단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1A1-AP

1A1-AP

DIODE GEN PURP 50V 1A R-1

Micro Commercial Co

5,995 -
RFQ
1A1-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 50 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 50 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1A3-AP

1A3-AP

DIODE GEN PURP 200V 1A R-1

Micro Commercial Co

5,146 -
RFQ
1A3-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 200 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1A4-AP

1A4-AP

DIODE GEN PURP 400V 1A R-1

Micro Commercial Co

5,745 -
RFQ
1A4-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1A5-AP

1A5-AP

DIODE GEN PURP 600V 1A R-1

Micro Commercial Co

3,286 -
RFQ
1A5-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 600 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 600 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1A6-AP

1A6-AP

DIODE GEN PURP 800V 1A R-1

Micro Commercial Co

5,194 -
RFQ
1A6-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 800 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1A7-AP

1A7-AP

DIODE GEN PURP 1KV 1A R-1

Micro Commercial Co

6,114 -
RFQ
1A7-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 1000 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1F1-AP

1F1-AP

DIODE GEN PURP 50V 1A R-1

Micro Commercial Co

4,990 -
RFQ
1F1-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 50 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 50 V 12pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1F2-AP

1F2-AP

DIODE GEN PURP 100V 1A R-1

Micro Commercial Co

4,606 -
RFQ
1F2-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 100 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 100 V 12pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1F3-AP

1F3-AP

DIODE GEN PURP 200V 1A R-1

Micro Commercial Co

6,061 -
RFQ
1F3-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 200 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 200 V 12pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1F4-AP

1F4-AP

DIODE GEN PURP 400V 1A R-1

Micro Commercial Co

6,487 -
RFQ
1F4-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 400 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 400 V 12pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1F5-AP

1F5-AP

DIODE GEN PURP 600V 1A R-1

Micro Commercial Co

4,251 -
RFQ
1F5-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 600 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 600 V 12pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1F6-AP

1F6-AP

DIODE GEN PURP 800V 1A R-1

Micro Commercial Co

7,797 -
RFQ
1F6-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 800 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 800 V 12pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1F7-AP

1F7-AP

DIODE GEN PURP 1KV 1A R-1

Micro Commercial Co

8,233 -
RFQ
1F7-AP

데이터시트

- R-1, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 1000 V 12pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-1 -55°C ~ 150°C
1N4933-AP

1N4933-AP

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Micro Commercial Co

7,774 -
RFQ
1N4933-AP

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 50 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 50 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 150°C
1N4934-AP

1N4934-AP

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Micro Commercial Co

4,173 -
RFQ
1N4934-AP

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 100 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 100 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 150°C
1N4935-AP

1N4935-AP

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Micro Commercial Co

3,541 -
RFQ
1N4935-AP

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 200 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 200 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 150°C
1N4936-AP

1N4936-AP

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Micro Commercial Co

3,186 -
RFQ
1N4936-AP

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 400 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 150°C
1N4937-AP

1N4937-AP

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Micro Commercial Co

3,307 -
RFQ
1N4937-AP

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 600 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 600 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 150°C
1N4942-AP

1N4942-AP

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Micro Commercial Co

4,980 -
RFQ
1N4942-AP

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 200 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 200 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 150°C
1N4944-AP

1N4944-AP

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Micro Commercial Co

4,978 -
RFQ
1N4944-AP

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 400 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -55°C ~ 150°C
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