FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IRFU9014

IRFU9014

MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA

Vishay Siliconix

3,595 -
RFQ
IRFU9014

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
IRFR310TRL

IRFR310TRL

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

Vishay Siliconix

3,191 -
RFQ
IRFR310TRL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.7A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR310TRR

IRFR310TRR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

Vishay Siliconix

3,170 -
RFQ
IRFR310TRR

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.7A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFR4105TRR

IRFR4105TRR

MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

Infineon Technologies

4,278 -
RFQ
IRFR4105TRR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 27A (Tc) 10V 45mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRFR9010TRL

IRFR9010TRL

MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

Vishay Siliconix

9,879 -
RFQ
IRFR9010TRL

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 9.1 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFU9010

IRFU9010

MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA

Vishay Siliconix

2,563 -
RFQ
IRFU9010

데이터시트

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 9.1 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
SI7358ADP-T1-E3

SI7358ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,177 -
RFQ

-

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 23A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±20V 4650 pF @ 15 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SI7358ADP-T1-GE3

SI7358ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

8,196 -
RFQ

-

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 23A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±20V 4650 pF @ 15 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SI7674DP-T1-E3

SI7674DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

7,452 -
RFQ
SI7674DP-T1-E3

데이터시트

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 5910 pF @ 15 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
SI7674DP-T1-GE3

SI7674DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,670 -
RFQ
SI7674DP-T1-GE3

데이터시트

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 5910 pF @ 15 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
IRFU3711

IRFU3711

MOSFET N-CH 20V 100A IPAK

Infineon Technologies

4,996 -
RFQ
IRFU3711

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 2.5W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
HUFA75639G3

HUFA75639G3

MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3

onsemi

6,969 -
RFQ

-

UltraFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A (Tc) 10V 25mOhm @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 20 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
FCP260N65S3

FCP260N65S3

MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3

onsemi

9,858 -
RFQ
FCP260N65S3

데이터시트

SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 260mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 1.2mA 24 nC @ 10 V ±30V 1010 pF @ 400 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFR2407TR

IRFR2407TR

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

Infineon Technologies

2,382 -
RFQ
IRFR2407TR

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) 10V 26mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
FQP8N90C

FQP8N90C

MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3

onsemi

4,339 -
RFQ
FQP8N90C

데이터시트

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6.3A (Tc) 10V 1.9Ohm @ 3.15A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V 2080 pF @ 25 V - 171W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
AOW190A60C

AOW190A60C

MOSFET N-CH 600V 20A TO262

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

4,550 -
RFQ
AOW190A60C

데이터시트

aMOS5™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V 4.6V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1935 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
AOWF190A60C

AOWF190A60C

MOSFET N-CH 600V 20A TO262F

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

7,734 -
RFQ
AOWF190A60C

데이터시트

aMOS5™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tj) 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V 4.6V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1935 pF @ 100 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262F
SPA11N60C3IN

SPA11N60C3IN

MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31

Infineon Technologies

7,018 -
RFQ
SPA11N60C3IN

데이터시트

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 60 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
HUFA76443P3

HUFA76443P3

MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

onsemi

9,891 -
RFQ
HUFA76443P3

데이터시트

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 129 nC @ 10 V ±16V 4115 pF @ 25 V - 260W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFR4105Z

IRFR4105Z

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Infineon Technologies

2,401 -
RFQ
IRFR4105Z

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
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