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    TomatoElec

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    FET, MOSFET

    제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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    결과

    FET 및 MOSFET

    TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

    당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

    다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

    사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
    FQB11P06TM

    FQB11P06TM

    MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

    onsemi

    		 5,089 -
    RFQ
    		FQB11P06TM

    데이터시트

         		QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11.4A (Tc) 10V 175mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 550 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 53W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FQB5N50CTM

    FQB5N50CTM

    MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

    onsemi

    		 8,420 -
    RFQ
    		FQB5N50CTM

    데이터시트

         		QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 625 pF @ 25 V - 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF9540NSTRRPBF

    IRF9540NSTRRPBF

    MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 8,835 -
    RFQ
    		IRF9540NSTRRPBF

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 117mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IPB60R600C6ATMA1

    IPB60R600C6ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 8,915 -
    RFQ
    		IPB60R600C6ATMA1

    데이터시트

         		CoolMOS™ C6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    NVD6824NLT4G

    NVD6824NLT4G

    MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK

    onsemi

    		 8,073 -
    RFQ
    		NVD6824NLT4G

    데이터시트

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.5A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 3468 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 90W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    IRFR7740TRPBF

    IRFR7740TRPBF

    MOSFET N-CH 75V 87A DPAK

    Infineon Technologies

    		 3,617 -
    RFQ
    		IRFR7740TRPBF

    데이터시트

         		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 87A (Tc) 6V, 10V 7.2mOhm @ 52A, 10V 3.7V @ 100µA 126 nC @ 10 V ±20V 4430 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    TSM70N10CP ROG

    TSM70N10CP ROG

    MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 7,867 -
    RFQ

    -

    		 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 10V 13mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 30 V - 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTMFS5H663NLT1G

    NTMFS5H663NLT1G

    T8 60V LOW COSS

    onsemi

    		 2,484 -
    RFQ
    		NTMFS5H663NLT1G

    데이터시트

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15A (Ta) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 20A, 10V 2V @ 56µA 17 nC @ 10 V ±20V 1131 pF @ 30 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IPI600N25N3GAKSA1

    IPI600N25N3GAKSA1

    MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 2,820 -
    RFQ
    		IPI600N25N3GAKSA1

    데이터시트

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 25A (Tc) 10V 60mOhm @ 25A, 10V 4V @ 90µA 29 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 100 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    STB200NF04L-1

    STB200NF04L-1

    MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

    STMicroelectronics

    		 4,649 -
    RFQ
    		STB200NF04L-1

    데이터시트

         		STripFET™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 5V, 10V 3.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 90 nC @ 4.5 V ±16V 6400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    STB11NM60N-1

    STB11NM60N-1

    MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

    STMicroelectronics

    		 4,786 -
    RFQ
    		STB11NM60N-1

    데이터시트

         		MDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 450mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 850 pF @ 50 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    STI11NM60ND

    STI11NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

    STMicroelectronics

    		 7,985 -
    RFQ
    		STI11NM60ND

    데이터시트

         		FDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 450mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 850 pF @ 50 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    TSM043NB04LCZ

    TSM043NB04LCZ

    40V, 124A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 7,567 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 16A (Ta), 124A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 16A, 10V 2.5V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±20V 4387 pF @ 20 V - 2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    TSM10N80CZ C0G

    TSM10N80CZ C0G

    MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 3,878 -
    RFQ

    -

    		 - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 9.5A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 4.75A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 2336 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    64-0007

    64-0007

    MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 2,690 -
    RFQ
    		64-0007

    데이터시트

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1160 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF1010EZ

    IRF1010EZ

    MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 7,817 -
    RFQ
    		IRF1010EZ

    데이터시트

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V 4V @ 100µA 86 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL3103D2

    IRL3103D2

    MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 5,016 -
    RFQ
    		IRL3103D2

    데이터시트

         		FETKY™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 32A, 10V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±16V 2300 pF @ 25 V - 2W (Ta), 70W (Tc) - - - Through Hole TO-220AB
    IRFZ48ZS

    IRFZ48ZS

    MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 7,630 -
    RFQ
    		IRFZ48ZS

    데이터시트

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 61A (Tc) 10V 11mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF9410

    IRF9410

    MOSFET N-CH 30V 7A 8SO

    Infineon Technologies

    		 5,100 -
    RFQ
    		IRF9410

    데이터시트

         		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 30mOhm @ 7A, 10V 1V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFR9210

    IRFR9210

    MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 8,612 -
    RFQ

    -

    		 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.9A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 8.9 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
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