단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
RGTV60TK65DGVC11

RGTV60TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

Rohm Semiconductor

9,285 -
RFQ
RGTV60TK65DGVC11

데이터시트

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 33 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 76 W 570µJ (on), 500µJ (off) Standard 64 nC 33ns/105ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 95 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGW00TS65DGC11

RGW00TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

Rohm Semiconductor

2,940 -
RFQ
RGW00TS65DGC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 96 A 200 A 1.9V @ 15V, 50A 254 W 1.18mJ (on), 960µJ (off) Standard 141 nC 52ns/180ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V 95 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGS80TS65HRC11

RGS80TS65HRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N

Rohm Semiconductor

8,846 -
RFQ
RGS80TS65HRC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 73 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 272 W 1.05mJ (on), 1.03mJ (off) Standard 48 nC 37ns/112ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
IXGH25N160

IXGH25N160

IGBT NPT 1600V 75A TO247AD

IXYS

9,409 -
RFQ
IXGH25N160

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active NPT 1600 V 75 A 200 A 4.7V @ 20V, 100A 300 W - Standard 84 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
AIKW75N60CTXKSA1

AIKW75N60CTXKSA1

IC DISCRETE 600V TO247-3

Infineon Technologies

2,509 -
RFQ
AIKW75N60CTXKSA1

데이터시트

TrenchStop™ TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 80 A 225 A 2V @ 15V, 75A 428 W 2mJ (on), 2.5mJ (off) Standard 470 nC 33ns/330ns 400V, 75A, 5Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3-41
APT68GA60B

APT68GA60B

IGBT PT 600V 121A TO247

Microchip Technology

1 -
RFQ
APT68GA60B

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 121 A 202 A 2.5V @ 15V, 40A 520 W 715µJ (on), 607µJ (off) Standard 298 nC 21ns/133ns 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IGW75N60H3FKSA1

IGW75N60H3FKSA1

IGBT TRENCH FS 600V 140A TO247-3

Infineon Technologies

22 -
RFQ
IGW75N60H3FKSA1

데이터시트

TrenchStop® TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 140 A 225 A 2.3V @ 15V, 75A 428 W 3mJ (on), 1.7mJ (off) Standard 470 nC 31ns/265ns 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
RGTV00TS65DGC11

RGTV00TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 95A TO247N

Rohm Semiconductor

6,320 -
RFQ
RGTV00TS65DGC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 95 A 200 A 1.9V @ 15V, 50A 276 W 1.17mJ (on), 940µJ (off) Standard 104 nC 41ns/142ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V 102 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGS00TS65HRC11

RGS00TS65HRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N

Rohm Semiconductor

6,074 -
RFQ
RGS00TS65HRC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 88 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 326 W 1.46mJ (on), 1.29mJ (off) Standard 58 nC 36ns/115ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
IXYH90N65A5

IXYH90N65A5

IGBT PT 650V 220A TO247

IXYS

9,410 -
RFQ
IXYH90N65A5

데이터시트

XPT™, GenX5™ TO-247-3 Tube Active PT 650 V 220 A 600 A 1.35V @ 15V, 60A 650 W 1.3mJ (on), 3.4mJ (off) Standard 260 nC 40ns/420ns 400V, 50A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXYH30N170C

IXYH30N170C

1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB

IXYS

2,826 -
RFQ
IXYH30N170C

데이터시트

XPT™ TO-247-3 Tube Active - 1700 V 108 A 255 A 3.7V @ 15V, 30A 937 W 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) Standard 140 nC 28ns/150ns 850V, 30A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXYH24N90C3D1

IXYH24N90C3D1

IGBT 900V 44A 200W C3 TO-247

IXYS

1 -
RFQ
IXYH24N90C3D1

데이터시트

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active - 900 V 44 A 105 A 2.7V @ 15V, 24A 200 W 1.35mJ (on), 400µJ (off) Standard 40 nC 20ns/73ns 450V, 24A, 10Ohm, 15V 340 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
APT35GN120SG

APT35GN120SG

IGBT NPT FS 1200V 94A D3PAK

Microchip Technology

23 -
RFQ
APT35GN120SG

데이터시트

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 94 A 105 A 2.1V @ 15V, 35A 379 W -, 2.315mJ (off) Standard 220 nC 24ns/300ns 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
APT80GA60B

APT80GA60B

IGBT PT 600V 143A TO247

Microchip Technology

7,903 -
RFQ
APT80GA60B

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active PT 600 V 143 A 240 A 2.5V @ 15V, 47A 625 W 840µJ (on), 751µJ (off) Standard 230 nC 23ns/158ns 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
IXGH6N170

IXGH6N170

IGBT 1700V 12A 75W TO247

IXYS

5,038 -
RFQ
IXGH6N170

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 12 A 24 A 4V @ 15V, 6A 75 W 1.5mJ (off) Standard 20 nC 40ns/250ns 1360V, 6A, 33Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXGH40N120B2D1

IXGH40N120B2D1

IGBT 1200V 75A 380W TO247

IXYS

7,481 -
RFQ
IXGH40N120B2D1

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 75 A 200 A 3.5V @ 15V, 40A 380 W 4.5mJ (on), 3mJ (off) Standard 138 nC 21ns/290ns 960V, 40A, 2Ohm, 15V 100 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXGH30N120B3D1

IXGH30N120B3D1

IGBT 1200V 300W TO247AD

IXYS

2 -
RFQ
IXGH30N120B3D1

데이터시트

GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 1200 V - 150 A 3.5V @ 15V, 30A 300 W 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) Standard 87 nC 16ns/127ns 960V, 30A, 5Ohm, 15V 100 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
APT50GN120B2G

APT50GN120B2G

IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A

Microchip Technology

4,291 -
RFQ
APT50GN120B2G

데이터시트

- TO-247-3 Variant Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 134 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 543 W 4495µJ (off) Standard 315 nC 28ns/320ns 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXBT16N170A

IXBT16N170A

IGBT 1700V 16A TO268AA

IXYS

5,011 -
RFQ
IXBT16N170A

데이터시트

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10A 150 W 1.2mJ (off) Standard 65 nC 15ns/160ns 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 360 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

IGBT PT 900V 117A TO247

Microchip Technology

2 -
RFQ
APT64GA90B2D30

데이터시트

POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 900 V 117 A 193 A 3.1V @ 15V, 38A 500 W 1192µJ (on), 1088µJ (off) Standard 162 nC 18ns/131ns 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
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