단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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결과

단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

249 -
RFQ
HGTD7N60C3S9A

데이터시트

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active - 600 V 14 A 56 A 2V @ 15V, 7A 60 W 165µJ (on), 600µJ (off) Standard 23 nC - - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
IRGB4060DPBF

IRGB4060DPBF

IGBT

Infineon Technologies

50,350 -
RFQ
IRGB4060DPBF

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRGS15B60KPBF

IRGS15B60KPBF

IGBT

Infineon Technologies

8,000 -
RFQ
IRGS15B60KPBF

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRG4BC30UPBF

IRG4BC30UPBF

IGBT

Infineon Technologies

10,580 -
RFQ
IRG4BC30UPBF

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SGF23N60UFTU

SGF23N60UFTU

IGBT 600V 23A TO3PF

Fairchild Semiconductor

175,840 -
RFQ
SGF23N60UFTU

데이터시트

- TO-3P-3 Full Pack Bulk Active - 600 V 23 A 92 A 2.6V @ 15V, 12A 75 W 115µJ (on), 135µJ (off) Standard - 17ns/60ns 300V, 12A, 23Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
ISL9V2540S3ST

ISL9V2540S3ST

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

16,216 -
RFQ
ISL9V2540S3ST

데이터시트

EcoSPARK® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active - 430 V 15.5 A - 1.8V @ 4V, 6A 166.7 W - Logic 15.1 nC -/3.64µs 300V, 1kOhm, 5V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
ISL9V3036S3ST_SB82029A

ISL9V3036S3ST_SB82029A

IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D

Fairchild Semiconductor

954 -
RFQ
ISL9V3036S3ST_SB82029A

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJH60D1DPP-E0#T2

RJH60D1DPP-E0#T2

RJH60D1 - INSULATED GATE BIPOLAR

Renesas

1,538 -
RFQ
RJH60D1DPP-E0#T2

데이터시트

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete Trench 600 V 20 A - 2.5V @ 15V, 10A 30 W 100µJ (on), 130µJ (off) Standard 13 nC 30ns/42ns 300V, 10A, 5Ohm, 15V 70 ns 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IRGS6B60KTRLPBF

IRGS6B60KTRLPBF

IRGS6B60 - IGBT WITH ULTRAFAST S

International Rectifier

20,000 -
RFQ
IRGS6B60KTRLPBF

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FGB3245G2-F085C

FGB3245G2-F085C

IGNITION IGBT, 450V, 23A, 1.3V,

onsemi

48,200 -
RFQ

-

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active - 450 V 41 A - 1.25V @ 4V, 6A 150 W - Logic 23 nC 900ns/5.4µs 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V 2.6 µs -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
AUIRG4BC30S-S

AUIRG4BC30S-S

IGBT

Infineon Technologies

23,755 -
RFQ
AUIRG4BC30S-S

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUIRG4BC30S-S

AUIRG4BC30S-S

AUIRG4B30 - AUTOMOTIVE IGBT DISC

International Rectifier

700 -
RFQ
AUIRG4BC30S-S

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete - 600 V 34 A 68 A 1.6V @ 15V, 18A 100 W 260µJ (on), 3.45mJ (off) Standard 50 nC 22ns/540ns 480V, 18A, 23Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
FGA50S110P

FGA50S110P

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

45,000 -
RFQ
FGA50S110P

데이터시트

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Active Trench Field Stop 1100 V 50 A 120 A 2.6V @ 15V, 50A 300 W - Standard 195 nC - - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
IRG4PC30KPBF

IRG4PC30KPBF

IRG4PC30 - DISCRETE IGBT WITHOUT

International Rectifier

6,000 -
RFQ
IRG4PC30KPBF

데이터시트

- TO-247-3 Bulk Obsolete - 600 V 28 A 58 A 2.7V @ 15V, 16A 100 W 360µJ (on), 510µJ (off) Standard 67 nC 26ns/130ns 480V, 16A, 23Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IRGSL10B60KDPBF

IRGSL10B60KDPBF

IRGSL10B6 - DISCRETE IGBT WITH A

International Rectifier

4,200 -
RFQ
IRGSL10B60KDPBF

데이터시트

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete NPT 600 V 22 A 44 A 2.2V @ 15V, 10A 156 W 140µJ (on), 250µJ (off) Standard 38 nC 30ns/230ns 400V, 10A, 47Ohm, 15V 90 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
FGB20N60SF

FGB20N60SF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

726 -
RFQ
FGB20N60SF

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active Field Stop 600 V 40 A 60 A 2.8V @ 15V, 20A 208 W 370µJ (on), 160µJ (off) Standard 65 nC 13ns/90ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

67,276 -
RFQ
HGTP12N60A4D

데이터시트

- TO-220-3 Bulk Active - 600 V 54 A 96 A 2.7V @ 15V, 12A 167 W 55µJ (on), 50µJ (off) Standard 78 nC 17ns/96ns 390V, 12A, 10Ohm, 15V 30 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FGAF40N60UFTU

FGAF40N60UFTU

IGBT

Fairchild Semiconductor

2,156 -
RFQ
FGAF40N60UFTU

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRG4PC30FPBF

IRG4PC30FPBF

IGBT

Infineon Technologies

1,567 -
RFQ
IRG4PC30FPBF

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HGT1S14N41G3VLT

HGT1S14N41G3VLT

IGBT

Fairchild Semiconductor

800 -
RFQ
HGT1S14N41G3VLT

데이터시트

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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