단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

모두 초기화
모두 적용
결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

2,723 -
RFQ
1N4006GHB0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V 10pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
1N4007G B0G

1N4007G B0G

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

5,035 -
RFQ
1N4007G B0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 1000 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 10pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
1N4007GHB0G

1N4007GHB0G

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

7,006 -
RFQ
1N4007GHB0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1000 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 10pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
1N4934G B0G

1N4934G B0G

DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

9,926 -
RFQ
1N4934G B0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 100 V 1A 1.2 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 100 V 10pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
1N4936GHB0G

1N4936GHB0G

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

2,612 -
RFQ
1N4936GHB0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.2 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 400 V 10pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
1N4937G B0G

1N4937G B0G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

5,281 -
RFQ
1N4937G B0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.2 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 600 V 10pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
1N5397G B0G

1N5397G B0G

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

8,571 -
RFQ
1N5397G B0G

데이터시트

- DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 600 V 1.5A 1 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 600 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
1N5398GHB0G

1N5398GHB0G

DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

9,011 -
RFQ
1N5398GHB0G

데이터시트

- DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 800 V 1.5A 1 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V 15pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
1N5400GHB0G

1N5400GHB0G

DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

9,342 -
RFQ
1N5400GHB0G

데이터시트

- DO-201AD, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 1.1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 50 V 25pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-201AD -55°C ~ 150°C
1N5819 B0G

1N5819 B0G

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

9,680 -
RFQ
1N5819 B0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 40 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 40 V 55pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 125°C
1N5819HB0G

1N5819HB0G

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL

Taiwan Semiconductor Corporation

2,371 -
RFQ
1N5819HB0G

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 40 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 40 V 55pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 125°C
1N5820 B0G

1N5820 B0G

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

4,819 -
RFQ
1N5820 B0G

데이터시트

- DO-201AD, Axial Bulk Active Schottky 20 V 3A 475 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 20 V 200pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -55°C ~ 125°C
2A06G B0G

2A06G B0G

DIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

6,981 -
RFQ
2A06G B0G

데이터시트

- DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 800 V 2A 1 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
2A07G B0G

2A07G B0G

DIODE GEN PURP 2A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

2,450 -
RFQ
2A07G B0G

데이터시트

- DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 1000 V 2A 1 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
31DF4 B0G

31DF4 B0G

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Taiwan Semiconductor Corporation

5,306 -
RFQ

-

- DO-201AD, Axial Bulk Active Standard 400 V 3A 1.7 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 20 µA @ 400 V - - - Through Hole DO-201AD -40°C ~ 150°C
3A100 B0G

3A100 B0G

DIODE GEN PURP 3A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

9,182 -
RFQ

-

- DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1000 V 3A 1.1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 27pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
3A60 B0G

3A60 B0G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Taiwan Semiconductor Corporation

3,991 -
RFQ

-

- DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 3A 1.1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 600 V 27pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -55°C ~ 150°C
6A100G B0G

6A100G B0G

DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

6,408 -
RFQ
6A100G B0G

데이터시트

- R-6, Axial Bulk Active Standard 1000 V 6A 1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C
6A10G B0G

6A10G B0G

DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

2,069 -
RFQ
6A10G B0G

데이터시트

- R-6, Axial Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 100 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C
6A10GHB0G

6A10GHB0G

DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

5,123 -
RFQ
6A10GHB0G

데이터시트

- R-6, Axial Bulk Active Standard 100 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V 60pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole R-6 -55°C ~ 150°C
TomatoElec

검색

TomatoElec

제품

TomatoElec

전화번호

TomatoElec

사용자