FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STW35N65M5

STW35N65M5

MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3

STMicroelectronics

9,808 -
RFQ
STW35N65M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 27A (Tc) 10V 98mOhm @ 13.5A, 10V 5V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±25V 3750 pF @ 100 V - 160W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFC20N80P

IXFC20N80P

MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220

IXYS

2,539 -
RFQ

-

HiPerFET™, PolarHT™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 10A, 10V 5V @ 4mA 85 nC @ 10 V ±30V 4680 pF @ 25 V - 166W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS220™
IRFBC40AS

IRFBC40AS

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

5,272 -
RFQ
IRFBC40AS

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 1036 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFBC40S

IRFBC40S

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

8,742 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFPF40

IRFPF40

MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3

Vishay Siliconix

9,894 -
RFQ

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 4.7A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRFBC40L

IRFBC40L

MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK

Vishay Siliconix

5,245 -
RFQ

-

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Vishay Siliconix

2,542 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STW29NK50ZD

STW29NK50ZD

MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3

STMicroelectronics

2,978 -
RFQ
STW29NK50ZD

데이터시트

SuperMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 29A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 4.5V @ 150µA 200 nC @ 10 V ±30V 6450 pF @ 25 V - 350W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
2SK4066-E

2SK4066-E

MOSFET N-CH 60V 100A SMP

onsemi

5,262 -
RFQ

-

- TO-220-3, Short Tab Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Ta) 4V, 10V 4.7mOhm @ 50A, 10V - 220 nC @ 10 V ±20V 12500 pF @ 20 V - 1.65W (Ta), 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole SMP
STF42N65M5

STF42N65M5

MOSFET N-CH 650V 33A TO220FP

STMicroelectronics

7,377 -
RFQ
STF42N65M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 33A (Tc) 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±25V 4650 pF @ 100 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STB12NM50ND

STB12NM50ND

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

STMicroelectronics

3,099 -
RFQ
STB12NM50ND

데이터시트

FDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 850 pF @ 50 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF40SC240ARMA1

IRF40SC240ARMA1

MOSFET N-CH 40V 360A TO263-7

Infineon Technologies

7,367 -
RFQ
IRF40SC240ARMA1

데이터시트

StrongIRFET™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 360A (Tc) 6V, 10V 0.65mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 458 nC @ 10 V ±20V 18000 pF @ 20 V - 2.4W (Ta), 417W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
IXFP16N85X

IXFP16N85X

IXFP16N85X

Littelfuse Inc.

9,538 -
RFQ

-

HiPerFET™, Ultra X - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BTS121ANKSA1

BTS121ANKSA1

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

Infineon Technologies

7,589 -
RFQ
BTS121ANKSA1

데이터시트

TEMPFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22A (Tc) 4.5V 100mOhm @ 9.5A, 4.5V 2.5V @ 1mA - ±10V 1500 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IXTT110N10P

IXTT110N10P

MOSFET N-CH 100V 110A TO268

Littelfuse Inc.

7,333 -
RFQ
IXTT110N10P

데이터시트

Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
STI57N65M5

STI57N65M5

MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK

STMicroelectronics

3,896 -
RFQ
STI57N65M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 42A (Tc) 10V 63mOhm @ 21A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±25V 4200 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
IPQC65R040CFD7XTMA1

IPQC65R040CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

3,483 -
RFQ
IPQC65R040CFD7XTMA1

데이터시트

CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 64A (Tc) 10V 40mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 97 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22
TSM190N08CZ

TSM190N08CZ

75V, 190A, SINGLE N-CHANNEL POWE

Taiwan Semiconductor Corporation

3,726 -
RFQ

-

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 17A (Ta), 190A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 8600 pF @ 30 V - 2W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IRFIBC40GLC

IRFIBC40GLC

MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3

Vishay Siliconix

6,182 -
RFQ

-

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.1A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXFT14N80P

IXFT14N80P

MOSFET N-CH 800V 14A TO268

Littelfuse Inc.

9,734 -
RFQ
IXFT14N80P

데이터시트

HiPerFET™, Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 720mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 4mA 61 nC @ 10 V ±30V 3900 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
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