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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    IXTQ30N50P

    IXTQ30N50P

    MOSFET N-CH 500V 30A TO3P

    Littelfuse Inc.

    		 4,949 -
    RFQ
    		IXTQ30N50P

    데이터시트

         		Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 200mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 4150 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IXFH80N10

    IXFH80N10

    MOSFET N-CH 100V 80A TO247AD

    IXYS

    		 2,336 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 12.5mOhm @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IXFH22N55

    IXFH22N55

    MOSFET N-CH 550V 22A TO247AD

    IXYS

    		 2,834 -
    RFQ
    		IXFH22N55

    데이터시트

         		HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 22A (Tc) 10V 270mOhm @ 11A, 10V 4.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IXTC75N10

    IXTC75N10

    MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

    IXYS

    		 5,161 -
    RFQ
    		IXTC75N10

    데이터시트

         		MegaMOS™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 72A (Tc) 10V 20mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS220™
    SIHG61N65EF-GE3

    SIHG61N65EF-GE3

    MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 7,304 -
    RFQ
    		SIHG61N65EF-GE3

    데이터시트

         		E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 64A (Tc) 10V 47mOhm @ 30.5A, 10V 4V @ 250µA 371 nC @ 10 V ±30V 7407 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SIHW61N65EF-GE3

    SIHW61N65EF-GE3

    MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

    Vishay Siliconix

    		 3,037 -
    RFQ
    		SIHW61N65EF-GE3

    데이터시트

         		E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 64A (Tc) 10V 47mOhm @ 30.5A, 10V 4V @ 250µA 371 nC @ 10 V ±30V 7407 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    R6020FNX

    R6020FNX

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    		 7,272 -
    RFQ
    		R6020FNX

    데이터시트

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 65 nC @ 10 V ±30V 2040 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    APT5020SVRG

    APT5020SVRG

    MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK

    Microsemi Corporation

    		 9,251 -
    RFQ

    -

    		 POWER MOS V® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 200mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 225 nC @ 10 V - 4440 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount D3PAK
    IRFP350LC

    IRFP350LC

    MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

    Vishay Siliconix

    		 6,441 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 16A (Tc) 10V 300mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±30V 2200 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IXFR24N80P

    IXFR24N80P

    MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 2,449 -
    RFQ
    		IXFR24N80P

    데이터시트

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 420mOhm @ 12A, 10V 5V @ 4mA 105 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IRLMS5703TR

    IRLMS5703TR

    MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP

    Infineon Technologies

    		 6,925 -
    RFQ
    		IRLMS5703TR

    데이터시트

         		- SOT-23-6 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.3A (Ta) - 200mOhm @ 1.6A, 10V 1V @ 250µA 11 nC @ 10 V - 170 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
    WNSCM80120WQ

    WNSCM80120WQ

    WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK

    WeEn Semiconductors

    		 9,278 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 42A (Ta) 20V 98mOhm @ 20A, 20V 4.5V @ 6mA 59 nC @ 20 V +25V, -10V 1350 pF @ 1000 V - 230W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    WNSCM80120RQ

    WNSCM80120RQ

    WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA

    WeEn Semiconductors

    		 7,616 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 45A (Ta) 20V 98mOhm @ 20A, 20V 4.5V @ 6mA 59 nC @ 20 V +25V, -10V 1350 pF @ 1000 V - 270W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IXTK128N15

    IXTK128N15

    MOSFET N-CH 150V 128A TO264

    IXYS

    		 8,246 -
    RFQ

    -

    		 MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 128A (Tc) 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
    IXTK80N25

    IXTK80N25

    MOSFET N-CH 250V 80A TO264

    IXYS

    		 8,384 -
    RFQ

    -

    		 MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 80A (Tc) 10V 33mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXTK)
    IGT60R190D1SATMA1

    IGT60R190D1SATMA1

    GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF

    Infineon Technologies

    		 7,183 -
    RFQ
    		IGT60R190D1SATMA1

    데이터시트

         		CoolGaN™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 12.5A (Tc) - - 1.6V @ 960µA - -10V 157 pF @ 400 V - 55.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
    IXTR68P20T

    IXTR68P20T

    MOSFET P-CH 200V 44A ISOPLUS247

    IXYS

    		 8,764 -
    RFQ
    		IXTR68P20T

    데이터시트

         		- TO-247-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 44A (Tc) 10V 64mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±15V 33400 pF @ 25 V - 270W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IRLMS6702TR

    IRLMS6702TR

    MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

    Infineon Technologies

    		 4,270 -
    RFQ
    		IRLMS6702TR

    데이터시트

         		- SOT-23-6 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.4A (Ta) - 200mOhm @ 1.6A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 8.8 nC @ 4.5 V - 210 pF @ 15 V - - - - - Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
    IXTT60N10

    IXTT60N10

    MOSFET N-CH 100V 60A TO268

    IXYS

    		 9,060 -
    RFQ

    -

    		 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 20mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    EPC2034

    EPC2034

    GANFET N-CH 200V 48A DIE

    EPC

    		 6,488 -
    RFQ
    		EPC2034

    데이터시트

         		eGaN® Die Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 200 V 48A (Ta) 5V 10mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 8.8 nC @ 5 V +6V, -4V 950 pF @ 100 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
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