단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
APT50SCE120B

APT50SCE120B

DIODE SCHOTTKY 1200V 50A TO247

Microsemi Corporation

4,586 -
RFQ

-

* - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - -
APT50SCE65B

APT50SCE65B

DIODE SCHOTTKY 650V 50A TO247

Microsemi Corporation

3,279 -
RFQ

-

* - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - -
SURS8120T3G-IR01

SURS8120T3G-IR01

DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

onsemi

8,638 -
RFQ
SURS8120T3G-IR01

데이터시트

- DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 200 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 2 µA @ 200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount SMB -65°C ~ 175°C
SURS8220T3G-IR01

SURS8220T3G-IR01

DIODE GEN PURP 200V 2A SMB

onsemi

7,353 -
RFQ
SURS8220T3G-IR01

데이터시트

- DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 2A 950 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 2 µA @ 200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount SMB -65°C ~ 175°C
CMC02(TE12L,Q,M)

CMC02(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

8,850 -
RFQ
CMC02(TE12L,Q,M)

데이터시트

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -40°C ~ 150°C
CMF02(TE12L,Q,M)

CMF02(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

4,194 -
RFQ

-

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 1A 2 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -40°C ~ 150°C
CMG02(TE12L,Q,M)

CMG02(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

8,418 -
RFQ

-

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 2A 1.1 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -40°C ~ 150°C
CMG03(TE12L,Q,M)

CMG03(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 600V 2A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

3,511 -
RFQ

-

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 2A 1.1 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -40°C ~ 150°C
CMG05(TE12L,Q,M)

CMG05(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

6,301 -
RFQ

-

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -40°C ~ 150°C
CMG06(TE12L,Q,M)

CMG06(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

2,972 -
RFQ
CMG06(TE12L,Q,M)

데이터시트

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -40°C ~ 150°C
CMG07(TE12L,Q,M)

CMG07(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

9,957 -
RFQ
CMG07(TE12L,Q,M)

데이터시트

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 1A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns - - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -
CMH02A(TE12L,Q,M)

CMH02A(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 400V 3A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

6,871 -
RFQ

-

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 3A 1.8 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -40°C ~ 150°C
CMH05(TE12L,Q,M)

CMH05(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

2,486 -
RFQ
CMH05(TE12L,Q,M)

데이터시트

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -40°C ~ 150°C
CMH08(TE12L,Q,M)

CMH08(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

5,815 -
RFQ
CMH08(TE12L,Q,M)

데이터시트

- SOD-128 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 2A 1.3 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) -40°C ~ 150°C
CRG09(TE85L,Q,M)

CRG09(TE85L,Q,M)

DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

3,617 -
RFQ
CRG09(TE85L,Q,M)

데이터시트

- SOD-123F Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 1A 1.1 V @ 700 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) -40°C ~ 150°C
CUS03(TE85L,Q,M)

CUS03(TE85L,Q,M)

DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

6,640 -
RFQ

-

- SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 700mA 520 mV @ 700 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V 45pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount US-FLAT (1.25x2.5) -40°C ~ 150°C
CUS04(TE85L,Q,M)

CUS04(TE85L,Q,M)

DIODE SCHOTTKY 60V 700MA US-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

4,352 -
RFQ

-

- SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 60 V 700mA 580 mV @ 700 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 60 V 38pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount US-FLAT (1.25x2.5) -40°C ~ 150°C
CUS05(TE85L,Q,M)

CUS05(TE85L,Q,M)

DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

7,839 -
RFQ

-

- SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 1A 370 mV @ 700 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V 40pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount US-FLAT (1.25x2.5) -40°C ~ 125°C
CUS06(TE85L,Q,M)

CUS06(TE85L,Q,M)

DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

8,141 -
RFQ

-

- SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 1A 450 mV @ 700 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 20 V 40pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount US-FLAT (1.25x2.5) -40°C ~ 150°C
CUS10I30A(TE85L,QM

CUS10I30A(TE85L,QM

DIODE SCHOTTKY 30V 1A US-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage

7,187 -
RFQ

-

- SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 1A 390 mV @ 700 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 60 µA @ 30 V 50pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount US-FLAT (1.25x2.5) 150°C (Max)
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