단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
C3D1P7060Q

C3D1P7060Q

DIODE SIL CARB 600V 9.7A 10QFN

Wolfspeed, Inc.

6,720 -
RFQ
C3D1P7060Q

데이터시트

Z-Rec® 10-PowerTQFN Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 9.7A 1.7 V @ 1.7 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 100pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 10-Power QFN (3.3x3.3) -55°C ~ 160°C
GPP100MS-E3/54

GPP100MS-E3/54

DIODE GEN PURP 1KV 10A P600

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,691 -
RFQ
GPP100MS-E3/54

데이터시트

- P600, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1000 V 10A 1.05 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5.5 µs 5 µA @ 1000 V 110pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole P600 -55°C ~ 175°C
IDH10G65C5XKSA1

IDH10G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

Infineon Technologies

7,297 -
RFQ
IDH10G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 340 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH05G65C5XKSA1

IDH05G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 5A TO220-2-2

Infineon Technologies

2,413 -
RFQ
IDH05G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 5A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 170 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH08G65C5XKSA1

IDH08G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2-2

Infineon Technologies

4,174 -
RFQ
IDH08G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 280 µA @ 650 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDW40G65C5FKSA1

IDW40G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3

Infineon Technologies

3,629 -
RFQ
IDW40G65C5FKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-3 Bulk Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 40A 1.7 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 1.4 mA @ 650 V 1140pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
IDH20G65C5XKSA1

IDH20G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

Infineon Technologies

3,626 -
RFQ
IDH20G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 700 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDW10G65C5FKSA1

IDW10G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3

Infineon Technologies

5,244 -
RFQ
IDW10G65C5FKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
IDH03G65C5XKSA1

IDH03G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2

Infineon Technologies

5,340 -
RFQ
IDH03G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 3A 1.7 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 100pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH06G65C5XKSA1

IDH06G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2-2

Infineon Technologies

8,969 -
RFQ
IDH06G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 190pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH04G65C5XKSA1

IDH04G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2

Infineon Technologies

2,826 -
RFQ
IDH04G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDW12G65C5FKSA1

IDW12G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3

Infineon Technologies

9,222 -
RFQ
IDW12G65C5FKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 500 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
IDW16G65C5FKSA1

IDW16G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3

Infineon Technologies

3,635 -
RFQ
IDW16G65C5FKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 600 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
IDW20G65C5FKSA1

IDW20G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

Infineon Technologies

4,510 -
RFQ
IDW20G65C5FKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 700 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
IDH09G65C5XKSA1

IDH09G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-2

Infineon Technologies

9,643 -
RFQ
IDH09G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9A 1.7 V @ 9 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 310 µA @ 650 V 270pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH16G65C5XKSA1

IDH16G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2

Infineon Technologies

8,688 -
RFQ
IDH16G65C5XKSA1

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 550 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
CD1206-S01575

CD1206-S01575

DIODE GEN PURP 100V 150MA 1206

Bourns Inc.

4,511 -
RFQ

-

- 1206 (3216 Metric) Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 150mA 1 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 2.5 µA @ 100 V 3pF @ 0V, 100MHz - - Surface Mount 1206 -55°C ~ 125°C
VS-8S2TH06I-M

VS-8S2TH06I-M

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,493 -
RFQ

-

FRED Pt® TO-220-2 Bulk Obsolete Standard 600 V 8A 3.1 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 16 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-8ETX06SPBF

VS-8ETX06SPBF

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,929 -
RFQ
VS-8ETX06SPBF

데이터시트

FRED Pt® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 8A 3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 17 ns 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -65°C ~ 175°C
APT30SCD120S

APT30SCD120S

DIODE SIL CARB 1.2KV 99A D3PAK

Microsemi Corporation

7,169 -
RFQ
APT30SCD120S

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 99A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 600 µA @ 1200 V 2100pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 150°C
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