FET, MOSFET

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

FET 및 MOSFET

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 FET 및 MOSFET를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 전계효과 트랜지스터, 전력 MOSFET 및 기타 일반적으로 사용되는 스위칭 및 제어용 반도체 제품을 포함합니다.

당사는 FET 및 MOSFET 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 FET 및 MOSFET 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 FET 유형 기술 드레인-소스 전압(Vdss) 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) Rds 켜짐(최대) @ Id, Vgs Vgs(th) (최대) @ Id 게이트 충전(Qg) (최대) @ Vgs Vgs (최대) 입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds FET 기능 전력 소모(최대) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
STF22N60DM6

STF22N60DM6

MOSFET N-CH 600V 15A TO220FP

STMicroelectronics

7,763 -
RFQ
STF22N60DM6

데이터시트

MDmesh™ M6 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 230mOhm @ 7.5A, 10V 4.75V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V 800 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IRFU6215

IRFU6215

MOSFET P-CH 150V 13A IPAK

Infineon Technologies

7,423 -
RFQ
IRFU6215

데이터시트

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
IRC540PBF

IRC540PBF

MOSFET N-CH 100V 28A TO220-5

Vishay Siliconix

3,826 -
RFQ
IRC540PBF

데이터시트

HEXFET® TO-220-5 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 10V 77mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V Current Sensing 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5
IRF1404ZSTRRPBF

IRF1404ZSTRRPBF

MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK

Infineon Technologies

2,861 -
RFQ
IRF1404ZSTRRPBF

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 150 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
PSMN7R8-120ESQ

PSMN7R8-120ESQ

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Nexperia USA Inc.

8,829 -
RFQ
PSMN7R8-120ESQ

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 70A (Tc) 10V 7.9mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 167 nC @ 10 V ±20V 9473 pF @ 60 V - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
HUFA75842P3

HUFA75842P3

MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

onsemi

9,562 -
RFQ
HUFA75842P3

데이터시트

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 175 nC @ 20 V ±20V 2730 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TSM2N100CH C5G

TSM2N100CH C5G

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

Taiwan Semiconductor Corporation

3,322 -
RFQ

-

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 1.85A (Tc) 10V 8.5Ohm @ 900mA, 10V 5.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 625 pF @ 25 V - 77W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
IRF3707ZCSTRR

IRF3707ZCSTRR

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

Infineon Technologies

9,925 -
RFQ
IRF3707ZCSTRR

데이터시트

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 59A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 1210 pF @ 15 V - 57W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IRF6617TR1

IRF6617TR1

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

Infineon Technologies

5,659 -
RFQ
IRF6617TR1

데이터시트

HEXFET® DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta), 55A (Tc) 4.5V, 10V 8.1mOhm @ 15A, 10V 2.35V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1300 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ ST
IRL3705NLPBF

IRL3705NLPBF

MOSFET N-CH 55V 89A TO262

Infineon Technologies

4,522 -
RFQ
IRL3705NLPBF

데이터시트

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 89A (Tc) 4V, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 2V @ 250µA 98 nC @ 5 V ±16V 3600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
HUF76443P3

HUF76443P3

MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

onsemi

3,634 -
RFQ
HUF76443P3

데이터시트

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 129 nC @ 10 V ±16V 4115 pF @ 25 V - 260W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
BSB165N15NZ3GXUMA2

BSB165N15NZ3GXUMA2

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

2,603 -
RFQ
BSB165N15NZ3GXUMA2

데이터시트

- DirectFET™ Isometric MZ Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 9A (Ta), 45A (Tc) 8V, 10V 16.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 110µA 35 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 75 V - 2.8W (Ta), 78W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2-9
BSB165N15NZ3GXUMA3

BSB165N15NZ3GXUMA3

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

8,113 -
RFQ
BSB165N15NZ3GXUMA3

데이터시트

- DirectFET™ Isometric MZ Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 9A (Ta), 45A (Tc) 8V, 10V 16.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 110µA 35 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 75 V - 2.8W (Ta), 78W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2-9
IPL65R340CFDAUMA2

IPL65R340CFDAUMA2

MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON

Infineon Technologies

6,755 -
RFQ
IPL65R340CFDAUMA2

데이터시트

CoolMOS™ CFD2 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.9A (Tc) 10V 340mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 400µA 41 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104.2W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
TSM80N1R2CH C5G

TSM80N1R2CH C5G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251

Taiwan Semiconductor Corporation

7,440 -
RFQ

-

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.75A, 10V 4V @ 250µA 19.4 nC @ 10 V ±30V 685 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Rohm Semiconductor

6,932 -
RFQ
RDN080N25FU6

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8A (Ta) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±30V 543 pF @ 10 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FN
IRFR18N15DTRPBF

IRFR18N15DTRPBF

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Infineon Technologies

2,344 -
RFQ
IRFR18N15DTRPBF

데이터시트

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
IRF6216TRPBF

IRF6216TRPBF

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO

Infineon Technologies

4,922 -
RFQ
IRF6216TRPBF

데이터시트

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2.2A (Ta) 10V 240mOhm @ 1.3A, 10V 5V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±20V 1280 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
IPD530N15N3GBTMA1

IPD530N15N3GBTMA1

MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

Infineon Technologies

7,579 -
RFQ
IPD530N15N3GBTMA1

데이터시트

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 8V, 10V 53mOhm @ 18A, 10V 4V @ 35µA 12 nC @ 10 V ±20V 887 pF @ 75 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,130 -
RFQ
SI7635DP-T1-GE3

데이터시트

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 26A, 10V 2.2V @ 250µA 143 nC @ 10 V ±16V 4595 pF @ 10 V - 5W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
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