게이트 드라이버

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

게이트 드라이버

게이트 드라이버는 MOSFET, IGBT, GaN 또는 SiC 소자와 같은 전력 스위치의 게이트를 제어하는 데 사용되는 전원 관리 IC입니다. 빠른 스위칭, 레벨 시프팅, 절연, 보호 기능, 구동 전류 제어를 제공하며 모터 드라이브, 전원 공급 장치, 인버터, 산업 자동화, 자동차 전장, 재생 에너지 시스템, 고효율 전력 변환 설계에 널리 사용됩니다.

TomatoElec는 독립 전자 부품 유통업체로서 Texas Instruments, Analog Devices, STMicroelectronics, onsemi, Infineon, Microchip, Renesas, NXP, Diodes Incorporated, Monolithic Power Systems 등 주요 제조사의 게이트 드라이버 IC를 공급할 수 있습니다. 고객은 아래 제품 목록에서 inventory, price, package, specifications, parameters and PDF datasheets를 확인하고, BOM 또는 RFQ를 제출하여 게이트 드라이버 소싱 문의를 진행할 수 있습니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 구동 구성 채널 유형 드라이버 수 게이트 유형 전압 - 공급 논리 전압 - VIL, VIH 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 입력 유형 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) 상승/하강 시간(일반) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
IR2130JPBF

IR2130JPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2130JPBF

데이터시트

- 44-LCC (J-Lead), 32 Leads Bulk Obsolete Not Verified Half-Bridge 3-Phase 6 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.2V 250mA, 500mA Inverting 600 V 80ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
MAX620EWN

MAX620EWN

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 18SOIC

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

0 -
RFQ
MAX620EWN

데이터시트

- 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Tube Obsolete Not Verified High-Side Independent 4 N-Channel MOSFET 4.5V ~ 16.5V 0.8V, 2.4V - Non-Inverting - 1.7µs, 2.5µs -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 18-SOIC
UC2707N

UC2707N

IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP

Texas Instruments

0 -
RFQ
UC2707N

데이터시트

- 16-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Obsolete Not Verified Low-Side Independent 2 N-Channel MOSFET 5V ~ 40V 0.8V, 2.2V 1.5A, 1.5A Inverting, Non-Inverting - 40ns, 40ns -25°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 16-PDIP
GPI4TIC15DFV

GPI4TIC15DFV

RF MOSFET 6.5V 8DFN

GaNPower

168 -
RFQ
GPI4TIC15DFV

데이터시트

- 8-WDFN Exposed Pad Tube Active - Low-Side Single 1 Enhanced Mode GaN FET 5V ~ 8V - - Non-Inverting - 30ns, 70ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (8x8)
R2J20657BNP#G2

R2J20657BNP#G2

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Renesas Electronics Corporation

2,492 -
RFQ
R2J20657BNP#G2

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
LMG1025QDEERQ1

LMG1025QDEERQ1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

Texas Instruments

4,627 -
RFQ
LMG1025QDEERQ1

데이터시트

- 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active Not Verified Low-Side Single 1 N-Channel, P-Channel MOSFET 4.75V ~ 5.25V 1.8V, 1.7V 7A, 5A Inverting, Non-Inverting - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank 6-WSON (2x2)
UC3710DW

UC3710DW

IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC

Texas Instruments

0 -
RFQ
UC3710DW

데이터시트

- 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Bulk Obsolete Not Verified Low-Side Single 1 IGBT, N-Channel MOSFET 4.7V ~ 18V 0.8V, 2V 6A, 6A Inverting, Non-Inverting - 85ns, 85ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
IR2132PBF

IR2132PBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP

Infineon Technologies

0 -
RFQ
IR2132PBF

데이터시트

- 28-DIP (0.600", 15.24mm) Bulk Obsolete Not Verified Half-Bridge 3-Phase 6 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.2V 250mA, 500mA Inverting 600 V 80ns, 35ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 28-PDIP
IR2131JTRPBF

IR2131JTRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC

Infineon Technologies

490 -
RFQ
IR2131JTRPBF

데이터시트

- 44-LCC (J-Lead), 32 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Half-Bridge Independent 6 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.2V 250mA, 500mA Inverting 600 V 80ns, 40ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
RAJ20660AGNP#HA0

RAJ20660AGNP#HA0

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Renesas Electronics Corporation

6,000 -
RFQ
RAJ20660AGNP#HA0

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
R2J20656ANP#G0

R2J20656ANP#G0

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Renesas Electronics Corporation

2,500 -
RFQ
R2J20656ANP#G0

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
R2J20654NP#G3

R2J20654NP#G3

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Renesas Electronics Corporation

2,500 -
RFQ
R2J20654NP#G3

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
UC2710N

UC2710N

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

Texas Instruments

0 -
RFQ
UC2710N

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active Not Verified Low-Side Single 1 IGBT, N-Channel MOSFET 4.7V ~ 18V 0.8V, 2V 6A, 6A Inverting, Non-Inverting - 85ns, 85ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
UC1714J

UC1714J

BUFFER/INVERTER MOSFET DRIVER

Texas Instruments

105 -
RFQ
UC1714J

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
IR2130PBF

IR2130PBF

IR2130S - GATE DRIVER

International Rectifier

140 -
RFQ
IR2130PBF

데이터시트

- 28-DIP (0.600", 15.24mm) Bulk Obsolete Not Verified Half-Bridge 3-Phase 6 IGBT, N-Channel MOSFET 10V ~ 20V 0.8V, 2.2V 200mA, 420mA Non-Inverting 600 V 80ns, 35ns -40°C ~ 125°C (TA) - - Through Hole 28-DIP
R2J20604NP#G3

R2J20604NP#G3

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Renesas Electronics Corporation

92,500 -
RFQ
R2J20604NP#G3

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
R2J20604NP#13

R2J20604NP#13

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Renesas Electronics Corporation

109 -
RFQ
R2J20604NP#13

데이터시트

* - Bulk Active Not Verified - - - - - - - - - - - - - - -
EL7156CSZ-T7A

EL7156CSZ-T7A

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Renesas Electronics Corporation

233 -
RFQ
EL7156CSZ-T7A

데이터시트

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified High-Side or Low-Side Single 1 IGBT 4.5V ~ 16.5V 0.8V, 2.4V 3.5A, 3.5A Non-Inverting - 14.5ns, 15ns -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
MC33GD3100A3EK

MC33GD3100A3EK

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC

NXP USA Inc.

1,921 -
RFQ
MC33GD3100A3EK

데이터시트

- 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Tube Obsolete Not Verified Half-Bridge Single 1 IGBT, N-Channel MOSFET 3.3V - 15A, 15A - - - -40°C ~ 125°C (TA) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 32-SOIC
UC2705N

UC2705N

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

Texas Instruments

44 -
RFQ
UC2705N

데이터시트

- 8-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Obsolete Not Verified Low-Side Single 1 N-Channel MOSFET 5V ~ 40V 0.8V, 2.2V 1.5A, 1.5A Inverting, Non-Inverting - 60ns, 60ns -25°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 8-PDIP
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