게이트 드라이버

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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모두 적용
결과

게이트 드라이버

게이트 드라이버는 MOSFET, IGBT, GaN 또는 SiC 소자와 같은 전력 스위치의 게이트를 제어하는 데 사용되는 전원 관리 IC입니다. 빠른 스위칭, 레벨 시프팅, 절연, 보호 기능, 구동 전류 제어를 제공하며 모터 드라이브, 전원 공급 장치, 인버터, 산업 자동화, 자동차 전장, 재생 에너지 시스템, 고효율 전력 변환 설계에 널리 사용됩니다.

TomatoElec는 독립 전자 부품 유통업체로서 Texas Instruments, Analog Devices, STMicroelectronics, onsemi, Infineon, Microchip, Renesas, NXP, Diodes Incorporated, Monolithic Power Systems 등 주요 제조사의 게이트 드라이버 IC를 공급할 수 있습니다. 고객은 아래 제품 목록에서 inventory, price, package, specifications, parameters and PDF datasheets를 확인하고, BOM 또는 RFQ를 제출하여 게이트 드라이버 소싱 문의를 진행할 수 있습니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
LM5100AM/NOPB

LM5100AM/NOPB

LM5100A 3A HIGH VOLTAGE HIGH-SID

National Semiconductor

316 -
RFQ
LM5100AM/NOPB

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active Not Verified Half-Bridge Independent 2 N-Channel MOSFET 9V ~ 14V 2.3V, - 3A, 3A Non-Inverting 118 V 430ns, 260ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
LM5100BMA/NOPB

LM5100BMA/NOPB

LM5100B 2A HIGH VOLTAGE HIGH-SID

National Semiconductor

190 -
RFQ
LM5100BMA/NOPB

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active Not Verified Half-Bridge Independent 2 N-Channel MOSFET 9V ~ 14V 2.3V, - 2A, 2A Non-Inverting 118 V 570ns, 430ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
LM5100AMR/NOPB

LM5100AMR/NOPB

LM5100A 3A HIGH VOLTAGE HIGH-SID

National Semiconductor

180 -
RFQ
LM5100AMR/NOPB

데이터시트

- 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active Not Verified Half-Bridge Independent 2 N-Channel MOSFET 9V ~ 14V 2.3V, - 3A, 3A Non-Inverting 118 V 430ns, 260ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO PowerPad
HIP2101IRZ

HIP2101IRZ

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,

Intersil

2,190 -
RFQ
HIP2101IRZ

데이터시트

- 16-VQFN Exposed Pad Bulk Active Not Verified Half-Bridge Independent 2 N-Channel MOSFET 9V ~ 14V 0.8V, 2.2V 2A, 2A Non-Inverting 114 V 10ns, 10ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 16-QFN (5x5)
IRS21091PBF

IRS21091PBF

IRS21091 - GATE DRIVER

International Rectifier

17,200 -
RFQ
IRS21091PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 290mA, 600mA Non-Inverting 600 V 100ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IR21094PBF

IR21094PBF

IR21094 - GATE DRIVER

International Rectifier

1,725 -
RFQ
IR21094PBF

데이터시트

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.9V 200mA, 350mA Non-Inverting 600 V 150ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 14-DIP
IRS21084PBF

IRS21084PBF

IRS21084 - GATE DRIVER

International Rectifier

1,000 -
RFQ
IRS21084PBF

데이터시트

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 290mA, 600mA Inverting, Non-Inverting 600 V 100ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 14-DIP
ISL89163FBEAZ

ISL89163FBEAZ

AND GATE BASED MOSFET DRIVER, 6A

Intersil

9,355 -
RFQ
ISL89163FBEAZ

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Bulk Active Not Verified Low-Side Independent 2 N-Channel MOSFET 4.5V ~ 16V 1.22V, 2.08V 6A, 6A Non-Inverting - 20ns, 20ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC-EP
ISL89163FBEBZ

ISL89163FBEBZ

AND GATE BASED MOSFET DRIVER, 6A

Intersil

6,222 -
RFQ
ISL89163FBEBZ

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Bulk Active Not Verified Low-Side Independent 2 N-Channel MOSFET 4.5V ~ 16V 1.85V, 3.15V 6A, 6A Non-Inverting - 20ns, 20ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC-EP
ISL89165FBEAZ

ISL89165FBEAZ

AND GATE BASED MOSFET DRIVER, 6A

Intersil

4,640 -
RFQ
ISL89165FBEAZ

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Bulk Active Not Verified Low-Side Independent 2 N-Channel MOSFET 4.5V ~ 16V 1.22V, 2.08V 6A, 6A Inverting, Non-Inverting - 20ns, 20ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC-EP
ISL89164FBEBZ

ISL89164FBEBZ

AND GATE BASED MOSFET DRIVER, 6A

Intersil

1,692 -
RFQ
ISL89164FBEBZ

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Bulk Active Not Verified Low-Side Independent 2 N-Channel MOSFET 4.5V ~ 16V 1.85V, 3.15V 6A, 6A Inverting - 20ns, 20ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC-EP
ISL89164FBEAZ

ISL89164FBEAZ

AND GATE BASED MOSFET DRIVER, 6A

Intersil

812 -
RFQ
ISL89164FBEAZ

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Bulk Active Not Verified Low-Side Independent 2 N-Channel MOSFET 4.5V ~ 16V 1.22V, 2.08V 6A, 6A Inverting - 20ns, 20ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC-EP
IRS21064PBF

IRS21064PBF

IRS21064 - GATE DRIVER

International Rectifier

19,875 -
RFQ
IRS21064PBF

데이터시트

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified High-Side or Low-Side Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 290mA, 600mA Non-Inverting 600 V 100ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 14-DIP
IR2301PBF

IR2301PBF

IR2301 - GATE DRIVER

International Rectifier

10,450 -
RFQ
IR2301PBF

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
IRS21094PBF

IRS21094PBF

IRS21094 - GATE DRIVER

International Rectifier

9,650 -
RFQ
IRS21094PBF

데이터시트

- 14-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified Half-Bridge Synchronous 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 290mA, 600mA Non-Inverting 600 V 100ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 14-DIP
IRS2184PBF

IRS2184PBF

IRS2184 - GATE DRIVER

International Rectifier

3,450 -
RFQ
IRS2184PBF

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - -
IR2102PBF

IR2102PBF

IR2102 - GATE DRIVER

International Rectifier

7,564 -
RFQ
IR2102PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 3V 210mA, 360mA Inverting 600 V 100ns, 50ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
IRS2308PBF

IRS2308PBF

IRS2308 - GATE DRIVER

International Rectifier

8,450 -
RFQ
IRS2308PBF

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
HIP6601ECB-T

HIP6601ECB-T

HIP6601 - HALF BRIDGE BASED MOSF

Intersil

4,999 -
RFQ
HIP6601ECB-T

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
IRS2181PBF

IRS2181PBF

IRS2181 - GATE DRIVER

International Rectifier

650 -
RFQ
IRS2181PBF

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified Half-Bridge Independent 2 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.5V 1.9A, 2.3A Non-Inverting 600 V 40ns, 20ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
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