FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRF840ASTRR

IRF840ASTRR

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Vishay Siliconix

7,704 -
RFQ
IRF840ASTRR

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF3805S

IRF3805S

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Infineon Technologies

3,964 -
RFQ
IRF3805S

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±20V 7960 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF9540NLPBF

IRF9540NLPBF

MOSFET P-CH 100V 23A TO262

Infineon Technologies

2,708 -
RFQ
IRF9540NLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 117mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IXTQ102N20T

IXTQ102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO3P

IXYS

7,650 -
RFQ

-

Trench TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 102A (Tc) - 23mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 1mA 114 nC @ 10 V - 6800 pF @ 25 V - 750W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXTQ130N15T

IXTQ130N15T

MOSFET N-CH 150V 130A TO3P

IXYS

4,127 -
RFQ
IXTQ130N15T

데이터시트

Trench TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 130A (Tc) 10V 12mOhm @ 65A, 10V 4.5V @ 1mA 113 nC @ 10 V ±30V 9800 pF @ 25 V - 750W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IRLMS1902TR

IRLMS1902TR

MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6

Infineon Technologies

3,686 -
RFQ
IRLMS1902TR

데이터시트

HEXFET® SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.2A (Ta) 2.7V, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 7 nC @ 4.5 V ±12V 300 pF @ 15 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
FKP280A

FKP280A

MOSFET N-CH 280V 40A TO3PF

Sanken Electric USA Inc.

4,047 -
RFQ
FKP280A

데이터시트

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 280 V 40A (Ta) 10V 53mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 1mA - ±30V 3800 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
STI23NM60ND

STI23NM60ND

MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK

STMicroelectronics

7,177 -
RFQ
STI23NM60ND

데이터시트

FDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19.5A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2050 pF @ 50 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IRFZ48NL

IRFZ48NL

MOSFET N-CH 55V 64A TO262

Infineon Technologies

5,746 -
RFQ
IRFZ48NL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 14mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 1970 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRLI2910

IRLI2910

MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP

Infineon Technologies

5,198 -
RFQ
IRLI2910

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 31A (Tc) 4V, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 2V @ 250µA 140 nC @ 5 V ±16V 3700 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRF7832TR

IRF7832TR

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Infineon Technologies

6,755 -
RFQ
IRF7832TR

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) - 4mOhm @ 20A, 10V 2.32V @ 250µA 51 nC @ 4.5 V - 4310 pF @ 15 V - - - - - Surface Mount 8-SO
STB12NM60N

STB12NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK

STMicroelectronics

8,181 -
RFQ
STB12NM60N

데이터시트

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 410mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 30.5 nC @ 10 V ±25V 960 pF @ 50 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRL630STRLPBF

IRL630STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Vishay Siliconix

2,641 -
RFQ
IRL630STRLPBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 4V, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 1100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRL630STRRPBF

IRL630STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Vishay Siliconix

2,660 -
RFQ
IRL630STRRPBF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 4V, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 1100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXFA230N075T2

IXFA230N075T2

MOSFET N-CH 75V 230A TO263

Littelfuse Inc.

3,378 -
RFQ
IXFA230N075T2

데이터시트

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 230A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 178 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
IPD90P04P4L04ATMA1

IPD90P04P4L04ATMA1

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Infineon Technologies

6,913 -
RFQ
IPD90P04P4L04ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 250µA 176 nC @ 10 V ±16V 11570 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
BSB008NE2LXXUMA1

BSB008NE2LXXUMA1

MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON

Infineon Technologies

6,429 -
RFQ
BSB008NE2LXXUMA1

데이터시트

OptiMOS™ 3-WDSON Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 46A (Ta), 180A (Tc) 4.5V, 10V 0.8mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 343 nC @ 10 V ±20V 16000 pF @ 12 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
IXFA230N075T2-TRL

IXFA230N075T2-TRL

MOSFET N-CH 75V 230A TO263

Littelfuse Inc.

9,407 -
RFQ

-

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 230A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 178 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXFA180N10T2-TRL

IXFA180N10T2-TRL

MOSFET N-CH 100V 180A TO263

Littelfuse Inc.

9,751 -
RFQ

-

HiPerFET™, TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXFA28N60X3

IXFA28N60X3

DISCRETE MOSFET 28A 600V X3 TO26

Littelfuse Inc.

2,531 -
RFQ

-

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