단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
SR520HB0G

SR520HB0G

DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

8,933 -
RFQ
SR520HB0G

데이터시트

- DO-201AD, Axial Bulk Active Schottky 200 V 5A 1.05 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-201AD -55°C ~ 150°C
SR804 B0G

SR804 B0G

DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

7,423 -
RFQ
SR804 B0G

데이터시트

- DO-201AD, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Schottky 40 V 8A 550 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V - - - Through Hole DO-201AD -55°C ~ 125°C
UF1D B0G

UF1D B0G

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

8,319 -
RFQ
UF1D B0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 200 V 17pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
UF1J B0G

UF1J B0G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

9,327 -
RFQ
UF1J B0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.7 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 600 V 17pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
UF4005 B0G

UF4005 B0G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

3,676 -
RFQ
UF4005 B0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.7 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 600 V 17pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
UF4007 B0G

UF4007 B0G

DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

4,400 -
RFQ
UF4007 B0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 1000 V 1A 1.7 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 1000 V 17pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
UG2D B0G

UG2D B0G

DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

8,971 -
RFQ

-

- DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 200 V 2A 950 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 5 µA @ 200 V 35pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
UG54GHB0G

UG54GHB0G

DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

5,659 -
RFQ
UG54GHB0G

데이터시트

- DO-201AD, Axial Bulk Active Standard 200 V 5A 1.05 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 10 µA @ 200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-201AD -55°C ~ 175°C
ARS5045 B0G

ARS5045 B0G

DIODE GEN PURP 45V 50A ARS

Taiwan Semiconductor Corporation

7,379 -
RFQ

-

- ARS Bulk Active Standard 45 V 50A 550 mV @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 µA @ 45 V 2700pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount ARS -55°C ~ 175°C
ARS5045HB0G

ARS5045HB0G

DIODE GEN PURP 45V 50A ARS

Taiwan Semiconductor Corporation

9,921 -
RFQ

-

- ARS Bulk Active Standard 45 V 50A 550 mV @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 µA @ 45 V 2700pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount ARS -55°C ~ 175°C
1N3611

1N3611

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Semtech Corporation

9,468 -
RFQ
1N3611

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
1N3612

1N3612

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Semtech Corporation

7,576 -
RFQ
1N3612

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
1N3613

1N3613

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Semtech Corporation

7,476 -
RFQ
1N3613

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 600 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
1N3614

1N3614

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Semtech Corporation

4,655 -
RFQ
1N3614

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
1N3645

1N3645

DIODE GEN PURP 2KV 600MA AXIAL

Semtech Corporation

6,846 -
RFQ
1N3645

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 2000 V 600mA 5 V @ 250 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2.5 µs 1 µA @ 2000 V 8pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
1N3957

1N3957

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Semtech Corporation

2,266 -
RFQ
1N3957

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1000 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 1000 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
1N4245

1N4245

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Semtech Corporation

4,791 -
RFQ
1N4245

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 200 V 1A 1.2 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Through Hole Axial -
1N4246

1N4246

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Semtech Corporation

7,160 -
RFQ
1N4246

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 400 V 1A 1.2 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - - - Through Hole Axial -
1N4247

1N4247

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Semtech Corporation

3,426 -
RFQ
1N4247

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 1A 1.2 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - - - Through Hole Axial -
1N4248

1N4248

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Semtech Corporation

9,650 -
RFQ
1N4248

데이터시트

- Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 1A 1.2 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 800 V - - - Through Hole Axial -
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