FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRL540NSTRR

IRL540NSTRR

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Infineon Technologies

6,088 -
RFQ
IRL540NSTRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 4V, 10V 44mOhm @ 18A, 10V 2V @ 250µA 74 nC @ 5 V ±16V 1800 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF7805A

IRF7805A

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

Infineon Technologies

6,600 -
RFQ
IRF7805A

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
HUF75631S3S

HUF75631S3S

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

onsemi

4,739 -
RFQ
HUF75631S3S

데이터시트

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 33A (Tc) 10V 40mOhm @ 33A, 10V 4V @ 250µA 79 nC @ 20 V ±20V 1220 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
94-4582

94-4582

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

Infineon Technologies

9,894 -
RFQ
94-4582

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IXFP8N50P3

IXFP8N50P3

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

IXYS

9,253 -
RFQ
IXFP8N50P3

데이터시트

HiPerFET™, Polar3™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 800mOhm @ 4A, 10V 5V @ 1.5mA 13 nC @ 10 V ±30V 705 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STP265N6F6AG

STP265N6F6AG

MOSFET N-CH 60V 180A TO220

STMicroelectronics

6,584 -
RFQ
STP265N6F6AG

데이터시트

STripFET™ F6 TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 10V 2.85mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 183 nC @ 10 V ±20V 11800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220
IRF7809ATR

IRF7809ATR

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO

Infineon Technologies

3,160 -
RFQ
IRF7809ATR

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14.5A (Ta) 4.5V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 75 nC @ 5 V ±12V 7300 pF @ 16 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRFR3103TRL

IRFR3103TRL

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

Infineon Technologies

2,050 -
RFQ
IRFR3103TRL

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.7A (Ta) 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR3103TR

IRFR3103TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

Infineon Technologies

6,768 -
RFQ
IRFR3103TR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.7A (Ta) 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR3103TRR

IRFR3103TRR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

Infineon Technologies

9,694 -
RFQ
IRFR3103TRR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.7A (Ta) 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
MTD6N20ET4

MTD6N20ET4

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

onsemi

2,164 -
RFQ
MTD6N20ET4

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6A (Tc) - 700mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V - 480 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount DPAK
IRF7807VD2TRPBF

IRF7807VD2TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Infineon Technologies

3,741 -
RFQ
IRF7807VD2TRPBF

데이터시트

FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V - Schottky Diode (Isolated) 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IRF540NSTRRPBF

IRF540NSTRRPBF

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

Infineon Technologies

2,211 -
RFQ
IRF540NSTRRPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 33A (Tc) 10V 44mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 1960 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FQD17N08LTM

FQD17N08LTM

MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252

onsemi

5,835 -
RFQ
FQD17N08LTM

데이터시트

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12.9A (Tc) 5V, 10V 100mOhm @ 6.45A, 10V 2V @ 250µA 11.5 nC @ 5 V ±20V 520 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

4,543 -
RFQ
SI7107DN-T1-E3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.8A (Ta) 1.8V, 4.5V 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V 1V @ 450µA 44 nC @ 4.5 V ±8V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
IRLR7843TRLPBF

IRLR7843TRLPBF

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

Infineon Technologies

3,210 -
RFQ
IRLR7843TRLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 161A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 2.3V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 4380 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
FDS8670

FDS8670

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

onsemi

8,419 -
RFQ
FDS8670

데이터시트

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 21A, 10V 3V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 4040 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
STB45NF06T4

STB45NF06T4

MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK

STMicroelectronics

6,468 -
RFQ
STB45NF06T4

데이터시트

STripFET™ II TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 38A (Tc) 10V 28mOhm @ 19A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 1730 pF @ 25 V - 80W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
SI3445DV-T1-E3

SI3445DV-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 6TSOP

Vishay Siliconix

5,084 -
RFQ

-

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 5.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 42mOhm @ 5.6A, 4.5V 1V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±8V - - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 14A 8SO

Vishay Siliconix

4,016 -
RFQ
SI4408DY-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 21A, 10V 1V @ 250µA (Min) 32 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
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