FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
TSM60NC390CP ROG

TSM60NC390CP ROG

600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE

Taiwan Semiconductor Corporation

3,308 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 5V @ 1mA 21 nC @ 10 V ±20V 804 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
IRL3103D1

IRL3103D1

MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB

Infineon Technologies

9,843 -
RFQ
IRL3103D1

데이터시트

FETKY™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 64A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 43 nC @ 4.5 V ±16V 1900 pF @ 25 V - 2W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRF1010NL

IRF1010NL

MOSFET N-CH 55V 85A TO262

Infineon Technologies

5,292 -
RFQ
IRF1010NL

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 85A (Tc) 10V 11mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3210 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IPP65R075CFD7AAKSA1

IPP65R075CFD7AAKSA1

AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO220-3

Infineon Technologies

2,930 -
RFQ
IPP65R075CFD7AAKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 32A (Tc) 10V 75mOhm @ 16.4A, 10V 4.5V @ 820µA 68 nC @ 10 V ±20V 3288 pF @ 400 V - 171W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IRFP150N

IRFP150N

MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC

Infineon Technologies

4,774 -
RFQ
IRFP150N

데이터시트

HEXFET® TO-247-3 Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 10V 36mOhm @ 23A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Infineon Technologies

5,080 -
RFQ
IPB100N06S3L-03

데이터시트

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 100A (Tc) 5V, 10V 2.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 230µA 550 nC @ 10 V ±16V 26240 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
FDBL9406-F085

FDBL9406-F085

MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF

onsemi

9,081 -
RFQ
FDBL9406-F085

데이터시트

PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±20V 7735 pF @ 25 V - 300W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
SQ4840EY-T1_GE3

SQ4840EY-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

Vishay Siliconix

4,164 -
RFQ
SQ4840EY-T1_GE3

데이터시트

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20.7A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±20V 2440 pF @ 20 V - 7.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
STW74NF30

STW74NF30

MOSFET N-CH 300V 60A TO247

STMicroelectronics

7,579 -
RFQ

-

STripFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 164 nC @ 10 V ±20V 5930 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRF1405ZS-7P

IRF1405ZS-7P

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

Infineon Technologies

7,404 -
RFQ
IRF1405ZS-7P

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 88A, 10V 4V @ 150µA 230 nC @ 10 V ±20V 5360 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
MCW220N10Y-BP

MCW220N10Y-BP

MOSFET

Micro Commercial Co

4,283 -
RFQ
MCW220N10Y-BP

데이터시트

- TO-247-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 220A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 166 nC @ 10 V ±20V 10051 pF @ 50 V - 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
MCW200N10YA-BP

MCW200N10YA-BP

MOSFET

Micro Commercial Co

5,201 -
RFQ
MCW200N10YA-BP

데이터시트

- TO-247-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 200A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 166 nC @ 10 V ±20V 10051 pF @ 50 V - 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXTQ150N06P

IXTQ150N06P

MOSFET N-CH 60V 150A TO3P

IXYS

3,159 -
RFQ

-

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 150A (Tc) 10V 10mOhm @ 75A, 10V 5V @ 250µA 118 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
TK12V60W,LVQ

TK12V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN

Toshiba Semiconductor and Storage

6,193 -
RFQ
TK12V60W,LVQ

데이터시트

DTMOSIV 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11.5A (Ta) 10V 300mOhm @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA 25 nC @ 10 V ±30V 890 pF @ 300 V - 104W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
NVMFS6B14NLT1G

NVMFS6B14NLT1G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN

onsemi

3,487 -
RFQ

-

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 11A (Ta), 55A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±16V 1680 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
FQA19N60

FQA19N60

MOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PN

onsemi

4,859 -
RFQ
FQA19N60

데이터시트

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 9.3A, 10V 5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
IXTA3N100D2-TRL

IXTA3N100D2-TRL

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

Littelfuse Inc.

3,832 -
RFQ
IXTA3N100D2-TRL

데이터시트

Depletion TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3A (Tj) 0V 6Ohm @ 1.5A, 0V 4.5V @ 250µA 37.5 nC @ 5 V ±20V 1020 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF40DM229

IRF40DM229

MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET

Infineon Technologies

4 -
RFQ
IRF40DM229

데이터시트

StrongIRFET™ DirectFET™ Isometric MF Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 159A (Tc) 6V, 10V 1.85mOhm @ 97A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5317 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric MF
STB40N20

STB40N20

MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK

STMicroelectronics

2,584 -
RFQ
STB40N20

데이터시트

STripFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 40A (Tc) 10V 45mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
SUM90N06-4M4P-E3

SUM90N06-4M4P-E3

MOSFET N-CH 60V 90A TO263

Vishay Siliconix

7,424 -
RFQ

-

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 6190 pF @ 30 V - 3.75W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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