FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IPI05CN10N G

IPI05CN10N G

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Infineon Technologies

2,220 -
RFQ
IPI05CN10N G

데이터시트

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 5.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 181 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
FCP20N60FS

FCP20N60FS

MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

onsemi

9,620 -
RFQ
FCP20N60FS

데이터시트

SuperFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 3080 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
SPP24N60C3HKSA1

SPP24N60C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3

Infineon Technologies

7,444 -
RFQ
SPP24N60C3HKSA1

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24.3A (Tc) 10V 160mOhm @ 15.4A, 10V 3.9V @ 1.2mA 135 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
SPD35N10

SPD35N10

MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

Infineon Technologies

6,360 -
RFQ
SPD35N10

데이터시트

SIPMOS® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 10V 44mOhm @ 26.4A, 10V - 65 nC @ 10 V ±20V 1570 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
PSMN063-150D,118

PSMN063-150D,118

MOSFET N-CH 150V 29A DPAK

Nexperia USA Inc.

7,468 -
RFQ
PSMN063-150D,118

데이터시트

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 29A (Tc) 10V 63mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±20V 2390 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SUM27N20-78-E3

SUM27N20-78-E3

MOSFET N-CH 200V 27A TO263

Vishay Siliconix

8,259 -
RFQ

-

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 27A (Tc) 6V, 10V 78mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFP9140

IRFP9140

MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3

Vishay Siliconix

8,894 -
RFQ
IRFP9140

데이터시트

- TO-247-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 21A (Tc) 10V 200mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IPC218N06N3X7SA1

IPC218N06N3X7SA1

MV POWER MOS

Infineon Technologies

9,691 -
RFQ
IPC218N06N3X7SA1

데이터시트

OptiMOS™ 3 Die Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V - 10V 100mOhm @ 2A, 10V 4V @ 196µA - - - - - - - - Surface Mount Die
IPC218N06N3X1SA2

IPC218N06N3X1SA2

MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL

Infineon Technologies

3,773 -
RFQ
IPC218N06N3X1SA2

데이터시트

OptiMOS™ Die Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Tj) 10V 100mOhm @ 2A, 10V 4V @ 196µA - - - - - - - - Surface Mount Sawn on foil
STB300NH02L

STB300NH02L

MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK

STMicroelectronics

3,795 -
RFQ
STB300NH02L

데이터시트

STripFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 120A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 109.4 nC @ 10 V ±20V 7055 pF @ 15 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
STI200N6F3

STI200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

STMicroelectronics

5,654 -
RFQ
STI200N6F3

데이터시트

STripFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 101 nC @ 10 V ±20V 6265 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
STS25NH3LL-E

STS25NH3LL-E

MOSFET N-CH 30V 25A 8SO

STMicroelectronics

6,888 -
RFQ
STS25NH3LL-E

데이터시트

STripFET™ III 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 12.5A, 10V 1V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±18V 4450 pF @ 25 V - 3.2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
STD100N03LT4

STD100N03LT4

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

STMicroelectronics

7,476 -
RFQ
STD100N03LT4

데이터시트

STripFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 5V, 10V 5.5mOhm @ 40A, 10V 1V @ 250µA 27 nC @ 5 V ±20V 2060 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STL105NS3LLH7

STL105NS3LLH7

MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLAT

STMicroelectronics

6,719 -
RFQ
STL105NS3LLH7

데이터시트

DeepGATE™, STripFET™ VII 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 105A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 13.5A, 10V 1.2V @ 1mA (Min) 13.7 nC @ 4.5 V ±20V 2110 pF @ 25 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
TSM60N900CP ROG

TSM60N900CP ROG

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

Taiwan Semiconductor Corporation

9,165 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V ±30V 480 pF @ 100 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
TSM70N900CP ROG

TSM70N900CP ROG

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252

Taiwan Semiconductor Corporation

7,670 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 4.5A (Tc) 10V 900mOhm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V ±30V 482 pF @ 100 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
SQR50N04-3M8_GE3

SQR50N04-3M8_GE3

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

Vishay Siliconix

8,853 -
RFQ
SQR50N04-3M8_GE3

데이터시트

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V 6700 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
AOWF095A60

AOWF095A60

MOSFET N-CH 600V 38A TO262F

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3,258 -
RFQ
AOWF095A60

데이터시트

aMOS5™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tj) 10V 95mOhm @ 19A, 10V 3V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 4010 pF @ 100 V - 34.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262F
IRL3502

IRL3502

MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB

Infineon Technologies

3,729 -
RFQ
IRL3502

데이터시트

HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 7V 7mOhm @ 64A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 110 nC @ 4.5 V ±10V 4700 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFS4610

IRFS4610

MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

Infineon Technologies

6,874 -
RFQ
IRFS4610

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 73A (Tc) 10V 14mOhm @ 44A, 10V 4V @ 100µA 140 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 50 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
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