단일 IGBT

제조업체 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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단일 IGBT

TomatoElec는 산업용, 자동차, 전력 제어, 모터 구동 및 일반 전자 응용 분야를 위한 단일 IGBT를 공급합니다. 당사의 소싱 지원은 스위칭, 전력 변환 및 제어 회로 설계에 사용되는 단일 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 제품을 포함합니다.

당사는 단일 IGBT 소싱을 위한 유연한 RFQ 서비스를 지원하며, 일반 수요, 긴급 요구 및 일부 구하기 어려운 부품에 대해 고객이 조달 효율을 높일 수 있도록 돕습니다.

다양한 공급 채널에 대한 접근을 바탕으로 TomatoElec는 고객에게 신뢰할 수 있는 단일 IGBT 소싱 지원, 신속한 견적 대응 및 글로벌 배송 서비스를 제공하는 것을 목표로 합니다.

사진 제조사 부품 번호 재고 상태 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
FGHL75T65MQD

FGHL75T65MQD

IGBT 650V 75A TO247

onsemi

395 -
RFQ
FGHL75T65MQD

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 300 A 1.8V @ 15V, 75A 375 W 1.94mJ (on), 1.55mJ (off) Standard 145 nC 33ns/176ns 400V, 75A, 10Ohm, 15V 36 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
RGWSX2TS65GC13

RGWSX2TS65GC13

IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGWSX2TS65GC13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 104 A 180 A 2V @ 15V, 60A 288 W 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) Standard 140 nC 55ns/180ns 400V, 60A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
FGH75T65SHDTL4

FGH75T65SHDTL4

IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247

onsemi

289 -
RFQ
FGH75T65SHDTL4

데이터시트

- TO-247-4 Tube Active Field Stop 650 V 150 A 300 A 2.1V @ 15V, 75A 455 W 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) Standard 126 nC 55ns/189ns 400V, 75A, 15Ohm, 15V 76 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXA12IF1200PB

IXA12IF1200PB

IGBT PT 1200V 20A TO220-3

IXYS

300 -
RFQ
IXA12IF1200PB

데이터시트

- TO-220-3 Tube Active PT 1200 V 20 A - 2.1V @ 15V, 10A 85 W 1.1mJ (on), 1.1mJ (off) Standard 27 nC - 600V, 10A, 100Ohm, 15V 350 ns -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
RGTH80TK65DGC11

RGTH80TK65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM

Rohm Semiconductor

450 -
RFQ
RGTH80TK65DGC11

데이터시트

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 31 A 160 A 2.1V @ 15V, 40A 66 W - Standard 79 nC 34ns/120ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RGWS00TS65DGC13

RGWS00TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGWS00TS65DGC13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 88 A 150 A 2V @ 15V, 50A 245 W 980µJ (on), 910µJ (off) Standard 108 nC 46ns/145ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGTV80TS65DGC11

RGTV80TS65DGC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

Rohm Semiconductor

450 -
RFQ
RGTV80TS65DGC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 78 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 234 W 1.02mJ (on), 710µJ (off) Standard 81 nC 39ns/113ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 101 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGWX5TS65DHRC11

RGWX5TS65DHRC11

IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

Rohm Semiconductor

332 -
RFQ
RGWX5TS65DHRC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 132 A 300 A 1.9V @ 15V, 75A 348 W - Standard 213 nC 62ns/237ns 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
FGH50T65UPD

FGH50T65UPD

IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

onsemi

253 -
RFQ
FGH50T65UPD

데이터시트

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 100 A 150 A 2.3V @ 15V, 50A 340 W 2.7mJ (on), 740µJ (off) Standard 230 nC 32ns/160ns 400V, 50A, 6Ohm, 15V 53 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
AIKB50N65DH5ATMA1

AIKB50N65DH5ATMA1

DISCRETE SWITCHES

Infineon Technologies

3,980 -
RFQ
AIKB50N65DH5ATMA1

데이터시트

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active NPT 650 V 50 A - - - - Standard - - - - - - - Surface Mount PG-TO263-3-2
RGT60TS65DGC13

RGT60TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G

Rohm Semiconductor

554 -
RFQ
RGT60TS65DGC13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 55 A 90 A 2.1V @ 15V, 30A 194 W - Standard 58 nC 29ns/100ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

Rohm Semiconductor

440 -
RFQ
RGW80TK65DGVC11

데이터시트

- TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 39 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 81 W 760µJ (on), 720µJ (off) Standard 110 nC 44ns/143ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 92 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
FGH75T65UPD

FGH75T65UPD

IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3

onsemi

1,131 -
RFQ
FGH75T65UPD

데이터시트

- TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 150 A 225 A 2.3V @ 15V, 75A 375 W 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) Standard 385 nC 32ns/166ns 400V, 75A, 3Ohm, 15V 85 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
RGTH00TS65DGC13

RGTH00TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G

Rohm Semiconductor

581 -
RFQ
RGTH00TS65DGC13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 85 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 277 W - Standard 94 nC 39ns/143ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V 54 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
IXGH48N60A3D1

IXGH48N60A3D1

IGBT 600V 300W TO247AD

IXYS

192 -
RFQ
IXGH48N60A3D1

데이터시트

GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V - 300 A 1.35V @ 15V, 32A 300 W 950µJ (on), 2.9mJ (off) Standard 110 nC 25ns/334ns 480V, 32A, 5Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
RGS80TSX2GC11

RGS80TSX2GC11

IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247N

Rohm Semiconductor

249 -
RFQ
RGS80TSX2GC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 80 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 555 W 3mJ (on), 3.1mJ (off) Standard 104 nC 49ns/199ns 600V, 40A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
RGW60TS65DHRC11

RGW60TS65DHRC11

IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N

Rohm Semiconductor

380 -
RFQ
RGW60TS65DHRC11

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 64 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 178 W - Standard 84 nC 36ns/107ns 400V, 15A, 10Ohm, 15V 87 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
IXBT6N170

IXBT6N170

IGBT 1700V 12A TO268AA

IXYS

230 -
RFQ
IXBT6N170

데이터시트

BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 1700 V 12 A 36 A 3.4V @ 15V, 6A 75 W - Standard 17 nC - - 1.08 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
RGWSX2TS65DGC13

RGWSX2TS65DGC13

IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGWSX2TS65DGC13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 104 A 180 A 2V @ 15V, 60A 288 W 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) Standard 140 nC 55ns/180ns 400V, 60A, 10Ohm, 15V 88 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
RGT80TS65DGC13

RGT80TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G

Rohm Semiconductor

600 -
RFQ
RGT80TS65DGC13

데이터시트

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 70 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 234 W - Standard 79 nC 34ns/119ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 236 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
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