게이트 드라이버

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

게이트 드라이버

게이트 드라이버는 MOSFET, IGBT, GaN 또는 SiC 소자와 같은 전력 스위치의 게이트를 제어하는 데 사용되는 전원 관리 IC입니다. 빠른 스위칭, 레벨 시프팅, 절연, 보호 기능, 구동 전류 제어를 제공하며 모터 드라이브, 전원 공급 장치, 인버터, 산업 자동화, 자동차 전장, 재생 에너지 시스템, 고효율 전력 변환 설계에 널리 사용됩니다.

TomatoElec는 독립 전자 부품 유통업체로서 Texas Instruments, Analog Devices, STMicroelectronics, onsemi, Infineon, Microchip, Renesas, NXP, Diodes Incorporated, Monolithic Power Systems 등 주요 제조사의 게이트 드라이버 IC를 공급할 수 있습니다. 고객은 아래 제품 목록에서 inventory, price, package, specifications, parameters and PDF datasheets를 확인하고, BOM 또는 RFQ를 제출하여 게이트 드라이버 소싱 문의를 진행할 수 있습니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IXDI502SIAT/R

IXDI502SIAT/R

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS

0 -
RFQ

-

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Low-Side Independent 2 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 4.5V ~ 30V 0.8V, 3V 2A, 2A Inverting - 7.5ns, 6.5ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IXDN502PI

IXDN502PI

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

IXYS

0 -
RFQ

-

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Low-Side Independent 2 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 4.5V ~ 30V 0.8V, 3V 2A, 2A Non-Inverting - 7.5ns, 6.5ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-DIP
ADP3110AKRZ

ADP3110AKRZ

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

onsemi

0 -
RFQ
ADP3110AKRZ

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 N-Channel MOSFET 4.6V ~ 13.2V 0.8V, 2V - Inverting, Non-Inverting 35 V 20ns, 11ns 0°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
LM5100CSD/NOPB

LM5100CSD/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

0 -
RFQ
LM5100CSD/NOPB

데이터시트

- 10-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 N-Channel MOSFET 9V ~ 14V 2.3V, - 1A, 1A Non-Inverting 118 V 990ns, 715ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 10-WSON (4x4)
FAN73832M

FAN73832M

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

onsemi

0 -
RFQ
FAN73832M

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 IGBT, N-Channel MOSFET 15V ~ 20V 1.2V, 2.9V 350mA, 650mA Non-Inverting 600 V 50ns, 30ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
FAN7383M

FAN7383M

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP

onsemi

0 -
RFQ
FAN7383M

데이터시트

- 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 IGBT, N-Channel MOSFET 15V ~ 20V 1.2V, 2.9V 350mA, 650mA Non-Inverting 600 V 50ns, 30ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 14-SOP
FZL4146GGEGHUMA1

FZL4146GGEGHUMA1

IC GATE DRVR HIGH-SIDE PDSO-20-7

Infineon Technologies

0 -
RFQ
FZL4146GGEGHUMA1

데이터시트

- 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified High-Side Synchronous 4 P-Channel MOSFET 4.5V ~ 40V 0.7V, 2.4V - Non-Inverting - - -25°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-20-7
TDA21106

TDA21106

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8

Infineon Technologies

0 -
RFQ
TDA21106

데이터시트

CoreControl™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 N-Channel MOSFET 10.8V ~ 13.2V - 4A, 4A Non-Inverting 45 V 20ns, 15ns -25°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-3
TDA21107

TDA21107

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8

Infineon Technologies

0 -
RFQ
TDA21107

데이터시트

CoreControl™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 N-Channel MOSFET 10.8V ~ 13.2V - - Non-Inverting 30 V 30ns, 40ns 0°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
IRS2113PBF

IRS2113PBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2113PBF

데이터시트

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 6V, 9.5V 2.5A, 2.5A Non-Inverting 600 V 25ns, 17ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 14-DIP
IRS2308PBF

IRS2308PBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2308PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 290mA, 600mA Non-Inverting 600 V 100ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IRS2304PBF

IRS2304PBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2304PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.7V, 2.3V 290mA, 600mA Non-Inverting 600 V 70ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IRS2186PBF

IRS2186PBF

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2186PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified High-Side or Low-Side Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 4A, 4A Non-Inverting 600 V 22ns, 18ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IRS2001PBF

IRS2001PBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2001PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 290mA, 600mA Non-Inverting 200 V 70ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IRS2101PBF

IRS2101PBF

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2101PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified High-Side or Low-Side Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 290mA, 600mA Non-Inverting 600 V 70ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IRS2103PBF

IRS2103PBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2103PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Discontinued at Digi-Key Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 290mA, 600mA Inverting, Non-Inverting 600 V 70ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IRS2118PBF

IRS2118PBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2118PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified High-Side Single 1 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 6V, 9.5V 290mA, 600mA Inverting 600 V 75ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IRS2118SPBF

IRS2118SPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2118SPBF

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete Not Verified High-Side Single 1 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 6V, 9.5V 290mA, 600mA Inverting 600 V 75ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IRS2117SPBF

IRS2117SPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2117SPBF

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete Not Verified High-Side Single 1 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 6V, 9.5V 290mA, 600mA Non-Inverting 600 V 75ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IRS2003PBF

IRS2003PBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IRS2003PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 290mA, 600mA Inverting, Non-Inverting 200 V 70ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
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