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0755-82798135단일 다이오드
단일 다이오드
TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.
당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.
다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.
| 사진 | 제조사 부품 번호 | 재고 상태 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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C3D1P7060QDIODE SIL CARB 600V 9.7A 10QFN |
6,720 | - |
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데이터시트 |
Z-Rec® | 10-PowerTQFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 9.7A | 1.7 V @ 1.7 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 100pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | 10-Power QFN (3.3x3.3) | -55°C ~ 160°C |
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GPP100MS-E3/54DIODE GEN PURP 1KV 10A P600 |
2,691 | - |
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데이터시트 |
- | P600, Axial | Tape & Reel (TR) | Obsolete | Standard | 1000 V | 10A | 1.05 V @ 10 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5.5 µs | 5 µA @ 1000 V | 110pF @ 4V, 1MHz | - | - | Through Hole | P600 | -55°C ~ 175°C |
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IDH10G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2 |
7,297 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.7 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 340 µA @ 650 V | 300pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-2 | -55°C ~ 175°C |
|
IDH05G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 5A TO220-2-2 |
2,413 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 5A | 1.7 V @ 5 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 170 µA @ 650 V | 160pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-2 | -55°C ~ 175°C |
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IDH08G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2-2 |
4,174 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 8A | 1.7 V @ 8 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 280 µA @ 650 V | 250pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-2 | -55°C ~ 175°C |
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IDW40G65C5FKSA1DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3 |
3,629 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-247-3 | Bulk | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 40A | 1.7 V @ 40 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 1.4 mA @ 650 V | 1140pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 | -55°C ~ 175°C |
|
IDH20G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 |
3,626 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 20A | 1.7 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 700 µA @ 650 V | 590pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-2 | -55°C ~ 175°C |
|
IDW10G65C5FKSA1DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 |
5,244 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-247-3 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 10A | 1.7 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 400 µA @ 650 V | 300pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-41 | -55°C ~ 175°C |
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IDH03G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2 |
5,340 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 3A | 1.7 V @ 3 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 600 V | 100pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-2 | -55°C ~ 175°C |
|
IDH06G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2-2 |
8,969 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 6A | 1.7 V @ 6 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 210 µA @ 650 V | 190pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-2 | -55°C ~ 175°C |
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IDH04G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2 |
2,826 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 4A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 140 µA @ 650 V | 130pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-2 | -55°C ~ 175°C |
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IDW12G65C5FKSA1DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3 |
9,222 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-247-3 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 12A | 1.7 V @ 12 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 500 µA @ 650 V | 360pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-41 | -55°C ~ 175°C |
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IDW16G65C5FKSA1DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 |
3,635 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-247-3 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 16A | 1.7 V @ 16 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 600 µA @ 650 V | 470pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 | -55°C ~ 175°C |
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IDW20G65C5FKSA1DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 |
4,510 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-247-3 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 20A | 1.7 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 700 µA @ 650 V | 590pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 | -55°C ~ 175°C |
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IDH09G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-2 |
9,643 | - |
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데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 9A | 1.7 V @ 9 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 310 µA @ 650 V | 270pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-2 | -55°C ~ 175°C |
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IDH16G65C5XKSA1DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2 |
8,688 | - |
|
데이터시트 |
CoolSiC™+ | TO-220-2 | Tube | Discontinued at Digi-Key | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 16A | 1.7 V @ 16 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 550 µA @ 650 V | 470pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | PG-TO220-2-2 | -55°C ~ 175°C |
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CD1206-S01575DIODE GEN PURP 100V 150MA 1206 |
4,511 | - |
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- |
- | 1206 (3216 Metric) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | Standard | 100 V | 150mA | 1 V @ 50 mA | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 4 ns | 2.5 µA @ 100 V | 3pF @ 0V, 100MHz | - | - | Surface Mount | 1206 | -55°C ~ 125°C |
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VS-8S2TH06I-MDIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
2,493 | - |
|
- |
FRED Pt® | TO-220-2 | Bulk | Obsolete | Standard | 600 V | 8A | 3.1 V @ 8 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 16 ns | 50 µA @ 600 V | - | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
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VS-8ETX06SPBFDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
4,929 | - |
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데이터시트 |
FRED Pt® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Discontinued at Digi-Key | Standard | 600 V | 8A | 3 V @ 8 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 17 ns | 50 µA @ 600 V | - | - | - | Surface Mount | TO-263AB (D2PAK) | -65°C ~ 175°C |
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APT30SCD120SDIODE SIL CARB 1.2KV 99A D3PAK |
7,169 | - |
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데이터시트 |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 99A | 1.8 V @ 30 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 600 µA @ 1200 V | 2100pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | D3PAK | -55°C ~ 150°C |
