFQ
    		N0608N-ZK-E1-AY 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 52A (Tc) 10V 14.3mOhm @ 26A, 10V 4V @ 1mA 37 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 25 V - 1W (Ta), 50.2W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-252
    SI7116BDN-T1-GE3

    SI7116BDN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK

    Vishay Siliconix

    		 11,232 -
    RFQ
    		SI7116BDN-T1-GE3 데이터시트 - PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 18.4A (Ta), 65A (Tc) - 7.4mOhm @ 16A, 10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1915 pF @ 20 V - 5W (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    NP75N04VUK-E1-AY

    NP75N04VUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 40V 75A TO252

    Renesas Electronics Corporation

    		 8,778 -
    RFQ
    		NP75N04VUK-E1-AY 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 1.2W (Ta), 75W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZP)
    SQJA38EP-T1_GE3

    SQJA38EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 5,635 -
    RFQ
    		SQJA38EP-T1_GE3 데이터시트 TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    NVMFD6H852NLT1G

    NVMFD6H852NLT1G

    MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

    onsemi

    		 1,390 -
    RFQ
    		NVMFD6H852NLT1G 데이터시트 - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 7A (Ta), 25A (Tc) 4.5V, 10V 25.5mOhm @ 10A, 10V 2V @ 26µA 10 nC @ 10 V ±20V 521 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    IPD30N06S223ATMA2

    IPD30N06S223ATMA2

    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

    Infineon Technologies

    		 2,244 -
    RFQ
    		IPD30N06S223ATMA2 데이터시트 OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 23mOhm @ 21A, 10V 4V @ 50µA 32 nC @ 10 V ±20V 901 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    R6004JNXC7G

    R6004JNXC7G

    MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    		 846 -
    RFQ
    		R6004JNXC7G 데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 15V 1.43Ohm @ 2A, 15V 7V @ 450µA 10.5 nC @ 15 V ±30V 260 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    SISH434DN-T1-GE3

    SISH434DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK

    Vishay Siliconix

    		 8,970 -
    RFQ
    		SISH434DN-T1-GE3 데이터시트 TrenchFET® PowerPAK® 1212-8SH Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17.6A (Ta), 35A (Tc) 4.5V, 10V 7.6mOhm @ 16.2A, 10V 2.2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1530 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
    IRFR210TRPBF-BE3

    IRFR210TRPBF-BE3

    MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 5,885 -
    RFQ
    		IRFR210TRPBF-BE3 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.6A (Tc) - 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    NTMFS4C922NAT3G

    NTMFS4C922NAT3G

    TRENCH 6 30V NCH

    onsemi

    		 5,000 -
    RFQ
    		NTMFS4C922NAT3G 데이터시트 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    STU2N62K3

    STU2N62K3

    MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK

    STMicroelectronics

    		 4,714 -
    RFQ
    		STU2N62K3 데이터시트 SuperMESH3™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 2.2A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 4.5V @ 50µA 15 nC @ 10 V ±30V 340 pF @ 50 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    IRFR210TRLPBF

    IRFR210TRLPBF

    MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 4,671 -
    RFQ
    		IRFR210TRLPBF 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR310TRPBF-BE3

    IRFR310TRPBF-BE3

    MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 3,869 -
    RFQ
    		IRFR310TRPBF-BE3 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.7A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IRFR210PBF-BE3

    IRFR210PBF-BE3

    MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 2,984 -
    RFQ
    		IRFR210PBF-BE3 데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.6A (Tc) - 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
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