FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
FCPF20N60FS

FCPF20N60FS

MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

onsemi

9,112 -
RFQ
FCPF20N60FS

데이터시트

SuperFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 3080 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
R6025ANZC8

R6025ANZC8

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Rohm Semiconductor

9,597 -
RFQ
R6025ANZC8

데이터시트

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 150mOhm @ 12.5A, 10V 4.5V @ 1mA 88 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 10 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
R6030ENZC8

R6030ENZC8

MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Rohm Semiconductor

2,649 -
RFQ
R6030ENZC8

데이터시트

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 1mA 85 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
R6035ENZC8

R6035ENZC8

MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Rohm Semiconductor

6,455 -
RFQ
R6035ENZC8

데이터시트

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1mA 110 nC @ 10 V ±20V 2720 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
STB18N55M5

STB18N55M5

MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK

STMicroelectronics

6,328 -
RFQ
STB18N55M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 16A (Tc) 10V 192mOhm @ 8A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1260 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
STW36N55M5

STW36N55M5

MOSFET N-CH 550V 33A TO247

STMicroelectronics

2,274 -
RFQ
STW36N55M5

데이터시트

MDmesh™ V TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 33A (Tc) 10V 80mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±25V 2950 pF @ 100 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXTP140N055T2

IXTP140N055T2

MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB

Littelfuse Inc.

6,389 -
RFQ
IXTP140N055T2

데이터시트

TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 140A (Tc) 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 4760 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Vishay Siliconix

7,124 -
RFQ
SIHB24N65E-E3

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2740 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Vishay Siliconix

6,454 -
RFQ
SIHB24N65ET1-GE3

데이터시트

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2740 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Vishay Siliconix

8,899 -
RFQ
SIHB24N65ET5-GE3

데이터시트

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2740 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF3805L-7PPBF

IRF3805L-7PPBF

MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK

Infineon Technologies

7,132 -
RFQ
IRF3805L-7PPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 160A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7820 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
TSM70N750CP ROG

TSM70N750CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252

Taiwan Semiconductor Corporation

6 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 6A (Tc) 10V 750mOhm @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 10.7 nC @ 10 V ±30V 555 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
STD40NF03LT4

STD40NF03LT4

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

STMicroelectronics

6,964 -
RFQ
STD40NF03LT4

데이터시트

STripFET™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 5V, 10V 11mOhm @ 20A, 10V 1V @ 250µA 30 nC @ 5 V ±20V 1440 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFH5110TR2PBF

IRFH5110TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Infineon Technologies

3,424 -
RFQ
IRFH5110TR2PBF

데이터시트

- 8-PowerVDFN Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) - 12.4mOhm @ 37A, 10V 4V @ 100µA 72 nC @ 10 V - 3152 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
AUIRF3205ZSTRL

AUIRF3205ZSTRL

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Infineon Technologies

2,228 -
RFQ
AUIRF3205ZSTRL

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3450 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Toshiba Semiconductor and Storage

6,870 -
RFQ

-

U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 65A (Ta) 10V 4.5mOhm @ 32.5A, 10V 4V @ 1mA 81 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 50 V - 156W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IPL60R255P6AUMA1

IPL60R255P6AUMA1

MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON

Infineon Technologies

9,664 -
RFQ
IPL60R255P6AUMA1

데이터시트

CoolMOS™ P6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15.9A (Tc) 10V 255mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 530µA 31 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 100 V - 126W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
IPD90P04P405ATMA1

IPD90P04P405ATMA1

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Infineon Technologies

9,714 -
RFQ
IPD90P04P405ATMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 154 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
IPB60R190P6ATMA1

IPB60R190P6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK

Infineon Technologies

9,576 -
RFQ
IPB60R190P6ATMA1

데이터시트

CoolMOS™ P6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V 4.5V @ 630µA 37 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
SIHG22N60S-E3

SIHG22N60S-E3

MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC

Vishay Siliconix

8,740 -
RFQ
SIHG22N60S-E3

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) - 190mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V - 5620 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
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