단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
RR601B4STL

RR601B4STL

DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Rohm Semiconductor

3,098 -
RFQ

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 2A 1.15 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 10 µA @ 400 V - - - - - -55°C ~ 150°C
DB2U30900L

DB2U30900L

DIODE SCHOT 30V 100MA USSMINI2

Panasonic Electronic Components

9,823 -
RFQ
DB2U30900L

데이터시트

- SOD-923 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 100mA 580 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.3 ns 2 µA @ 30 V 3pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount USSMINI2-F2-B 125°C (Max)
DB2X20600L

DB2X20600L

DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI2-F4-B

Panasonic Electronic Components

5,823 -
RFQ
DB2X20600L

데이터시트

- SOD-123F Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 1A 450 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 100 µA @ 20 V 20pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount Mini2-F4-B 125°C (Max)
NSR05F30NRT5G

NSR05F30NRT5G

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA 2DSN

onsemi

5,647 -
RFQ
NSR05F30NRT5G

데이터시트

- 0402 (1006 Metric) Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 500mA 430 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 75 µA @ 30 V - - - Surface Mount 2-DSN (1x0.6), (0402) 150°C (Max)
VS-20ETF04PBF

VS-20ETF04PBF

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,765 -
RFQ
VS-20ETF04PBF

데이터시트

- TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 400 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-30EPF02PBF

VS-30EPF02PBF

DIODE GP 200V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,886 -
RFQ
VS-30EPF02PBF

데이터시트

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 200 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-30EPF04PBF

VS-30EPF04PBF

DIODE GP 400V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,133 -
RFQ
VS-30EPF04PBF

데이터시트

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 400 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-30EPF12PBF

VS-30EPF12PBF

DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,009 -
RFQ
VS-30EPF12PBF

데이터시트

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-40EPF10PBF

VS-40EPF10PBF

DIODE GP 1KV 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,648 -
RFQ

-

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1000 V 40A 1.4 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-40EPF12PBF

VS-40EPF12PBF

DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,211 -
RFQ

-

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 40A 1.4 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPF04PBF

VS-60EPF04PBF

DIODE GP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,115 -
RFQ
VS-60EPF04PBF

데이터시트

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPF10PBF

VS-60EPF10PBF

DIODE GP 1KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,939 -
RFQ

-

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1000 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-20ETF02PBF

VS-20ETF02PBF

DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,352 -
RFQ
VS-20ETF02PBF

데이터시트

- TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 200 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-20ETF08PBF

VS-20ETF08PBF

DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,942 -
RFQ
VS-20ETF08PBF

데이터시트

- TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-20ETF12PBF

VS-20ETF12PBF

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,657 -
RFQ
VS-20ETF12PBF

데이터시트

- TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-30EPF10PBF

VS-30EPF10PBF

DIODE GP 1KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,458 -
RFQ
VS-30EPF10PBF

데이터시트

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1000 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60APU06PBF

VS-60APU06PBF

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,322 -
RFQ

-

FRED Pt® TO-247-3 Tube Obsolete Standard 600 V 60A 1.68 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 81 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
VS-60EPF02PBF

VS-60EPF02PBF

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,234 -
RFQ
VS-60EPF02PBF

데이터시트

- TO-247-2 Tube Obsolete Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-10ETF06PBF

VS-10ETF06PBF

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,207 -
RFQ
VS-10ETF06PBF

데이터시트

- TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 10A 1.2 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns - - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-10ETF10PBF

VS-10ETF10PBF

DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,331 -
RFQ
VS-10ETF10PBF

데이터시트

- TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 1000 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns - - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
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