FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXTA160N10T

IXTA160N10T

MOSFET N-CH 100V 160A TO263

Littelfuse Inc.

4,892 -
RFQ
IXTA160N10T

데이터시트

Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Tc) 10V 7mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 132 nC @ 10 V ±30V 6600 pF @ 25 V - 430W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
IXFP20N60X3

IXFP20N60X3

DISCRETE MOSFET 20A 600V X3 TO22

Littelfuse Inc.

7,325 -
RFQ

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF9530S

IRF9530S

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Vishay Siliconix

3,949 -
RFQ
IRF9530S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF9530STRL

IRF9530STRL

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Vishay Siliconix

3,771 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRL630S

IRL630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Vishay Siliconix

5,009 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 4V, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 1100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRL630STRL

IRL630STRL

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Vishay Siliconix

3,733 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 4V, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 1100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRF9530STRR

IRF9530STRR

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Vishay Siliconix

9,638 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRL630STRR

IRL630STRR

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Vishay Siliconix

2,992 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 4V, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 1100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
2SK2420

2SK2420

MOSFET N-CH 60V 30A TO220F

Sanken Electric USA Inc.

8,046 -
RFQ
2SK2420

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Ta) 10V 28mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 2200 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
IXTA110N12T2

IXTA110N12T2

MOSFET N-CH 120V 110A TO263

IXYS

5,255 -
RFQ
IXTA110N12T2

데이터시트

TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 110A (Tc) 10V 14mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 6570 pF @ 25 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
IXTP230N04T4M

IXTP230N04T4M

MOSFET N-CH 40V 230A TO220

IXYS

8,137 -
RFQ
IXTP230N04T4M

데이터시트

Trench TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 230A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 115A, 10V 4V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±15V 7400 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
IRF644L

IRF644L

MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK

Vishay Siliconix

6,920 -
RFQ

-

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 280mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
HUF75345S3S

HUF75345S3S

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

8,190 -
RFQ
HUF75345S3S

데이터시트

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 275 nC @ 20 V ±20V 4000 pF @ 25 V - 325W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFSL3207

IRFSL3207

MOSFET N-CH 75V 180A TO262

Infineon Technologies

2,190 -
RFQ
IRFSL3207

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 180A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 50 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IRFRC20TRRPBF

IRFRC20TRRPBF

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Vishay Siliconix

8,382 -
RFQ
IRFRC20TRRPBF

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
PHB101NQ04T,118

PHB101NQ04T,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

9,338 -
RFQ
PHB101NQ04T,118

데이터시트

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 36.6 nC @ 10 V ±20V 2020 pF @ 25 V - 157W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF6645TR1PBF

IRF6645TR1PBF

MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

Infineon Technologies

3,547 -
RFQ
IRF6645TR1PBF

데이터시트

HEXFET® DirectFET™ Isometric SJ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 10V 35mOhm @ 5.7A, 10V 4.9V @ 50µA 20 nC @ 10 V ±20V 890 pF @ 25 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SJ
IRF6674TR1PBF

IRF6674TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET

Infineon Technologies

3,721 -
RFQ
IRF6674TR1PBF

데이터시트

HEXFET® DirectFET™ Isometric MZ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13.4A (Ta), 67A (Tc) 10V 11mOhm @ 13.4A, 10V 4.9V @ 100µA 36 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MZ
PSMN1R5-25YL,115

PSMN1R5-25YL,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

5,965 -
RFQ
PSMN1R5-25YL,115

데이터시트

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.5mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 76 nC @ 10 V ±20V 4830 pF @ 12 V - 109W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Infineon Technologies

8,662 -
RFQ
IPD110N12N3GBUMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 75A (Tc) 10V 11mOhm @ 75A, 10V 4V @ 83µA 65 nC @ 10 V ±20V 4310 pF @ 60 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
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