단일 다이오드

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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결과

단일 다이오드

TomatoElec는 산업용, 자동차, 통신, 전원 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 다이오드를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 정류, 스위칭, 신호 제어 및 보호 회로 설계에 사용되는 일반적인 단일 다이오드 제품을 포함합니다.

당사는 단일 다이오드 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 다이오드 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N5821RL

1N5821RL

DIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL

onsemi

5,276 -
RFQ
1N5821RL

데이터시트

- DO-201AA, DO-27, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 30 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 125°C
1N4003RL

1N4003RL

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

onsemi

2,672 -
RFQ
1N4003RL

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
1N5822RL

1N5822RL

DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

onsemi

3,535 -
RFQ
1N5822RL

데이터시트

- DO-201AA, DO-27, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 3A 525 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 40 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 125°C
1N4937RL

1N4937RL

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

onsemi

7,659 -
RFQ
1N4937RL

데이터시트

- DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 1A 1.2 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 5 µA @ 600 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 150°C
SDT04S60

SDT04S60

DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2

Infineon Technologies

9,688 -
RFQ
SDT04S60

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 1.9 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 150pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
SDT10S30

SDT10S30

DIODE SIL CARB 300V 10A TO220-2

Infineon Technologies

7,464 -
RFQ
SDT10S30

데이터시트

CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 300 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 300 V 600pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
FCSP140ETR

FCSP140ETR

DIODE SCHOTTKY 40V 1A FLIPKY

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,257 -
RFQ
FCSP140ETR

데이터시트

- Flipky™ Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 1A 480 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 80 µA @ 40 V - - - Surface Mount Flipky™ -55°C ~ 150°C
STTA2006PI

STTA2006PI

DIODE GEN PURP 600V 20A DOP3I

STMicroelectronics

6,895 -
RFQ

-

TURBOSWITCH™ DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Bulk Obsolete Standard 600 V 20A 1.75 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole DOP3I 150°C (Max)
STTA806DI

STTA806DI

DIODE GP 600V 8A TO220AC INS

STMicroelectronics

5,705 -
RFQ
STTA806DI

데이터시트

TURBOSWITCH™ TO-220-2 Insulated, TO-220AC Bulk Obsolete Standard 600 V 8A 1.75 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 52 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC ins 150°C (Max)
BYT30PI-1000

BYT30PI-1000

DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I

STMicroelectronics

5,838 -
RFQ
BYT30PI-1000

데이터시트

- DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Bulk Obsolete Standard 1000 V 30A 1.9 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 165 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole DOP3I -40°C ~ 150°C
BYT12PI-1000

BYT12PI-1000

DIODE GP 1KV 12A TO220AC ISOL

STMicroelectronics

2,078 -
RFQ
BYT12PI-1000

데이터시트

- TO-220-2 Isolated Tab Bulk Obsolete Standard 1000 V 12A 1.9 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 155 ns 50 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO220AC Isolated -40°C ~ 150°C
STTA106U

STTA106U

DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

STMicroelectronics

6,875 -
RFQ
STTA106U

데이터시트

TURBOSWITCH™ DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 600 V 1A 1.75 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - - - Surface Mount SMB 125°C (Max)
1N4948GP/54

1N4948GP/54

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,140 -
RFQ
1N4948GP/54

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 1 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C
BYG21M/54

BYG21M/54

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,079 -
RFQ
BYG21M/54

데이터시트

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Active Avalanche 1000 V 1.5A 1.6 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 1 µA @ 1000 V - - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -55°C ~ 150°C
BYM07-200/32

BYM07-200/32

DIODE GP 200V 500MA DO213AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,973 -
RFQ
BYM07-200/32

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-213AA (Glass) Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 500mA 1.25 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 200 V 7pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA (GL34) -65°C ~ 175°C
BYM10-1000/1

BYM10-1000/1

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,628 -
RFQ
BYM10-1000/1

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Avalanche 1000 V 1A 1.2 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V 8pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 175°C
EGL41B/1

EGL41B/1

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,221 -
RFQ
EGL41B/1

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 100 V 20pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 175°C
EGL41G/1

EGL41G/1

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,222 -
RFQ
EGL41G/1

데이터시트

SUPERECTIFIER® DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 400 V 14pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 175°C
FES16GT/45

FES16GT/45

DIODE GEN PURP 400V 16A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,448 -
RFQ
FES16GT/45

데이터시트

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 400 V 16A 1.3 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-220AC -65°C ~ 150°C
FES8DT/45

FES8DT/45

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,572 -
RFQ

-

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 200 V 8A 950 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
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