FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STW43NM60ND

STW43NM60ND

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3

STMicroelectronics

5,738 -
RFQ
STW43NM60ND

데이터시트

FDmesh™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 88mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±25V 4300 pF @ 50 V - 255W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
MSJWFR60N60-BP

MSJWFR60N60-BP

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

2,153 -
RFQ
MSJWFR60N60-BP

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 58A (Tc) 10V 30mOhm @ 37.5A, 10V 5V @ 5mA 197 nC @ 10 V ±30V 8078 pF @ 100 V - 223W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
MSC090SMA070SA

MSC090SMA070SA

MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-

Microchip Technology

7,555 -
RFQ

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 25A (Tc) 20V 115mOhm @ 15A, 20V 2.4V @ 750µA 38 nC @ 20 V +23V, -10V 785 pF @ 700 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
IXFH15N60

IXFH15N60

MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD

IXYS

5,313 -
RFQ
IXFH15N60

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 500mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
LSIC1MO120T0160-TU

LSIC1MO120T0160-TU

1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263-

IXYS

9,902 -
RFQ

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-263-7
IRFB17N50L

IRFB17N50L

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

Vishay Siliconix

7,572 -
RFQ
IRFB17N50L

데이터시트

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 320mOhm @ 9.9A, 10V 5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2760 pF @ 25 V - 220W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
UJ4C075033L8S

UJ4C075033L8S

750V/33MO,SICFET,G4,TOLL

Qorvo

6,155 -
RFQ
UJ4C075033L8S

데이터시트

- 8-PowerSFN Bulk Active P-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 44A (Tc) 12V 41mOhm @ 230A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1400 pF @ 400 V - 205W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
STV240N75F3

STV240N75F3

MOSFET N-CH 75V 240A 10POWERSO

STMicroelectronics

6,058 -
RFQ
STV240N75F3

데이터시트

STripFET™ III PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 240A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 120A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 10-PowerSO
APT30F50S

APT30F50S

MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Microchip Technology

9,825 -
RFQ
APT30F50S

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 30A (Tc) 10V 190mOhm @ 14A, 10V 5V @ 1mA 115 nC @ 10 V ±30V 4525 pF @ 25 V - 415W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
IXTQ48N65X2M

IXTQ48N65X2M

DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P

Littelfuse Inc.

4,952 -
RFQ

-

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 48A (Tc) 10V 65mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±30V 4300 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
STW43NM60N

STW43NM60N

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3

STMicroelectronics

9,287 -
RFQ
STW43NM60N

데이터시트

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 88mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 4200 pF @ 50 V - 255W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FCP16N60N

FCP16N60N

MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3

onsemi

7 -
RFQ
FCP16N60N

데이터시트

SupreMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 199mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 52.3 nC @ 10 V ±30V 2170 pF @ 100 V - 134.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXFR26N50Q

IXFR26N50Q

MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

IXYS

5,577 -
RFQ

-

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 24A (Tc) 10V 200mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 4mA 95 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
IXFR26N50

IXFR26N50

MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247

IXYS

6,027 -
RFQ
IXFR26N50

데이터시트

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 200mOhm @ 13A, 10V 4V @ 4mA 160 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
STW68N60M6-4

STW68N60M6-4

MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4

STMicroelectronics

3,404 -
RFQ
STW68N60M6-4

데이터시트

MDmesh™ M6 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 63A (Tc) 10V 41mOhm @ 31.5A, 10V 4.75V @ 250µA 106 nC @ 10 V ±25V 4360 pF @ 100 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
AUIRG4PH50SXKMA1

AUIRG4PH50SXKMA1

DISCRETE SWITCHES

Infineon Technologies

4,939 -
RFQ

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
TK20V60W,LVQ

TK20V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN

Toshiba Semiconductor and Storage

4,482 -
RFQ
TK20V60W,LVQ

데이터시트

DTMOSIV 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 170mOhm @ 10A, 10V 3.7V @ 1mA 48 nC @ 10 V ±30V 1680 pF @ 300 V - 156W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
IXTQ44N50P

IXTQ44N50P

MOSFET N-CH 500V 44A TO3P

Littelfuse Inc.

5,593 -
RFQ
IXTQ44N50P

데이터시트

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 44A (Tc) 10V 140mOhm @ 22A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 5440 pF @ 25 V - 658W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
APT38N60BC6

APT38N60BC6

MOSFET N-CH 600V 38A TO247

Microchip Technology

4,523 -
RFQ
APT38N60BC6

데이터시트

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) 10V 99mOhm @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 112 nC @ 10 V ±20V 2826 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
STWA72N60DM2AG

STWA72N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 66A TO247

STMicroelectronics

3,834 -
RFQ
STWA72N60DM2AG

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 66A (Tc) 10V 42mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 121 nC @ 10 V ±25V 5508 pF @ 100 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247 Long Leads
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